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3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
SK 海力士新設(shè) AI 芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén),任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官
- 12 月 5 日消息,據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道,SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率,該公司推行“C-Level”管理體系,依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限,業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施(CMO)、未來(lái)技術(shù)研究院(CTO)、研發(fā)(CDO)和生產(chǎn)(CPO)在內(nèi)的五大部門(mén)。據(jù)介紹,新設(shè)的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力,著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
- 關(guān)鍵字: SK海力士 內(nèi)存 NAND
3Q24 NAND Flash營(yíng)收季增4.8%,企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁,消費(fèi)性訂單未復(fù)蘇
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%,但平均銷售單價(jià)(ASP)上漲7%,帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收達(dá)176億美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示,不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在今年第三季出現(xiàn)分化,企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁,推升價(jià)格季增近15%,消費(fèi)級(jí)SSD價(jià)格雖有小幅上漲,但訂單需求較前一季衰退。智能手機(jī)用產(chǎn)品因中國(guó)手機(jī)品牌嚴(yán)守低庫(kù)存策略,訂單大量減少,第三季合約價(jià)幾乎與上季持平。Wafer受零售市場(chǎng)需求疲軟影響,合約價(jià)反
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 企業(yè)級(jí)SSD TrendForce 集邦咨詢
三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量
- 據(jù)韓媒報(bào)道,稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破,在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠(PR)用量,降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱,此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠,而三星通過(guò)精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速(rpm)以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝,現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻膠,通常情況下一次工藝形成1層涂層,而使用更厚的光刻膠,三星可以一次形成多個(gè)層,從而提高工藝效率,但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商,為三星第7代(11微米)和第
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三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線
- 據(jù)韓媒報(bào)道,三星近期將開(kāi)始銷售前端和后端生產(chǎn)線的舊設(shè)備,其中包括位于中國(guó)西安的NAND工廠。報(bào)道稱,三星近期正在半導(dǎo)體部門(mén)(DS)實(shí)施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整,并正在考慮出售其中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。預(yù)計(jì)出售程序?qū)⒂诿髂暾介_(kāi)始,銷售的設(shè)備大部分是100級(jí)3D NAND設(shè)備。自去年以來(lái),三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
- 關(guān)鍵字: 三星 西安 NAND
消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出,0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)
- 10 月 29 日消息,《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示,根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線圖,三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400,而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm(12 納米級(jí))DRAM。報(bào)道表示三星第 10 代(即下代) V-NAND 將被命名為 BV(Bonding Vertical) NAND,這是因?yàn)檫@代產(chǎn)品將調(diào)
- 關(guān)鍵字: 三星 存儲(chǔ) V-NAND
TrendForce:預(yù)計(jì) Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調(diào) 3% 至 8%
- IT之家?10 月 15 日消息,根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查,NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響,wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌,預(yù)期第四季跌幅將擴(kuò)大至 10% 以上。IT之家注意到,模組產(chǎn)品部分,除了 Enterprise SSD 因訂單動(dòng)能支撐,有望于第四季小漲 0% 至 5%;PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預(yù)期,采購(gòu)策略更加保守。TrendForce 預(yù)估,第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現(xiàn)季減 3% 至
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 存儲(chǔ) 市場(chǎng)分析
三星電子開(kāi)發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD
- 三星電子今日宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD。三星新款A(yù)M9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性,成為適配車載應(yīng)用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991,能效提高約50%,順序讀寫(xiě)速度分別高達(dá)4,400MB/s和400MB/s。三星半導(dǎo)體基于第八代V-NAND技術(shù)的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲(chǔ)器事業(yè)部汽車業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Hyunduk Cho表示:“我們正在與全球自動(dòng)駕駛汽車廠商合作,為這些企業(yè)提
- 關(guān)鍵字: 三星電子 V-NAND 車載SSD
三星首款!第八代V-NAND車載SSD發(fā)布:讀取4400MB/s
- 9月24日消息,今日,三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991,AM9C1能效提高約50%,順序讀寫(xiě)速度分別高達(dá)4400MB/s和400MB/s。三星表示,AM9C1能滿足汽車半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q1003的2級(jí)溫度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運(yùn)行。據(jù)介紹,AM9C1采用三星5nm主控,用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式,以此大幅提升讀寫(xiě)速度。其中,讀取速度高達(dá)4700MB/s,寫(xiě)入速度高達(dá)1
- 關(guān)鍵字: 三星電子 NAND PCIe 4.0 車載SSD
2024二季度NAND Flash出貨增長(zhǎng)放緩,AI SSD推動(dòng)營(yíng)收季增14%
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,由于Server(服務(wù)器)終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲,加上AI推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價(jià)格持續(xù)上漲,但因?yàn)镻C和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高,導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價(jià)上漲了15%,總營(yíng)收達(dá)167.96億美元,較前一季增長(zhǎng)了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài),并計(jì)劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能,以滿足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求,但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場(chǎng)表現(xiàn)不佳,
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TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩,AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%
- IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報(bào)告指出,由于服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲,加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高,導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%,平均銷售單價(jià)上漲了 15%,總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠商營(yíng)收情況如下:三星:第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶對(duì)
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 NAND Flash
消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資,目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)
- IT之家 8 月 12 日消息,韓媒 ETNews 報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃,該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心,分為四期。在早前規(guī)劃中,一期為 NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備,但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝,各家的 1c nm(或?qū)?yīng)的 1γ nm)產(chǎn)品目前均尚未正式
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 三星電子
1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來(lái)
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù),為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
存儲(chǔ)亮劍!NAND技術(shù)多點(diǎn)突破
- 人工智能(AI)市場(chǎng)持續(xù)火熱,新興應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí),也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲(chǔ)會(huì)議FMS 2024(the Future of Memory and Storage)舉行,諸多存儲(chǔ)領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對(duì)HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開(kāi)了深度討論,廓清存儲(chǔ)行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。此外,大會(huì)現(xiàn)場(chǎng),NVM Express組織在會(huì)中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范,進(jìn)一步統(tǒng)一存儲(chǔ)架構(gòu)、簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程。另外包括Kioxia
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) NAND TrendForce
為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息,泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示:Lam Cryo 3.0 為(我們的)客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn),而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比(IT之家注:High Aspect R
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 泛林集團(tuán)
消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報(bào)道稱,SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā),計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備,2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法,SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注:從代際發(fā)布間隔
- 關(guān)鍵字: SK海力士 內(nèi)存 NAND
3d-nand介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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