3d-nand 文章 進入3d-nand技術社區(qū)
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實現(xiàn)
- 在現(xiàn)代電子設備中,越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數(shù)據(jù)存儲,而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點,需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法,利用FPGA中RAM模塊,設計了狀態(tài)機電路,靈活地實現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理,并且對該設計進行測試驗證。
- 關鍵字: NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
如何達到3D位置感測的實時控制
- 本文回顧3D霍爾效應位置傳感器的基礎知識,并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬向節(jié)馬達系統(tǒng)中的用途;以及介紹高精密度線性3D霍爾效應位置傳感器的范例。用于實時控制的3D位置感測在各種工業(yè)4.0應用中不斷增加,從工業(yè)機器人、自動化系統(tǒng),到掃地機器人和保全。3D霍爾效應位置傳感器是這些應用的理想選擇;它們具有高重復性和可靠性,還可以與窗戶、門和外殼搭配,進行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此,使用霍爾效應傳感器設計有效且安全的3D感測系統(tǒng)可能復雜且耗時?;魻栃獋鞲衅餍枰c足夠強大的微控制器(MCU)介接,以
- 關鍵字: 3D位置感測 實時控制 3D 霍爾效應傳感器
韓國芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價甩賣:SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱,芯片出口的多少,直接關系著幾大財團的營收,比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道,消費電子產(chǎn)品需求下滑,導致對芯片的需求下滑,尤其是存儲芯片,需求與價格雙雙下滑。韓國關稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示,在11月份的前20天,韓國芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動設備,但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是,全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了,至少在3000萬部,這也
- 關鍵字: 三星 SK海力士 DRAM NAND
大聯(lián)大世平集團推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案
- 2022年11月16日,致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于耐能(Kneron)KL520芯片的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案的展示板圖 在現(xiàn)代化經(jīng)濟建設和智能管理的驅動下,人工智能門禁系統(tǒng)作為安防基礎核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個特殊情境下,各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機關等單位,對于多功能智能門禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢下,大
- 關鍵字: 大聯(lián)大世平 耐能 Kneron 3D AI 人臉識別門禁
Arm Immortalis 實現(xiàn) 3D 游戲新境界
- 新聞重點· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計算解決方案,Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤,將為高級移動游戲提供超真實的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計算基礎可為新一代智能手機提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布,MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
- 關鍵字: Arm Immortalis 3D 游戲
三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲密度高達1Tb
- 作為全球化的半導體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND,1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示:"市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3
- 關鍵字: 三星 V-NAND 存儲密度
三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存,PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息,雖然還沒有發(fā)布任何實際產(chǎn)品,但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片,該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度,當搭配高端主控使用時,它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度,不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱,與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比,
- 關鍵字: V-NAND 閃存 三星
存儲系統(tǒng)的數(shù)字安全技術
- NAND 閃存用于各種消費和工業(yè)產(chǎn)品,從筆記本電腦和手機到工業(yè)機器人、醫(yī)療設備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設備,如傳感器和控制器。 在我們日益互聯(lián)的世界中,這些應用程序中的所有脆弱點都需要足夠和強大的安全措施,包括數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。 因此,在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統(tǒng)時,必須確保存儲器的安全性滿足應用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術需要足夠的處理能力。 作為存儲系統(tǒng)的“大腦”,NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個存儲系統(tǒng)所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性,涵蓋了最常見的硬件和軟件技術,有助于告知讀
- 關鍵字: 存儲系統(tǒng) 數(shù)字安全 海派世通 NAND
SK海力士:未研究過“轉移中國工廠設備”相關具體計劃
- 近日,SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關注,對此,SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上,針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境,作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中,“中國工廠的設備轉移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復,SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外,針對美國對芯片設備出口的管制,SK海力士表示,
- 關鍵字: SK海力士 DRAM NAND
臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺積電10月27日宣布,成立開放創(chuàng)新平臺(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據(jù)悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術,使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
- 關鍵字: 臺積電 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
西門子推軟件解決方案 加快簡化2.5D/3D IC可測試性設計
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路(IC)關鍵可測試性設計(DFT)。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升,IC設計界也面臨著嚴苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構,以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個晶粒,使其能夠作為單一組件運作。但是,這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn),因為大部分傳統(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn),西門子推出Tess
- 關鍵字: 西門子 2.5D 3D 可測試性設計
高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一
- 10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行,中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優(yōu)勝獎,實現(xiàn)多個項目上金牌和獎牌零的突破。 本次特別賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕,共舉行8個項目的比賽,吸引了來自34個國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐。 其中,來自廣州市工貿技師學院的選手楊書明獲得移動應用開發(fā)項目金牌,成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者?! 碜陨钲诩紟煂W院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術項目、云計算項目金牌,實現(xiàn)我國在這兩個項目上
- 關鍵字: 世界技能大賽 3D 云計算
SK海力士與美國完成協(xié)商,確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備
- SK海力士于10月12日通過聲明表示,公司完成與美國商務部進行協(xié)商,確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此,SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產(chǎn)設備的供應,進而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營。SK海力士表示:“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務部緊密合作,在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?!泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發(fā)布稱,將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
- 關鍵字: SK海力士 DRAM NAND
3d-nand介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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