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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術:基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺,X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP,并配備額外的4Kbit EEPROM。此外,從2025年起,X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
- 關鍵字: X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數(shù)據(jù)存儲
X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京,2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
- 關鍵字: X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
華虹半導體拓展電源管理技術平臺 BCD工藝“8+12”齊發(fā)力
- 全球領先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”)近日宣布,其高性能90納米BCD工藝平臺在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線順利實現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積,將在數(shù)字電源、數(shù)字電機驅動、數(shù)字音頻功放等芯片領域獲得廣泛應用。緊貼電源管理技術高集成度和智能化的發(fā)展趨勢,華虹半導體最新推出了90納米BCD工藝平臺,其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段,其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導通電阻,達到業(yè)界先進水平。為了滿足高集成度發(fā)展趨勢,該工藝平
- 關鍵字: BCD 電源管理
硬核技術創(chuàng)新加持,華虹宏力“8+12”特色工藝平臺為智能時代添飛翼
- 中國信通院數(shù)據(jù)顯示,2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部,發(fā)展速度遠超業(yè)界預期。5G商用的加速推進,讓更廣泛的智能時代提前到來,隨之而來的是海量的芯片需求。然而,先進芯片制造工藝雖有巨資投入,卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求,則主要由華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)為首的特色工藝芯片制造企業(yè),基于成熟工藝設備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來滿足。近日,在中國集成電路設計業(yè)2019年會(ICCAD 2
- 關鍵字: RF-SOI BCD
華虹半導體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn),助力LED照明騰飛
- 華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱「集團」)今日宣布,其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺已經(jīng)成功實現(xiàn)量產(chǎn),良率超過98%,達到國際一流水平。該工藝平臺主要針對諸如AC-DC轉換器和LED照明等綠色能源的應用,具有業(yè)內領先的低導通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點,可為客戶提供極具競爭力的單芯片解決方案。目前,已有多家客戶在該平臺量產(chǎn),各項指標均達到或超過客戶要求。 在全球節(jié)能環(huán)保的大趨勢下,LED綠色照明已經(jīng)進入快速發(fā)展期。據(jù)相關機構統(tǒng)計,
- 關鍵字: 華虹半導體 BCD
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