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分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商

  •   市場研究公司IC Insights日前預(yù)計,三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。   基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴(kuò)張計劃,三星的芯片營收將很快超過英特爾,成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為,在5到10年前,三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚,但從1999年到2009年,三星IC營收以13.5%年復(fù)合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長,而英特爾同期的年復(fù)合增長率僅為3.4%。基于此增長速率,IC Insights預(yù)計,三星的芯片銷售額
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中國3D市場三分天下 中日韓企業(yè)競爭激烈

  •   目前,中外企業(yè)瞄準(zhǔn)中國的3D電視市場而競爭激烈。外資企業(yè)在彩電戰(zhàn)略上,首先通過普及LED電視,完成對傳統(tǒng)平板電視的更新,然后通過基于LED的3D電視,實現(xiàn)有別于傳統(tǒng)2D的顯示方式,重新描繪全球彩電業(yè)版圖。   3D電視的推出,徹底顛覆了傳統(tǒng)的平面終端顯示方式,成為提高產(chǎn)業(yè)附加值的有效途徑。3D電視不僅是一個接收終端,更是覆蓋了3D內(nèi)容制作、傳輸、存儲,以及外接設(shè)備的全方位產(chǎn)業(yè)鏈,3D電視的普及意味著當(dāng)前彩電產(chǎn)業(yè)鏈需要整體進(jìn)行切換。盡管3D電視短期內(nèi)很難成為主流,但未來幾年,全球3D電視市場將呈現(xiàn)高速
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全球3D兼容電視普及率明年高達(dá)5成

  •   錸德科技經(jīng)理吳孟翰于8/24出席由經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局主辦、財團(tuán)法人信息工業(yè)策進(jìn)會承辦、光電科技工業(yè)協(xié)進(jìn)會PIDA執(zhí)行的半導(dǎo)體學(xué)院計劃關(guān)于3D技術(shù)演講時指出,3D影像可能會為顯示器產(chǎn)業(yè)帶來第2次影像視覺革命,目前已有許多品牌大廠相繼推出搭載3D BD藍(lán)光技術(shù)的液晶電視、可制作或呈現(xiàn)3D效果畫面的攜帶型消費性電子產(chǎn)品。市場預(yù)期,2011年全球搭載3D兼容電視的出貨量將達(dá)1.2億臺,占整體電視市場普及率將達(dá)50%,2013年普及率更將上看98%。   所謂3D兼容的電視,系指電視本身具備3D畫面顯示技術(shù)條件,包
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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

  •   Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品,目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進(jìn)行評估,預(yù)計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb,為三位元型閃存。   這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制,芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計,一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù),比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。   這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破

  •   據(jù)國外媒體報道,英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片,為達(dá)到最高效率,該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。   首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售,用于SD卡存儲設(shè)備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息,而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息,英特爾宣稱,這種芯片是目前市場上最有效率的。   英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸,在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后,公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
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iSuppli:閃存價格可能會跌到1美元/GB

  •   iSuppli今天警告稱閃存價格可能崩潰性地調(diào)整到1美元/GB,這是因為用于閃存產(chǎn)品的NAND記憶體價格今年開始沖高回落,并且技術(shù)的演變讓內(nèi)存單元的價位開始雪崩。   由于下降的價格,目前看上去過于昂貴的SSD將在兩年時間內(nèi)開始成為主流,而成本低得多的硬盤處理器則開始在高端市場被SSD擠占。   此外,快閃記憶體價格的總體下降對于各種手持設(shè)備是一個極大的利好消息,各種手機(jī)、智能本廠商將會帶來更加豐厚的利潤空間,乃至最后降低產(chǎn)品售價。
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英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片

  •   英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間,還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。   新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息,存儲容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。   兩家公司稱,使用NAND閃存的數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。   兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品,預(yù)計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
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引領(lǐng)3D新紀(jì)元 夏普四色技術(shù)3D新品發(fā)布

  • 2010年8月18日,北京。全球領(lǐng)先的液晶電視制造商夏普(SHARP)正式宣布在中國市場推出搭載多項創(chuàng)新技術(shù)的AQUOS...
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NAND Flash市況兩極 靜待8月底補(bǔ)貨潮

  •   2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年,好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季,8月初合約價卻還是跌不停,存儲器業(yè)者表示,蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁,但零售市場買氣不振,模塊廠拿貨意愿不高,把平均合約價給拉下來,其中,三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果,走貨較順暢,但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高,但又不愿降價,與模塊廠陷入僵局。   近期大陸因為亞運因素,
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3D立體成像技術(shù)分析

  • 3D立體成像技術(shù)其實并不是一個新鮮事物。如果從時間上看,3D立體成像技術(shù)早在上個世紀(jì)中葉就已經(jīng)出現(xiàn),比起現(xiàn)在主流的的液晶、等離子這些平板顯示技術(shù),歷史更加悠久。   那么現(xiàn)在的3D電視,到底使用了哪些方式來實
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海力士開始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

  •   韓國海力士聲稱,在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。   該公司在2月時曾報道擬進(jìn)行20納米級的64Gb的NAND生產(chǎn),采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。   海力士稱它的芯片是26nm的一種,有人稱20nm級產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存,IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行

  •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD),較首季的93億美元(9.29 Billion USD),成長約15%。在 NAND Flash 部分,品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元,較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。   三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠   從市場面觀察,由于第二季 DRAM 合
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Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存

  •   南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片,這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示,升級為2xnm制程節(jié)點后,芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%,芯片的成本也有所降低,智能手機(jī),SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。 ?   Hynix Cheong-ju M11工廠   Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
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U-Boot從NAND Flash啟動的實現(xiàn)

  • 摘要:U-Boot不能從NAND Flash啟動給應(yīng)用帶來些不便,因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路,并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲特點,增加U-
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3D IC趨勢已成 SEMICON Taiwan推出封測專區(qū)

  •   由國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)主辦的臺灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2010),即將于9月8~10日登場,3D IC再度成為年度關(guān)注話題。SEMI將針對3D IC等先進(jìn)封測技術(shù)推出3D IC及先進(jìn)封測專區(qū),并將于3D IC前瞻科技論壇中由日月光、矽品、聯(lián)電、諾基亞(Nokia)、高通(Qualcomm)、應(yīng)用材料(Applied Materials)、惠瑞捷(Verigy)等業(yè)界代表,以及Yole Developpment、IME、SEMATECH、工研院等研究分析機(jī)構(gòu),共同
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3d-nand介紹

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