基于Arrhenius模型快速評價功率VDMOS可靠性
0 引言
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/186470.htm垂直導電雙擴散場(VDMOS)效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導體電力器件的代表[1]。與功率晶體管相比,具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關(guān)速度快、驅(qū)動電流小、動態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在電機調(diào)速、工業(yè)控制、汽車電器等領(lǐng)域。但功率VDMOS的高壓大電流的工作條件使得其功耗及自熱效應(yīng)相當明顯,而溫度的升高又必然會加速微電子器件的退化機理[2-3],對其可靠性造成嚴重影響甚至引起失效,且器件的失效必然會影響整個系統(tǒng)的正常工作,帶來的損失不可估量。因此對功率VDMOS進行可靠性及失效分析顯得尤為重要,國外對功率VDMOS的可靠性[4]進行了初步分析,國內(nèi)也已經(jīng)對GaAs微波場效應(yīng)晶體管[5-6]進行了研究,但對功率VDMOS場效應(yīng)晶體管的可靠性研究特別是其完整的可靠性數(shù)據(jù)和失效機理的研究還比較少。本文采用恒定溫度應(yīng)力加速壽命試驗對功率VDMOS的可靠性進行了研究,得到較為完整的可靠性數(shù)據(jù),并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是柵極擊穿,從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應(yīng)用等方面提供有價值的數(shù)據(jù)。
1 理論
電子器件在正常工作狀態(tài)下,很難在短時間內(nèi)得到有價值的壽命數(shù)據(jù)。本文采用恒定應(yīng)力加速壽命實驗,通過施加溫度應(yīng)力,加速了元器件的參數(shù)退化,縮短了壽命,在短時間內(nèi)得到必要的壽命數(shù)據(jù)。
以溫度為加速應(yīng)力的恒定應(yīng)力加速壽命試驗多采用Arrhenius模型。該模型的阿列尼斯經(jīng)驗公式可以反映電子元器件壽命與溫度之間的物理化學變化過程,即
式中:A為常數(shù);k為玻爾茲曼常數(shù);E為激活能;T為絕對溫度;t為時間。
從式(1)中可以看出,壽命的對數(shù)與絕對溫度的倒數(shù)之間滿足直線方程,因此通過施加幾組溫度應(yīng)力得到元器件在這幾個溫度點上的壽命后,利用這一關(guān)系外推出表征元器件失效機理的激活能E和正常溫度下的元器件壽命。
若試驗中采取不同的溫度應(yīng)力T1、T2,其他條件不變,要產(chǎn)生相同的退化量,所需時間分別為t1、t2,其比即為溫度加速因子τ,則
2 結(jié)溫的確定及試驗
2.1 結(jié)溫的確定
樣管在室溫(27℃)下的結(jié)殼熱阻RJC=1.7℃/W(廠家提供)。樣管偏置條件為VDS=7.5V、IDS=0.8A時,其在室溫(27℃)下的殼溫TC=107℃,由式(3)可得室溫下TJ=117℃,即
式中:TJ為結(jié)溫;RJC為結(jié)殼熱阻;P為功率;Tc為殼溫。
由熱阻定義,利用室溫下的數(shù)據(jù),可以計算得到Rc-a=13.3℃/W,因此ΔTc-a=80℃,故環(huán)境溫度為150、165、180℃時樣管殼溫分別為230、245、260℃,利用式(3)即可得到其對應(yīng)結(jié)溫分別為TJ150℃=240℃、TJ165℃=255℃、TJ180℃=270℃。
2.2 試驗
試驗器件為TO-3封裝的n溝道功率VDMOS場效應(yīng)晶體管。試驗分三組進行,每組試驗樣品數(shù)均為6只,施加溫度分別為150、165、180℃(對應(yīng)結(jié)溫分別為240、255、270℃),試驗時間分別為1058、920、690h,偏置條件為VDS=7.5V、IDS=0.8A;試驗前均對VDMOS場應(yīng)晶體管特性(導通電阻、輸出特性、轉(zhuǎn)移特性)進行初測,測試周期為46h;失效判據(jù)為ΔIDS>初始值20%、ΔRDS>初始值20%、ΔIDSR>初始值20%,以大者為準。
3 試驗結(jié)果與數(shù)據(jù)處理
3.1 參數(shù)退化
試驗測試發(fā)現(xiàn)功率VDMOS的導通電阻、漏源電流、截止漏電流均發(fā)生退化,其結(jié)果見表1~3所示。
由表1~3所示結(jié)果,可以得出IDS退化是功率VDMOS的主要失效模式,因此以IDS的退化作為失效判據(jù)。
3.2 試驗結(jié)果
失效樣管(以3#為例)試驗前后輸出特性曲線對比如圖1所示,溫度應(yīng)力為150℃,柵源電壓為4.2~4.8V時,試驗后(圖中細線)樣管漏源電流較試驗前(圖中圓點粗線)有明顯降低,說明柵極控制能力減弱,柵極可能發(fā)生累積失效。
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