首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nand

集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續(xù)跌15～20％

  • 根據(jù)集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達(dá)30～35％，但各類NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預(yù)期將導(dǎo)致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴(kuò)大至15～20％。集邦表示，因?yàn)樾枨蟮兔詫?dǎo)致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數(shù)原廠的NAND Flash產(chǎn)品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運(yùn)營陷入虧損的壓力下，對(duì)于采取減產(chǎn)以降低虧
  • 關(guān)鍵字： 集邦  NAND Flash  

庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導(dǎo)致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格續(xù)跌13％～18％。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應(yīng)端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
  • 關(guān)鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

拆機(jī)證實(shí)，國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲(chǔ)國產(chǎn) NAND 閃存

  • IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機(jī)，起價(jià) 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入蘋果供應(yīng)鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認(rèn)正考慮從長江存儲(chǔ)采購 NAND 芯片，但僅會(huì)用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲(chǔ)芯片廠商。因此，市場觀察人士認(rèn)為，蘋果與長江存儲(chǔ)合作，將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進(jìn)一步
  • 關(guān)鍵字： iPhone 14  NAND  長江存儲(chǔ)  

NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場52.9%份額

  • 根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce最近發(fā)布的報(bào)告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因?yàn)閷?duì)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環(huán)比增長12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國廠商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
  • 關(guān)鍵字： NAND  內(nèi)存  

FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash

  • 江波龍（股票代碼：301308）近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā)，能夠極大地幫助客戶降低整機(jī)系統(tǒng)成本，并提升終端的產(chǎn)品競爭力。目前，F(xiàn)ORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產(chǎn)，在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)通訊等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。加量減價(jià)，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據(jù)系統(tǒng)存儲(chǔ)容量需求的不同，客
  • 關(guān)鍵字： 江波龍  NAND  

三星電子236層NAND閃存預(yù)計(jì)年內(nèi)開始生產(chǎn)

  • 據(jù)國外媒體報(bào)道，當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子，預(yù)計(jì)會(huì)在年內(nèi)開始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計(jì)劃在本月開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。韓國媒體在報(bào)道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報(bào)道來看，三星電子對(duì)即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們?cè)趫?bào)道中就表示，在NAND閃存市場，三星電子的市場份額占了35%，為全球最高。將層數(shù)增加60層后，他們計(jì)劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  閃存  

業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND

  • 半導(dǎo)體行業(yè)十分有趣，同時(shí)也充滿挑戰(zhàn)。俗話說，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導(dǎo)體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng)新的極限，以推動(dòng)邏輯、內(nèi)存、存儲(chǔ)等計(jì)算器件的發(fā)展。如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰，借此機(jī)會(huì)讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來被公認(rèn)為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，之前我們推出了業(yè)內(nèi)首款176層替換柵極NAND技術(shù)，再次
  • 關(guān)鍵字： 美光  232層  NAND  

集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長

  • 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠(yuǎn)低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當(dāng)嚴(yán)峻，價(jià)格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價(jià)格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類應(yīng)用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費(fèi)市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標(biāo)，尤其前兩年面對(duì)疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機(jī)庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，
  • 關(guān)鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

美光出貨全球首款232層NAND，進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，從而為存儲(chǔ)解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層，
  • 關(guān)鍵字： 美光  232層  NAND  

SSD價(jià)格還將要大降價(jià)：NAND供應(yīng)過剩

  • 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢表示，需求未見好轉(zhuǎn)，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉(zhuǎn)進(jìn)持續(xù)，下半年市場供過于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機(jī)等消費(fèi)性電子下半年旺季不旺已成市場共識(shí)，物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。因渠道庫存去化緩慢，客戶拉貨態(tài)度保守，造成庫存問題漫溢至上游供應(yīng)端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預(yù)估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至8~13%，且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應(yīng)鏈的說法，雖然仍
  • 關(guān)鍵字： NAND  SSD  存儲(chǔ)  

鎧俠為實(shí)現(xiàn)超高容量SSD，正試驗(yàn)7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

  • NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個(gè)單元存儲(chǔ)的位數(shù)來提高其存儲(chǔ)設(shè)備的存儲(chǔ)密度，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，近日鎧俠表示，公司一直在試驗(yàn)在一個(gè)單元中存儲(chǔ)更多比特?cái)?shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報(bào)道，近日鎧俠表示，已設(shè)法在每個(gè)單元中存儲(chǔ)7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗(yàn)室和低溫的條件下。 為了使存儲(chǔ)密度更高，存儲(chǔ)電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個(gè)單元存儲(chǔ)Bits的增加呈指數(shù)增長。例如，要存儲(chǔ)4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會(huì)增長到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現(xiàn)的每個(gè)單元
  • 關(guān)鍵字： SSD  NAND Flash  鎧俠  

潛力無限的汽車存儲(chǔ)芯片

  • 　　隨著智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動(dòng)力。　　汽車芯片從應(yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲(chǔ)芯片為例，2022年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模約52億美元，國內(nèi)汽車存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模
  • 關(guān)鍵字： 北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND  

盈利能力大增，估值較低的存儲(chǔ)龍頭被看好？

  • 5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計(jì)出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達(dá)到17.8%。除了NOR Flash存儲(chǔ)芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲(chǔ)芯片以及存儲(chǔ)器和MCU，在過去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實(shí)現(xiàn)大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
  • 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新  NAND Flash  

中國DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

  • 近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲(chǔ)芯片企業(yè)長江存
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

長江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

  • 近日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
  • 關(guān)鍵字： 長江存儲(chǔ)  3D NAND  
共1113條 8/75 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 » ›|

3d-nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473