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芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)

  • 　　本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。　　1β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！　∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！　∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  內(nèi)存芯片  光刻機(jī)  EUV  

機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年服務(wù)器 DRAM 需求將達(dá)到 684.86 億 GB，首次超過(guò)移動(dòng)設(shè)備

  • 11 月 2 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，受電子消費(fèi)品續(xù)期下滑影響，當(dāng)前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)并不樂(lè)觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價(jià)格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲(chǔ)芯片制造商的業(yè)績(jī)，也受到了影響。雖然存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)整體的狀況并不樂(lè)觀，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長(zhǎng)。研究機(jī)構(gòu)在最新的報(bào)告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長(zhǎng)，在今年有望首次超過(guò)智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備對(duì) DRAM 的需求。研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中預(yù)計(jì)，今年全球服務(wù)器對(duì) DRAM 的需求，會(huì)達(dá)到 684.86 億 GB，智能手機(jī)、平板
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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨

  • 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機(jī)制造商和芯片組運(yùn)送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過(guò)世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實(shí)現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲(chǔ)存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

  • 2022年11月2日——中國(guó)上?！獌?nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺(tái)合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應(yīng)用，基于1β節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升

  • IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實(shí)現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過(guò) 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消
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SK海力士：未研究過(guò)“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃

  • 近日，SK海力士考慮“撤出中國(guó)”、“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對(duì)此，SK海力士于10月26日就中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)上，針對(duì)由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導(dǎo)致中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國(guó)工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場(chǎng)回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對(duì)美國(guó)對(duì)芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高

  • 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過(guò)驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過(guò)優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境，三星超過(guò)了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運(yùn)行速度，夯實(shí)了在內(nèi)存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運(yùn)行速度作為十多年來(lái)全球移動(dòng)內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)的推動(dòng)者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費(fèi)者能夠在移動(dòng)設(shè)備上體驗(yàn)更為強(qiáng)大的計(jì)算性能。憑借低功
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SK海力士與美國(guó)完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國(guó)工廠供應(yīng)設(shè)備

  • SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國(guó)商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內(nèi)不獲取個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來(lái)一年內(nèi)不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國(guó)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國(guó)持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國(guó)政府及美國(guó)商務(wù)部緊密合作，在遵循國(guó)際原則的前提下為保障中國(guó)工廠的運(yùn)營(yíng)盡最大的努力?！泵绹?guó)商務(wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國(guó)生產(chǎn)18納米以下
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TrendForce：存儲(chǔ)器廠聚焦CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)充器產(chǎn)品

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務(wù)器相關(guān)報(bào)告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認(rèn)為
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)

  • 芯片已經(jīng)無(wú)處不在：從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。創(chuàng)建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無(wú)法在所需厚度下實(shí)現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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庫(kù)存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購(gòu)，導(dǎo)致供貨商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格續(xù)跌13％～18％。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫(kù)存，而DRAM供應(yīng)端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫(kù)存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
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Astera Labs面向CXL附加內(nèi)存擴(kuò)展和池化應(yīng)用的Leo Memory Connectivity Platform進(jìn)入預(yù)量產(chǎn)階段

  • 中國(guó)，北京 - 2022年9月1日-智能系統(tǒng)專用連接解決方案企業(yè)Astera Labs今日宣布已開始向客戶和戰(zhàn)略合作伙伴提供Leo Memory Connectivity Platform預(yù)量產(chǎn)樣品，平臺(tái)可支持Compute Express Link? (CXL?) 1.1和2.0，實(shí)現(xiàn)云服務(wù)器的安全性、可靠性以及高性能內(nèi)存擴(kuò)展和池化。在對(duì)Leo智能內(nèi)存控制器 (Smart Memory Controllers)與業(yè)界先進(jìn)的CPU/GPU平臺(tái)以及DRAM內(nèi)存模塊在各種實(shí)際工作負(fù)載上成功進(jìn)行端到端互操作性測(cè)
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集邦：明年DRAM需求位成長(zhǎng)8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(zhǎng)

  • 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(zhǎng)僅8.3％，是歷年來(lái)首度低于10％，遠(yuǎn)低于供給位成長(zhǎng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢(shì)下仍相當(dāng)嚴(yán)峻，價(jià)格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求，但價(jià)格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類應(yīng)用來(lái)看，高通膨持續(xù)沖擊消費(fèi)市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫(kù)存是品牌的首要目標(biāo)，尤其前兩年面對(duì)疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機(jī)庫(kù)存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，
  • 關(guān)鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

美光車規(guī)級(jí)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗(yàn)

  • 全球汽車內(nèi)存領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級(jí)高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應(yīng)用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實(shí)現(xiàn)最高L4級(jí)自動(dòng)駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級(jí)LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶提供出色的娛樂(lè)和用
  • 關(guān)鍵字： 美光  智能座艙  DRAM  UFS  ADAS  域控制器  車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)  

DRAM 內(nèi)存加速降價(jià)，6 月報(bào)價(jià)環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低

  • IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片之一的 DRAM 正在加速降價(jià)，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個(gè)月下跌。指標(biāo)產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價(jià)環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來(lái)新低。從作為指標(biāo)的 8GB DDR4 內(nèi)存來(lái)看，6 月報(bào)價(jià)約 2.7 美元每個(gè)，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個(gè)，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來(lái)的最低水平。分析師認(rèn)為，PC 和智能手機(jī)的
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