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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos finfet

基于協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機方案

  • 什么是CMOS數(shù)碼相機?對于最終用戶而言，采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機與傳統(tǒng)相機沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統(tǒng)相機需要使用一個35毫米
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Cortex-A50的希望：14nm ARM成功流片

  • 　　電子設(shè)計企業(yè)Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。 　　 ? 　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議 　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議，共同開發(fā)14nm以及更先進的半導(dǎo)體工藝，14nm芯片和生態(tài)系統(tǒng)就是三方合作的一個重要里程碑。 　　這次的試驗芯片主要是用來對14nm工藝設(shè)計IP的
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基于MC34152和CMOS的軟開關(guān)變換器驅(qū)動電路設(shè)計

  • 在高頻PWM開關(guān)變換器中，為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作，要設(shè)計可靠的柵極驅(qū)動電路。一個性能良 ...
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高精度CMOS帶隙基準源的設(shè)計

  • 引言　　模擬電路中廣泛地包含電壓基準(reference voltage)和電流基準(current reference)。在數(shù)/模轉(zhuǎn)換器 ...
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意法與奧迪攜手共同推進汽車半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

  • 全球知名汽車廠商奧迪(Audi)與橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā)先進半導(dǎo)體解決方案，推進汽車電子技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展。意法半導(dǎo)體自1987年成立以來始終專注于汽車電子技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新。
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基于CMOS振蕩器技術(shù)的硅頻率控制

  • 摘要：高精度、低噪聲和低功耗的無晶體固態(tài)振蕩器技術(shù)讓頻率控制器件可以通過常見的 CMOS 技術(shù)被移植到最低成本的架構(gòu)中。盡管其固有的 Q LC tank 較低，但創(chuàng)新的設(shè)計達到了與業(yè)界標準晶體或MEMS振蕩器相媲美的性能。該白皮書詳細地描述了創(chuàng)新的技術(shù)打破石英占領(lǐng)多年市場的局面。
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CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

  • 隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加，有阻開路和有阻橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時，隨著器件密度、復(fù)雜性和時鐘速度的增加，邏輯測試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補傳統(tǒng)測試方法的不足，基于靜
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MAX1471 低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器

  • MAX1471是一款低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器，用于接收幅移鍵控(ASK)與頻移鍵控(FSK)數(shù)據(jù)，而不需要重 ...
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一種新穎啟動方式的CMOS低功耗電流源

  • 1引言電流源是模擬、數(shù)字集成電路中重要的單元[1][2]。電流源的性能直接影響電路及系統(tǒng)的性能。...
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高線性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

  • 引言本文采用plusmn;5V電源，設(shè)計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的
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富士通半導(dǎo)體展示超高速短距離數(shù)據(jù)傳輸

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)已經(jīng)證明可以通過CEI-28G-VSR接口進行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸，從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項研究成果驗證了在利用為長距離光傳輸系統(tǒng)所開發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后，短距離電信號傳輸所能達到的數(shù)據(jù)速率。
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用CMOS集成電路制作一個感應(yīng)驗電器

  • 利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點，可以自制一個感應(yīng)式驗電器?！　　　、電路原 ...
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臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

  • 　　臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。 　　臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對晶片設(shè)計人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。 　　臺積電的目標提前在
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?

  •  　　日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關(guān)問題進行了解讀。 　　XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 　　Noonen表示：“201
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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計二

  • 3 仿真分析及具體設(shè)計結(jié)果　　3.1 仿真分析　　在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測 ...
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