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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)

邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

  • 過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng)紀錄的37 千兆噸。為應對這一問題，
  • 關鍵字： 202412  GaN  CoolGaN  

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  SiC  電氣工程師  

功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講清瞬態(tài)熱阻曲線的應用。浪涌電流二極管的浪涌電流能力是半導體器件的一個重要參數(shù)。在被動整流應用中，由于電網(wǎng)的頻率是50Hz，因此10ms的二極管電流
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件  瞬態(tài)熱阻  

博世將獲美芯片補貼擴產(chǎn)SiC半導體

  • 據(jù)媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產(chǎn)碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產(chǎn) SiC 芯片，據(jù)估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產(chǎn)能的40%以上。
  • 關鍵字： 博世  碳化硅  功率器件  

羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系

  • 12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當?shù)貢r間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V 氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術與臺積電業(yè)界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優(yōu)勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
  • 關鍵字： 羅姆  臺積電  氮化鎵  功率器件  

功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量

  • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測量原理——R th /Z th 基礎：IEC 60747-9即GB/T 29332半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（等同采用）中描述了測量的基本原理。確定熱阻抗的
  • 關鍵字： 英飛凌  功率器件，瞬態(tài)熱測量  

想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術！

  • 文章 概述本文介紹了 寬帶隙（ GaN ）技術在高壓 LED照明 中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅動器與高電壓GaN晶體管結合，簡化了設計并提高了功率密度。事實證明， 高壓LED照明可以有效地取代高強度放電 (HID
  • 關鍵字： Digikey  LED照明  GaN  

“LiDAR激光雷達”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來安全精準

  • 1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續(xù)擴大，但同時也面臨著嚴重的勞動力短缺問題。越來越多的業(yè)內(nèi)企業(yè)開始考慮引進智慧物流系統(tǒng)，利用AGV（無人搬運車）和AMR（自主移動機器人）等執(zhí)行工作。然而，也有很多企業(yè)擔心安全性和系統(tǒng)管理等方面的問題。實際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術和模塊已經(jīng)逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構建更安全、更安心的智慧物流系統(tǒng)，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽光干擾的激光雷達LiD
  • 關鍵字： 202411  LiDAR  激光雷達  智慧物流  羅姆  激光器  GaN  

全球 33 家 SiC 制造商進展概覽

  • SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴大，并將保持高速增長。
  • 關鍵字： SiC  功率器件  

Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應用而優(yōu)化設計

  • 為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農(nóng)用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
  • 關鍵字： Microchip  IGBT 7  功率器件  

中芯國際：部分邏輯電路產(chǎn)能將轉向功率器件

  • 大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，日前，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，為滿足公司客戶的需求，公司將加速布局功率器件產(chǎn)能，充分支持汽車工業(yè)和新能源市場的發(fā)展。中芯國際將會在此前宣布的邏輯電路產(chǎn)能基礎上，調(diào)轉一部分來做功率器件，不會因為增加功率器件生產(chǎn)而新增產(chǎn)能規(guī)?；蛲顿Y。趙海軍表示，會把原來已有的背面處理、鍵合、邏輯電路等已有工藝能力遷移到功率產(chǎn)品中，這也是之后與客戶合作的方向。
  • 關鍵字： 中芯國際  邏輯電路  功率器件  新能源  

Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉換器

  • Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
  • 關鍵字： Nexperia  AC/DC反激式控制器  GaN  反激式轉換器  

如何在設計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~

  • 如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應用方面優(yōu)勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領域風頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強特性和電子飽和速度，提供出色的低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能，在
  • 關鍵字： Mouser  GaN  

德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

  • 新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，
  • 關鍵字： 德州儀器  氮化鎵  GaN  

三相集成GaN技術如何更大限度地提高電機驅動器的性能

  • 在應對消費類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅動裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應，通過實施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統(tǒng)能效評級體系。變頻驅動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉速，并進行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開關，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效
  • 關鍵字： 202409  三相集成GaN  電機驅動器  GaN  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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