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ESD保護(hù)元件的對比分析及大電流性能鑒定

在人們的日常工作生活中，靜電放電(ESD)現(xiàn)象可謂無處不在，瞬間產(chǎn)生的上升時(shí)間低于納秒(ns)、持續(xù)時(shí)間可達(dá)數(shù)百納秒且高達(dá)數(shù)十安培的電流，會(huì)對手機(jī)、筆記本電腦等電子系統(tǒng)造成損傷。　　對于電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而言，如果沒有采取適當(dāng)?shù)腅SD保護(hù)措施，所設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品就會(huì)有遭到損傷的可能。因此，電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)重要課題便是確保使其能夠承受ESD的沖擊，并繼續(xù)正常工作。　　ESD保護(hù)方法　　為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小
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安森美半導(dǎo)體推出新的超低電容靜電放電(ESD)保護(hù)器件系列

安森美半導(dǎo)體推出新的超低電容靜電放電(ESD)保護(hù)器件系列的首款產(chǎn)品。新的ESD9L是一款單線ESD保護(hù)器件，提供0.5皮法(pF)電容和業(yè)界領(lǐng)先的低鉗位電壓。這元件采用適合ESD保護(hù)應(yīng)用的業(yè)內(nèi)最小封裝，非常適用于手機(jī)、MP3播放器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和數(shù)碼相機(jī)等便攜應(yīng)用的高速數(shù)據(jù)線路保護(hù)。隨著更新的集成電路(IC)技術(shù)使用的幾何尺寸越來越小和工作電壓越來越低，不斷更新?lián)Q代的便攜產(chǎn)品對ES
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小接口大問題:開發(fā)HDMI值得關(guān)注的熱點(diǎn)概念

HDMI助力我們獲得干凈、簡潔、清晰的數(shù)字體驗(yàn)，該標(biāo)準(zhǔn)已在全球消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域迅速普及，各種具有HDMI接口的產(chǎn)品開始出現(xiàn)在我們身邊。而對于設(shè)計(jì)者來說，選擇器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品，并最終通過兼容性測試，進(jìn)而成功進(jìn)入市場才是關(guān)注焦點(diǎn)。在開發(fā)帶HDMI接口產(chǎn)品的過程中，如何在海量數(shù)據(jù)中看清各項(xiàng)參數(shù)，為自己產(chǎn)品選擇合適的器件，并合理利用多種預(yù)測試、最快通過授權(quán)認(rèn)證中心的測試、有經(jīng)濟(jì)效益的選擇附加認(rèn)證，是HDMI工作組開發(fā)人員的一個(gè)關(guān)鍵目標(biāo)。集成高性能防靜電保護(hù)，噱頭還是必須？保護(hù)像HDMI等高速數(shù)據(jù)端口
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飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV 的ESD (HBM) 電壓保護(hù)，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機(jī)) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝，這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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PulseGuard ESD抑制器在便攜式設(shè)備中的應(yīng)用

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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淺析ESD防護(hù)與ESD防護(hù)器件

　　日常生活中，ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對于我們來說是一種常見的現(xiàn)象，然而對電子產(chǎn)品而言，ESD往往是致命的——它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此，ESD防護(hù)一直以來都是工程師們的工作重點(diǎn)。對于剛開始職業(yè)生涯的電子工程師而言，在掌握專業(yè)技能之前通常都要接受一些ESD相關(guān)知識(shí)的培訓(xùn)，足見ESD防護(hù)的地位與重要性。　圖1 電子顯微鏡下IC內(nèi)部損毀的照片　　一般，ESD保護(hù)一般通過
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恩智浦有最高水平ESD保護(hù)功能的超薄EMI濾波器

4月25日訊,恩智浦半導(dǎo)體 (由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司) 日前推出突破性的 EMI 濾波器，它具有業(yè)界最高的 ESD 保護(hù)水平--可擔(dān)負(fù)正負(fù)三萬伏的接觸電壓；該濾波器采用了恩智浦獲獎(jiǎng)的超薄無鉛封裝 (UTLP)。IP4253 和 IP4254 以 0.5mm 的高度和 0.4mm 的焊點(diǎn)間距置身當(dāng)前市場上最薄的 EMI 濾波器行列。
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Vishay推出采用LLP1713封裝的8二極管ESD保護(hù)陣列

　　Vishay推出在超小型無鉛 LLP1713 封裝中整合了八個(gè)二極管的ESD 保護(hù)陣列。　　憑借 0.55mm 的超薄厚度，VESD05A8A-HNH在提供 ESD 保護(hù)的同時(shí)可節(jié)省面向移動(dòng)計(jì)算、移動(dòng)通信、消費(fèi)類、工業(yè)、汽車及醫(yī)療應(yīng)用的便攜式電子設(shè)備中的板面空間。　　這種新型器件可在雙向非對稱 (BiAs) 模式下保護(hù)八條信號(hào)或數(shù)據(jù)線，并且還可在雙向?qū)ΨQ (BiSy) 模式下作為七線保護(hù)器件。該 ESD 二極管陣列具有 30pF 的低典型電容，以及在 5V 時(shí)不到 1uA 的低最大漏電電流。
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掌握ESD保護(hù)技巧，提高電子產(chǎn)品可靠性

　　電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中必須遵循抗靜電釋放(ESD)的設(shè)計(jì)規(guī)則，因?yàn)榇蠖鄶?shù)電子產(chǎn)品在生命周期內(nèi)99%的時(shí)間都會(huì)處于一個(gè)ESD環(huán)境中，ESD干擾會(huì)導(dǎo)致設(shè)備鎖死、復(fù)位、數(shù)據(jù)丟失或可靠性下降。在ESD的破壞中，靜電會(huì)對I/O端口造成毀滅性損害，有可能造成數(shù)據(jù)位重影、產(chǎn)品損壞直至造成電子設(shè)備“硬故障”或元器件損壞。所以工程師需要考慮設(shè)計(jì)中的ESD問題并掌握解決之道。　　　　電子工程專輯網(wǎng)站邀請安森美半導(dǎo)體集成電源器件部亞太區(qū)市場策略經(jīng)理吳錦嘉賓，主持了有關(guān)《便攜式和USB應(yīng)用中的ESD保護(hù)》的網(wǎng)上專題研討，以幫助工程
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Linear推出具可通斷終止電阻±25kV ESD 3.3V RS485收發(fā)器

　　Linear推出兩個(gè)新的 RS485 收發(fā)器系列，這兩個(gè)系列的器件用于采用 3.3V 的電源系統(tǒng)。LTC2854/LTC2855 RS485 收發(fā)器集成了可通斷終止電阻，而 LTC2850/LTC2851/ LTC2852 可提供工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)管腳引出線，支持 20Mbps 的最高數(shù)據(jù)速率。增強(qiáng)的 ESD 保護(hù)允許 LTC2854 的接口引腳在承受高達(dá)&nbs
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NXP推出適用于最高分辨率筆記本電腦和電視顯示器的 ESD 保護(hù)芯片

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）推出適用于最高分辨率筆記本電腦和電視顯示器的 ESD 保護(hù)芯片全集成 VGA 接口芯片支持 UXGA 個(gè)人電腦和 1080p 電視分辨率恩智浦半導(dǎo)體（前身為飛利浦半導(dǎo)體），推出最新系列靜電放電（ESD）保護(hù)芯片，該系列芯片支持下一代 UXGA 個(gè)人電腦和 1080p 電視分辨率，可廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、主板、電視機(jī)、VGA
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使用新技巧設(shè)計(jì)PCB時(shí)抗靜電放電的方法

在pcb板的設(shè)計(jì)當(dāng)中，可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。...
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TVS器件信息設(shè)備ESD防護(hù)中的應(yīng)用

引言隨著電子信息技術(shù)的迅速發(fā)展，當(dāng)前半導(dǎo)體器件日益趨向小型化、高密度和多功能化，特別是像時(shí)尚消費(fèi)電子和便攜式產(chǎn)品等對主板面積要求比較嚴(yán)格的應(yīng)用，很容易受到靜電放電(ESD)的影響。電路保護(hù)元件的選擇根據(jù)所要保護(hù)的布線情況、可用的電路板空間以及被保護(hù)電路的電特性來決定。因?yàn)槔孟冗M(jìn)工藝技術(shù)制造的IC電路里氧化層比較薄，柵極氧化層更易受到損害。而且一些采用深亞微米工藝和甚精細(xì)線寬布線的復(fù)雜半導(dǎo)體功能電路，對電路瞬變過程的影響更加敏感，這將導(dǎo)致上述問題加重。因此要求保護(hù)器件必須具備低箝位電壓以提供有效的ESD
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飛兆半導(dǎo)體µSerDes™產(chǎn)品具有ESD保護(hù)

　飛兆半導(dǎo)體公司宣布推出基于 µSerDes™ 技術(shù)的重要強(qiáng)化產(chǎn)品FIN224AC。與備受歡迎的前代產(chǎn)品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面積和基礎(chǔ)架構(gòu)，但卻提供增強(qiáng)的靜電放電 (ESD) 保護(hù)功能并能降低EMI。對任何手持式電子產(chǎn)品而言，ESD損害都是重要的考慮問題。飛兆半導(dǎo)體將FIN24AC的8kV ESD保護(hù)性能提升至 FIN224AC的15kV ESD，因而解決了這一難題。另一項(xiàng)改進(jìn)
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EFT/ESD問題的測量和定位

大部分電子產(chǎn)品需要通過電快速瞬變脈沖群（EFT）（根據(jù)IEC61000-4-4）和靜電放電（ESD）(根據(jù)IEC61000-4-2)等項(xiàng)目的標(biāo)準(zhǔn)測試。EFT和ESD是兩種典型的突發(fā)干擾，EFT信號(hào)單脈沖的峰值電壓可高達(dá)4kV，上升沿5ns。接觸放電測試時(shí)的ESD信號(hào)的峰值電壓可高達(dá)8kV，上升時(shí)間小于1ns。這兩種突發(fā)干擾，都具有突發(fā)、高壓、寬頻等特征。在進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)的EFT/ESD測試時(shí)，把干擾脈沖從設(shè)備外部耦合到內(nèi)部，同時(shí)監(jiān)視設(shè)備的工作狀態(tài)。如果設(shè)備沒有通過這些標(biāo)準(zhǔn)的測試，測試本身幾乎不能提
關(guān)鍵字： EFT/ESD 測量測試