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電子元件老化——電阻和運(yùn)算放大器的老化效應(yīng)

  • 使用溫度計(jì)算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為，以了解電阻器漂移、電阻器穩(wěn)定性和運(yùn)算放大器漂移。之前，我們討論了使用相對(duì)較短的測(cè)試時(shí)間來(lái)評(píng)估電子元件長(zhǎng)期穩(wěn)定性的高溫加速老化方法。在本文中，我們將繼續(xù)討論并研究電阻器和放大器的老化行為。老化預(yù)測(cè)——老化引起的電阻漂移首先，讓我們記住電阻器的值會(huì)隨著時(shí)間而變化。在許多電路中，只需要總的精度，電阻器老化可能不是一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題。然而，某些精密應(yīng)用需要在指定壽命內(nèi)長(zhǎng)期漂移低至百萬(wàn)分之幾的電阻器。因此，開(kāi)發(fā)具有足夠精度的老化預(yù)測(cè)模型以確保所采用的精密
  • 關(guān)鍵字： 電子元件老化，電阻，運(yùn)算放大器，老化效應(yīng)，Arrhenius  

基于Arrhenius模型快速評(píng)價(jià)功率VDMOS可靠性

  • 0 引言　　垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場(chǎng)（VDMOS）效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導(dǎo)體電力器件的代表［1］。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)電流小、動(dòng)態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點(diǎn)。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在
  • 關(guān)鍵字： Arrhenius  VDMOS  模型  可靠性    
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