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聯(lián)發(fā)科攻中高端 10納米Helio X30、X35連發(fā)

  •   聯(lián)發(fā)科為擴(kuò)大產(chǎn)品線覆蓋范圍,繼首顆10奈米晶片“X30”依計(jì)畫今年底、明年初就會(huì)量產(chǎn),全力搶攻高階市場(chǎng),考慮再推出同樣采用10奈米制程的“X35”,擴(kuò)大滿足中高階市場(chǎng)需求。   聯(lián)發(fā)科早已是臺(tái)積電首批10奈米客戶之一,市場(chǎng)最近傳出,聯(lián)發(fā)科內(nèi)部評(píng)估加開(kāi)一顆降規(guī)格版的10奈米晶片曦力(Helio)“X35”,法人認(rèn)為,這將有利拉高代工廠臺(tái)積電的10奈米產(chǎn)能利用率。   聯(lián)發(fā)科積極卡位高階市場(chǎng),原規(guī)畫今年推出一到兩顆16奈米和一顆1
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聯(lián)發(fā)科Helio X35細(xì)節(jié)曝光:采用10nm工藝

  •   據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,芯片廠商聯(lián)發(fā)科將在明年推出Helio X30。與此同時(shí)為了提高10nm工藝產(chǎn)能,聯(lián)發(fā)科也希望同樣采用10nm制程工藝來(lái)研制Helio X35。這種策略和之前發(fā)布的Helio X25和X20非常相似,這也是為了滿足更多中高端智能手機(jī)需求。   聯(lián)發(fā)科Helio X35細(xì)節(jié)曝光:采用10nm工藝(圖片來(lái)自于谷歌)   此前,聯(lián)發(fā)科COO朱尚祖曾透露Helio X30將采用臺(tái)積電10nm工藝,基帶支持3載波聚合,Cat.10-Cat.12的全網(wǎng)通,GPU方案拋棄了ARM Mali,而是來(lái)
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