力拚臺(tái)積電押寶3納米GAAFET技術(shù)，三星3年內(nèi)良率成關(guān)鍵

韓國媒體表示，韓國三星計(jì)劃3年內(nèi)創(chuàng)建GAAFET技術(shù)3納米節(jié)點(diǎn)，成為芯片代工業(yè)界的游戲規(guī)則破壞者，追上全球芯片代工龍頭臺(tái)積電。

《BusinessKorea》指出，GAAFET技術(shù)是新時(shí)代制程，改善半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)，使柵極接觸晶體管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技術(shù)生產(chǎn)芯片比FinFET更精確控制電流。

市場研究調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce報(bào)告指出，2021年第四季臺(tái)積電全球芯片代工產(chǎn)業(yè)以高達(dá)52.1%市場占有率狠甩韓國三星，為了追上臺(tái)積電，三星押注GAAFET技術(shù)，并首先用于3納米節(jié)點(diǎn)，6月開始試產(chǎn)，成為全球首家采用GAAFET技術(shù)的芯片代工廠。三星資料顯示，與5納米制程相較，GAAFET技術(shù)3納米制程性能提高15%，能耗降低30%，芯片面積減少35%。

三星近期試產(chǎn)GAAFET技術(shù)3納米制程后，接下來是2023年導(dǎo)入第二代3納米制程芯片量產(chǎn)，并2025年量產(chǎn)GAAFET技術(shù)2納米制程。反觀臺(tái)積電，下半年量產(chǎn)采用FinFET技術(shù)3納米節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電沿用FinFET技術(shù)的原因是成本與穩(wěn)定性。

韓國市場人士表示，如果三星GAAFET為主3納米制程確保良率，就能成為代工市場的游戲規(guī)則破壞者。加上臺(tái)積電日前公布2025年才會(huì)導(dǎo)入GAAFET技術(shù)2納米制程，2026年左右發(fā)布第一款產(chǎn)品，從2022年底到2025年3年，對(duì)三星芯片代工業(yè)務(wù)來說非常關(guān)鍵。

近日三星宣布五年內(nèi)投資半導(dǎo)體等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)總計(jì)450兆韓元，卻面臨3納米制程障礙。與三星相同的是，臺(tái)積電提高3納米良率也有困難，原本計(jì)劃7月開始為英特爾和蘋果量產(chǎn)3納米芯片，GPU大廠英偉達(dá)也支付高達(dá)90億美元預(yù)付款，采臺(tái)積電3納米生產(chǎn)今年發(fā)布的GeForce RTX40系列GPU，但良率問題，GeForce RTX40系列GPU最后采5納米而非3納米。

報(bào)引導(dǎo)用臺(tái)灣媒體指出，臺(tái)積電難確保3納米預(yù)期良率，多次修改技術(shù)路線。不過臺(tái)積電狀況三星也有一樣遭遇。雖然三星宣稱3納米準(zhǔn)備試產(chǎn)，但良率還是過低，一直延后量產(chǎn)進(jìn)程。韓國市場分析師表示，除非三星為7納米或更先進(jìn)制程技術(shù)取得更多客戶，否則可能加劇投資者對(duì)三星業(yè)績的信心不足。