cmos“ 文章進(jìn)入cmos“技術(shù)社區(qū)

基于單片機(jī)的低成本CMOS圖像采集系統(tǒng)

　　在很多場合，由于客觀條件限制，人們不可能進(jìn)入現(xiàn)場進(jìn)行直接觀察，只能用適應(yīng)性更強(qiáng)的電子圖像設(shè)備來代替完成，在此背景下發(fā)展起來的圖像技術(shù)成為人們關(guān)注的熱點應(yīng)用技術(shù)之一，它以直觀、信息內(nèi)容豐富而被廣泛應(yīng)用于許多場合。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中實現(xiàn)圖像采集，必須要考慮物聯(lián)網(wǎng)的以下特點：　　(1)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點對價格敏感。　　物聯(lián)網(wǎng)是信息傳感技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用，傳感節(jié)點數(shù)目成百上千，若每個節(jié)點的成本提高一點，整個物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的成本就會提高很多。所以傳感節(jié)點圖像采集的成本應(yīng)盡量低。　　(2)大部分物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對圖像質(zhì)量要求
關(guān)鍵字：單片機(jī) CMOS

MIT開發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng)　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng)，而且由于不采用運動機(jī)件將更為耐用，其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外，其優(yōu)點之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。　　據(jù)IEEESpectrum報導(dǎo)，光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測的技術(shù)，雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度，因為光線波長比無線電波長小10萬倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測量在3D空間內(nèi)的每一個畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。　　光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測量
關(guān)鍵字： MIT CMOS

MIT開發(fā)全新光達(dá)系統(tǒng)　可投入CMOS進(jìn)行芯片量產(chǎn)

　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)日前開發(fā)出比目前市面上光達(dá)(LiDAR)更輕薄與低成本的光達(dá)系統(tǒng)，而且由于不采用運動機(jī)件將更為耐用，其非機(jī)械式光束操控速度更比目前機(jī)械光達(dá)系統(tǒng)快上1,000倍。另外，其優(yōu)點之一是可利用現(xiàn)有CMOS設(shè)備量產(chǎn)。　　據(jù)IEEE Spectrum報導(dǎo)，光達(dá)是利用雷射光進(jìn)行感測的技術(shù)，雖類似雷達(dá)但卻可獲得更高解析度，因為光線波長比無線電波長小10萬倍。光達(dá)系統(tǒng)借由測量在3D空間內(nèi)的每一個畫素離發(fā)光元件的距離以及畫素方向來形成全3D世界模型。　　光達(dá)系統(tǒng)基本操作方式是傳輸光束并測
關(guān)鍵字： MIT CMOS

設(shè)計原則：單片機(jī)硬件系統(tǒng)擴(kuò)展外設(shè)

每天新產(chǎn)品時刻新體驗一站式電子數(shù)碼采購中心專業(yè)PCB打樣工廠，24小時加
關(guān)鍵字： ROM PCB CMOS

TTL和CMOS電平的特點、使用方式

　　1，TTL電平(什么是TTL電平)：　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4v。在室溫下，一般輸出高電平是3.5v，輸出低電平是0.2v。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8v，噪聲容限是0.4v。< p=""> 　　特點：　　1.CMOS是場效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作　　3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗
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關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平

　　本文主要介紹了一下關(guān)于TTL電平、CMOS電平、RS232電平的知識要點，希望對你的學(xué)習(xí)有所幫助。　　一、TTL電平：　　TTL 電平信號被利用的最多是因為通常數(shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價于邏輯“1”，0V等價于邏輯“0”，這被稱做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統(tǒng)，這是計算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。　　TTL 電平信號對于計算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的
關(guān)鍵字： TTL CMOS

CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理方法

　　一、CMOS門電路　　CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法：　　1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
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【E問E答】CMOS和TTL集成門電路多余輸入端如何處理？

CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作？一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法： 1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能
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汽車圖像傳感器在提高行車安全和駕乘體驗方面的應(yīng)用

　　近年來，在政府對汽車安全法令的貫徹和實施、消費者駕乘體驗及自動駕駛的趨勢推動下，汽車圖像傳感器領(lǐng)域呈爆發(fā)式增長。汽車圖像傳感有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，具有卓越性能和先進(jìn)的圖像處理能力的圖像傳感器在提高行車安全的同時還提升用戶駕乘體驗，成為近年來汽車領(lǐng)域的炙手可熱的技術(shù)。預(yù)測顯示，2014-2018年間汽車CMOS 傳感器市場的收入年復(fù)合增長率(CAGR)將達(dá)到28%。　　汽車圖像傳感器主要應(yīng)用領(lǐng)域　　汽車圖像傳感器的應(yīng)用非常廣泛，包括用于視覺應(yīng)用如倒車影像、前視、后視、俯視、全景泊車影像、車
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索尼仍是CMOS感光元件市場絕對領(lǐng)導(dǎo)者

　　對于消費者而言，智能手機(jī)的拍照能力依然是決定購買的重要因素之一，這也使得手機(jī)攝像頭元件制作成為目前一個重要且快速增長的產(chǎn)業(yè)。在未來5年里，CMOS感光元件產(chǎn)業(yè)的價值將達(dá)到190億美元。而就目前而言，索尼依然是CMOS感光元件市場的絕對領(lǐng)導(dǎo)者。　　根據(jù)調(diào)查統(tǒng)計，CMOS感光元件市場在2015年總市值達(dá)到67億美元，而單單索尼就控制著其中35%的市場份額(36億美元)。而其余的競爭者都無法撼動索尼的地位，不管是三星(19%)、OmniVision、On Semiconductor、佳能、東芝還是松下。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

　　在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。　　比利時研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。　　28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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Sony暗示iPhone相機(jī)模組被LG搶單？坦承錯估CMOS需求

　　Sony 24日盤后公布了因熊本強(qiáng)震影響而一度擱置的今年度(2016年度、2016年4月-2017年3月)財測，而熊本強(qiáng)震雖對Sony營益帶來1,150億日圓的影響，不過Sony仍預(yù)估今年度營益有望呈現(xiàn)增長，也帶動Sony 25日股價大漲?！　「鶕?jù)嘉實XQ全球贏家系統(tǒng)報價，截至臺北時間25日上午8點18分為止，Sony飆漲5.47%至3,044日圓，稍早最高漲至3,058日圓、創(chuàng)4月21日以來新高水準(zhǔn)?！　〔贿^全球智能手機(jī)成長減速，也對Sony核心事業(yè)之一的元件事業(yè)帶來沖擊，Sony也坦承嚴(yán)重錯估了使
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CCD與CMOS技術(shù)，我們居然還有這么多不知道

　　在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展，不僅由新的影像感測器技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)所推動，還由支援平臺的進(jìn)步所推動，如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天，成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見，如配線檢查、交通監(jiān)測/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像，由于影像感測器技術(shù)的進(jìn)步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計，審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測器很有幫助?！　‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，諾貝爾獎得主Boyle和Smit
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如何提高抗干擾能力和電磁兼容性

　　在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法?！　∫弧⑾旅娴囊恍┫到y(tǒng)要特別注意抗電磁干擾：　　1、微控制器時鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)?！　?、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開關(guān)等?！　?、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)?！　《?、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：　　1、選用頻率低的微控制器：　　選用外時鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
關(guān)鍵字：電磁兼容 CMOS