3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

內(nèi)存雙雄：市況否極泰來(lái)

華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號(hào)器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng)，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國(guó)制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號(hào)器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來(lái)，因?yàn)橛辛藝?guó)產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒有停步。
關(guān)鍵字：莫大康半導(dǎo)體華為光刻機(jī) NAND

存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫(kù)存水位過(guò)高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
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存儲(chǔ)大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計(jì)最快2024年問世

近日，在第70屆IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

半導(dǎo)體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號(hào)器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng)，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國(guó)制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號(hào)器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來(lái)，因?yàn)橛辛藝?guó)產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒有停步
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均價(jià)跌幅擴(kuò)大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%

TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶為避免零部件庫(kù)存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)僅5.3%，平均銷售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達(dá)
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外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)

近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅(qū)動(dòng)3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)，這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點(diǎn)，是否會(huì)向其他同類產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布，努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng)，包含大量運(yùn)用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來(lái)自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開發(fā)商的內(nèi)容支持。
關(guān)鍵字：努比亞 MWC 3D 游戲引擎

西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jī)電話會(huì)議上表示，2023 財(cái)年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元（當(dāng)前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當(dāng)前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
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意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果：適用于機(jī)器視覺和機(jī)器人的3D 立體視覺攝像頭

雙方將通過(guò)立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺， *AIoT 、AGV小車和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測(cè)和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國(guó)----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

消費(fèi)性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來(lái)消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
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