首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cxl dram

美光 1-gamma 制程內(nèi)存預計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調(diào)，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術領域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
  • 關鍵字： 三星  12納米  DDR5  DRAM  

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

  • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
  • 關鍵字： 3D DRAM  泛林  

DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進展

  • 高啟全是全球 DRAM 領域最資深的人士之一。
  • 關鍵字： DRAM  

三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲產(chǎn)品價格有望迎來拐點。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門業(yè)績低迷，負責人雙雙被換

  • IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現(xiàn)低迷、強化代工業(yè)務的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術開發(fā)部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時，負責存儲半導體中 DRAM 開發(fā)的部門負責人也被更換，由原本擔任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對 HB
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

CXL是什么？它是如何工作的？

  • 高帶寬互連徹底改變了以數(shù)據(jù)為中心的計算。
  • 關鍵字： CXL  

DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價格可望回穩(wěn)？

  • 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國臺灣媒體《中時新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預期第三季產(chǎn)品價格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關鍵元件，未來各種消費型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
  • 關鍵字： DRAM  TrendForce  

韓媒：三星已組建開發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM

  • 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導體研究中心內(nèi)組建了一個開發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節(jié)點的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術，據(jù)說工藝難點頗多。不過三星認為，與SK海力士和美
  • 關鍵字： 三星  4F2結構  DRAM  

不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團隊開發(fā) 4F2 DRAM

  • IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專業(yè)的團隊，負責開發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現(xiàn)有的 6F2 級別，在不改變工藝節(jié)點的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團隊，研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個季度衰退

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價格跌幅仍深，預期營收成長幅度有限。營收方面，三大原廠營收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價（ASP）同步下跌，營收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
  • 關鍵字： DRAM  TrendForce  

英特爾發(fā)布首款具有PCIe5.0和CXL功能的FPGA

  • 當?shù)貢r間5月22日，英特爾可編程解決方案事業(yè)部宣布，符合量產(chǎn)要求的英特爾Agilex?7 R-tile正在批量交付。該設備是首款具備PCIe 5.0和CXL功能的FPGA，同時這款FPGA亦是唯一一款擁有支持上述接口所需的硬化知識產(chǎn)權（IP）的產(chǎn)品。英特爾表示，面對時間、預算和功耗所帶來的限制，包括數(shù)據(jù)中心、電信和金融服務在內(nèi)的各行業(yè)組織都將FPGA視為靈活、可編程的，以及高效的解決方案。使用Agilex 7 R-Tile，客戶可以將FPGA與諸如第四代英特爾至強可擴展處理器等進行無縫銜接，并通過
  • 關鍵字： 英特爾  PCIe5.0  CXL  FPGA  

需求好轉？兩家存儲廠商部分應用領域出現(xiàn)急單

  • 受消費電子市場需求疲弱影響，存儲產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”，加上今年一季度為市場淡季，供過于求關系下，產(chǎn)業(yè)庫存高企。第二季度存儲產(chǎn)業(yè)市況如何？未來是否將有所好轉？近期，南亞科、華邦電兩家存儲廠商對此進行了回應。南亞科：庫存逐步去化，部分應用領域已出現(xiàn)急單近期，媒體報道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點，在需求與供應端改善下，庫存正逐步去化，預期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應用領域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應用需求趨勢，南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術推進上，20納米產(chǎn)品
  • 關鍵字： 存儲廠商  DRAM  

存儲進入筑底階段？

  • 伴隨存儲芯片價格筑底，關于半導體周期拐點將臨近的討論越來越熱。
  • 關鍵字： 存儲芯片  DRAM  

三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

  • 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術，三星業(yè)內(nèi)先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
  • 關鍵字： 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  
共1839條 6/123 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

cxl dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cxl dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cxl dram的理解，并與今后在此搜索cxl dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473