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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

賽普拉斯宣布其觸摸屏控制器的產(chǎn)能將擴(kuò)充三倍

  • 　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，將大幅提高其快速增長的TrueTouch觸摸屏控制器的產(chǎn)能。賽普拉斯位于明尼蘇達(dá)州布魯明頓市的四號工廠及其主要的代工伙伴宏力半導(dǎo)體公司將在2010年的基礎(chǔ)上，將2011年的S8工藝線產(chǎn)能提高三倍。擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃已排上日程，首批擴(kuò)充產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2011年第一季度即可投產(chǎn)，全部擴(kuò)充計(jì)劃預(yù)計(jì)在2011年第三季度完成。 　　除了TrueTouch產(chǎn)品，賽普拉斯還將在S8工藝線上生產(chǎn)其PSoC 3 和 PSoC 5、CapSense 和NVSRAM產(chǎn)品。賽普拉斯的S8工藝基于0.13-微米
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采用噪聲消除技術(shù)的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設(shè)計(jì)

  • 本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設(shè)計(jì)了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對電路的輸入匹配和增益進(jìn)行了分析,對噪聲消除技術(shù)進(jìn)行了推導(dǎo)。仿真結(jié)果表明,該放大器在工作頻帶內(nèi)的各項(xiàng)指標(biāo)滿足超寬帶系統(tǒng)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  GHz  LNA  噪聲消除    

瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

  • 　　瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。　
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  DRAM  CMOS  

基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設(shè)計(jì)

  • D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計(jì)數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨(dú)特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路，對脈沖信號的寬度進(jìn)行識別
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采用協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)方案

  • 什么是CMOS數(shù)碼相機(jī)？對于最終用戶而言，采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機(jī)與傳統(tǒng)相機(jī)沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里？傳統(tǒng)相機(jī)需要使用一個(gè)35毫
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索尼向東芝買回工廠 CMOS傳感器產(chǎn)量擬倍增

  • 　　索尼 (Sony)計(jì)劃以 500 億日元 (5.972 億美元) 價(jià)格，向東芝 (Toshiba)買回一座半導(dǎo)體工廠，好讓用于智能型手機(jī)及其他設(shè)備的影像傳感器 (image sensor) 產(chǎn)能大增一倍。 　　報(bào)導(dǎo)指出，索尼于 2008 年，將該座位于日本長崎的工廠賣給東芝。如今買回，將用以加強(qiáng)其 CMOS 傳感器業(yè)務(wù)，使其影像傳感器產(chǎn)量，倍增至相當(dāng)于每月 4 萬顆晶圓。 　　報(bào)導(dǎo)補(bǔ)充，索尼盼藉由增加產(chǎn)量及降低生產(chǎn)成本，好在 CMOS 影像傳感器的市場，追趕上南韓的三星 (Samsung)及其他美
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一種基于CMOS工藝的電荷泵鎖相環(huán)芯片的設(shè)計(jì)

  • 隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展與成熟，CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點(diǎn)使得采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。
  • 關(guān)鍵字： 芯片  設(shè)計(jì)  相環(huán)  電荷  CMOS  工藝  基于  

硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

  • 　　“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。 　　
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基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅(qū)動電路設(shè)計(jì)

  • Verilog HDL語言是IEEE標(biāo)準(zhǔn)的用于邏輯設(shè)計(jì)的硬件描述語言，具有廣泛的邏輯綜合工具支持，簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器，給出使用Verilog HDL語言設(shè)計(jì)的邏輯驅(qū)動電路和仿真結(jié)果。
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江陰全力打造新傳感器產(chǎn)業(yè)園區(qū)

  • 　　新傳感器產(chǎn)業(yè)作為近兩年來逐漸升溫的新興產(chǎn)業(yè)之一，不斷吸引著各方的眼球。作為信息通信產(chǎn)業(yè)的前沿領(lǐng)域和最新方向，新傳感器產(chǎn)業(yè)是“感知中國”、“智慧地球”的基石，在當(dāng)前更被賦予了全新內(nèi)涵，蘊(yùn)藏著巨大機(jī)遇。在搶抓發(fā)展的大潮中，敢為人先的江陰人當(dāng)然不會放過這一極好的發(fā)展良機(jī)。 　　
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基于Zigbee的CMOS無線射頻芯片的設(shè)計(jì)考慮

  • 本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標(biāo)準(zhǔn)，RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應(yīng)用規(guī)范)為例，介紹超低功率CMOS無線射頻芯片的設(shè)計(jì)概要，從電路設(shè)計(jì)到系統(tǒng)觀點(diǎn)，說明芯片設(shè)計(jì)和應(yīng)用過程中需要考
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Silicon Laboratories推出業(yè)界最具頻率彈性可在線編程CMOS時(shí)鐘發(fā)生器

  • 　　高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)今日發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線編程的CMOS時(shí)鐘發(fā)生器。新推出的8路時(shí)鐘發(fā)生器Si5350/51內(nèi)置壓控石英晶體振蕩器(VCXO)，能以單一時(shí)鐘IC取代傳統(tǒng)的多器件鎖相環(huán)(PLL)解決方案，與其他時(shí)鐘產(chǎn)品相比，Si5350/51可提供兩倍的頻率彈性，且可分別降低70%的抖動和30%的功耗。
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如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS

  • 如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS　　說明　　這是一種小型獨(dú)立報(bào)警電路的選擇。每個(gè)警報(bào)的主要特點(diǎn)是線路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機(jī)電流。因此，他們非常適合電池供電。每個(gè)電路對將打印出一張A4紙。
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如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報(bào)警器

  • 　如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報(bào)警器　　說明　　這是一個(gè)區(qū)域報(bào)警 - 自動出入和警笛截止定時(shí)器。這將容納所有的常閉輸入設(shè)備一般類型 - 例如磁簧觸點(diǎn) - 鋁箔膠帶 - PIRs等，但它很容易添加一個(gè)常開觸發(fā)。示意圖　　當(dāng)
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如何建立一個(gè)更簡單的CMOS單防區(qū)報(bào)警

  • 　如何建立一個(gè)更簡單的CMOS單防區(qū)報(bào)警器說明　　這是一個(gè)簡單的單區(qū)防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動出入境延誤和定時(shí)貝爾/警報(bào)器停產(chǎn)。它的設(shè)計(jì)是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用，例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動開關(guān)
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cmos digital image sensor介紹

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