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聯(lián)華電子TSV技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)階段,驅(qū)動(dòng)AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能
- 聯(lián)華電子今(20)日宣布,用于AMD旗艦級(jí)繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù),已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段,此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採(cǎi)用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù),在硅中介層上融合 連結(jié) AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU,使其GPU能提供4096 位元的超強(qiáng)記憶體頻寬,及遠(yuǎn)超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)達(dá)4倍的每瓦性能
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三維圖像指紋傳感器問(wèn)世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前,加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器,可以獲取指紋的三維圖像,這將大大提升指紋識(shí)別的安全性。指紋傳感器越來(lái)越被廣泛的應(yīng)用在智能手機(jī)等設(shè)備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能,比傳統(tǒng)的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識(shí)別是通過(guò)傳感器提取的二維圖像,可以通過(guò)打印指紋圖案來(lái)繞過(guò)指紋認(rèn)證。三維圖像的提取無(wú)疑將進(jìn)一步提高指紋識(shí)別的準(zhǔn)確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機(jī)領(lǐng)域獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋果發(fā)布iPhone5s后指紋
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三維圖像指紋傳感器問(wèn)世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前,加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器,可以獲取指紋的三維圖像,這將大大提升指紋識(shí)別的安全性。指紋傳感器越來(lái)越被廣泛的應(yīng)用在智能手機(jī)等設(shè)備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能,比傳統(tǒng)的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識(shí)別是通過(guò)傳感器提取的二維圖像,可以通過(guò)打印指紋圖案來(lái)繞過(guò)指紋認(rèn)證。三維圖像的提取無(wú)疑將進(jìn)一步提高指紋識(shí)別的準(zhǔn)確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機(jī)領(lǐng)域獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋果發(fā)布iPhone5s后指紋
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豪威“中國(guó)化”對(duì)圖像傳感器行業(yè)有何影響?
- 2015年對(duì)CMOS圖像傳感器(CIS:CMOS Image Sensor)行業(yè)來(lái)說(shuō),是變動(dòng)比較大的一年。Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱Yole)的報(bào)告《2015年CMOS圖像傳感器行業(yè)動(dòng)向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示,CIS市場(chǎng)今年將達(dá)到100億美元。另外,索尼為支撐自己的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和業(yè)績(jī)出色的蘋果產(chǎn)品戰(zhàn)略而實(shí)施的產(chǎn)能投資收到成效,獲得三分之一以上的市場(chǎng)份額,有在整個(gè)智能手機(jī)行業(yè)獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷之勢(shì)。 而索尼的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)
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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設(shè)計(jì)
- 當(dāng)前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主,隨著CMOS工藝及電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展,微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高,通過(guò)采用專項(xiàng)技術(shù),微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能,揭開了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應(yīng)用的序幕。隨著對(duì)微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入,在不遠(yuǎn)的未來(lái),微光CMOS圖像傳感器的性能將達(dá)到夜視應(yīng)用要求,在微光器件領(lǐng)域占據(jù)重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分,它的基本功能是將探測(cè)器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號(hào)處理電路
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風(fēng)雨欲來(lái),CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現(xiàn)
- CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng),未來(lái)則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升,預(yù)期2014~2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%??春么艘簧虣C(jī),中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開技術(shù)布局,期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色,眾家廠商為卡位新商機(jī),可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出,智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗,但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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CMOS影像傳感器市場(chǎng)釀重整,汽車/醫(yī)療/安全監(jiān)控新商機(jī)浮現(xiàn)
- CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng),未來(lái)則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升,預(yù)期2014~2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%??春么艘簧虣C(jī),中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開技術(shù)布局,期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色,眾家廠商為卡位新商機(jī),可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出,智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗,但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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“中芯國(guó)際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝
- 近日,中國(guó)內(nèi)地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國(guó)際集成電路制造有限公司,與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應(yīng)商華為、微電子研究中心之一比利時(shí)微電子研究中心(imec)、國(guó)際無(wú)晶圓半導(dǎo)體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約,宣布共同投資中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司,開發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。 中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國(guó)際控股,華為、imec、Qualcomm各占
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IBM以標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法,不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率,包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程技術(shù)來(lái)達(dá)成以上目標(biāo)。 上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù),現(xiàn)在該公司有另一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法,采用標(biāo)準(zhǔn)塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。 IBMResearch先進(jìn)功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
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有關(guān)混合信號(hào)的技術(shù)方案及應(yīng)用文獻(xiàn),包括示波器、信號(hào)調(diào)節(jié)器等
- 混合信號(hào),一種說(shuō)法是未來(lái)的系統(tǒng)將是大型的混合信號(hào)系統(tǒng),它所占的比例將會(huì)增加一倍,從目前的33%到2005年的66%;另一種說(shuō)法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片,將來(lái)的ASICs會(huì)用到多達(dá)一千五百萬(wàn)個(gè)邏輯們,而類比和混合信號(hào)電路將會(huì)被留在晶片之外。 RF和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué) 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)混合信號(hào)IC不是件易事,尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨(dú)立的模擬和分立IC市場(chǎng),是因?yàn)槟M與數(shù)字IC相結(jié)合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過(guò)程。模擬和RF設(shè)計(jì)一直被認(rèn)為是&l
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展,模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件,由于其較低的導(dǎo)通電阻,極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性,受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能,低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻,可以通過(guò)采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法,可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來(lái)一些不必要的寄生效應(yīng),比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號(hào)會(huì)通過(guò)電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出,在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字: CMOS 模擬開關(guān)
NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場(chǎng)?
- 美國(guó)記憶體技術(shù)開發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資,并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory,NRAM;或稱Nano-RAM),已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場(chǎng)上的儲(chǔ)存級(jí)記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金,可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長(zhǎng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國(guó)版編輯電話訪問(wèn)時(shí)表示,NRAM是以碳奈
- 關(guān)鍵字: NRAM,CMOS
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)cmos“的理解,并與今后在此搜索cmos“的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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