聯(lián)發(fā)科Helio X35細(xì)節(jié)曝光:采用10nm工藝
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,芯片廠商聯(lián)發(fā)科將在明年推出Helio X30。與此同時(shí)為了提高10nm工藝產(chǎn)能,聯(lián)發(fā)科也希望同樣采用10nm制程工藝來研制Helio X35。這種策略和之前發(fā)布的Helio X25和X20非常相似,這也是為了滿足更多中高端智能手機(jī)需求。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201609/297183.htm聯(lián)發(fā)科Helio X35細(xì)節(jié)曝光:采用10nm工藝(圖片來自于谷歌)
此前,聯(lián)發(fā)科COO朱尚祖曾透露Helio X30將采用臺(tái)積電10nm工藝,基帶支持3載波聚合,Cat.10-Cat.12的全網(wǎng)通,GPU方案拋棄了ARM Mali,而是來自imagination的PowerVR。
至于其余方面的信息,根據(jù)之前曝光的情況來看,Helio X30仍然沿用2*A72+4*A75+4*A35的十核架構(gòu)。其中,兩枚A72將直奔2.8GHz,A53以及A35的主頻也將直接提升到2.2GHz以及2.0GHz。同時(shí),Helio X30將支持最高8GB的LPDDR4閃存,支持UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)。
目前仍然沒有具體的Helio X35架構(gòu)信息,不過按照之前X20與X25的關(guān)系來看,新版Helio X35與X30在架構(gòu)上應(yīng)該沒有區(qū)別,但是在主頻方面可能會(huì)繼續(xù)提升,以便在性能上拉開差距。
評(píng)論