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一種12位50 MS/s CMOS流水線A/D轉(zhuǎn)換器

  • 摘要:采用TSMC 0.18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計了一個12位50 MS/s流水線A/D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗,該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能,去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路,采用時間常數(shù)匹配
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思比科微電子籌備上市:已完成股份制改造

  •   7月10日,北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露,公司已于去年12月完成公司股份制改造,現(xiàn)已進(jìn)入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
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APTINA榮獲成像技術(shù)創(chuàng)新大獎

  • CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎。
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Silicon Labs廣播收音機(jī)IC出貨量突破十億顆

  •   高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機(jī)IC出貨量已達(dá)十億顆,締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機(jī)芯片廣泛應(yīng)用于手機(jī)、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導(dǎo)航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機(jī)、便攜式收音機(jī)、音響和許多其他消費電子產(chǎn)品。   Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機(jī)IC,Si4700 IC重構(gòu)了消
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CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗

  • 目前,包括移動設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭,而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種:CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補(bǔ)
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“寬動態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控攝像機(jī)標(biāo)配

  • 寬動態(tài)攝像機(jī)作為攝像機(jī)一個非常重要的分支,在明暗反差太大、光線來源單一的場合,發(fā)揮了重要的作用。寬動...
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CMOS振蕩器設(shè)計

  • 1 引言   集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝,在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
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標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣,納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣,人們對納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù),抓住創(chuàng)造巨大財 富的機(jī)遇,但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù),催生很多新的研究領(lǐng)域,但是也可能對那些不了解
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高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來,本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù),能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)(FTCE)的高k柵晶體管的本征(無俘獲)性能進(jìn)行特征分析。 先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展        近年來,高介電常數(shù)(高k)材料,例如鉿氧化物(HfO2)、鋯氧化物(ZrO2)、氧化鋁(Al2O3)以及
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SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

  •   SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗,同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布,富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。   
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

  • ?????? 6月9日,應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器,強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù),均能提供150毫安(mA)的輸出電流。   NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA),輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
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0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

  • 基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
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一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計

  • 摘要:設(shè)計了一種寬帶軌對軌運(yùn)算放大器,此運(yùn)算放大器在3.3 V單電源下供電,采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實現(xiàn)輸入級總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù),采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
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雙眼勝過單目:大陸集團(tuán)新推立體攝像機(jī)

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cmos digital image sensor介紹

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