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賽靈思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

電源設(shè)計技巧:DDR內(nèi)存電源

  • CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源...
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電源設(shè)計小貼士 41:DDR 內(nèi)存電源

  • CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源電壓也隨之降低,從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度,允許系統(tǒng)時鐘頻
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深入研究DDR電源

  • DDR存儲器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計算機、服務器或游戲系統(tǒng))的應用中都要求 ...
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使用Xilinx的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 目前廣泛使用的計算機內(nèi)存芯片是DDR(雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
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使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB,在生成控制模塊時設(shè)置不同參數(shù),可以輕而易舉的實現(xiàn)對不同型號的DDR存儲芯片的測試,數(shù)據(jù)率可高達800Mb/s以上。由于時間利用率比使用計算機主板測試DDR芯片高得多,所以可以極大地節(jié)約測試時間。
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計,摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法。
    關(guān)鍵詞:DDR NAN
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DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應用

  • 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進行處理和分析,研究人員們把重點更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A/D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn),已經(jīng)可以實現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理,則
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DDR測試技術(shù)與工具

  • DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存,如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應用領(lǐng)域滲透。孰不知,隨著iPhone等大牌智能手機的采納,DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一,例如韓國
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DRAM內(nèi)存迎來價格反彈期

  •   臺灣南亞科技2月16日表示,今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價增長幅度至少達到5%,并以此開啟增長勢頭。此前他們預計DRAM芯片價格最早在一季度開始恢復增長。   
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DDR信號測量方法及信號完整性驗證面臨的挑戰(zhàn)與建議

  • 1. DDR概述  如今,存儲器件在計算機、汽車與消費電子產(chǎn)品上可謂無所不在。其中DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器)是最常用的存儲器設(shè)計技術(shù)之一,而隨著該技術(shù)的發(fā)展,其傳輸速率在日益加快,功耗在日益
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基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究與設(shè)計

  • 1內(nèi)存條的工作原理DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成,DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機...
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基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制

  • 摘要:隨著數(shù)據(jù)存儲量的日益加大以及存儲速度的加快,大容量的高速存儲變得越來越重要。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲又能滿足讀寫速度快的要求,這樣使得對內(nèi)存條控制的應用越來越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原
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Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口

  • Cyclone II如何實現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復雜度的情況下要想增強系統(tǒng)性能,改善數(shù)據(jù)位寬是一個有效的手段。通常來說,可以把系統(tǒng)頻率擴大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的,因為它們會增加
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用高帶寬混合信號示波器進行DDR驗證和調(diào)試的技巧

  • DDR存儲器,也稱雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器,常用于高級嵌入式電路系統(tǒng)的設(shè)計,包括計算機、交通運輸、家庭娛樂系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備和消費類電子產(chǎn)品。 DDR的廣泛采用也推動著DDR存儲器自身的研發(fā),在DDR 1和DDR
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ddr介紹

 DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存   嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM,人們習慣稱為DDR,部分初學者也常看到DDR SDRAM,就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SD [ 查看詳細 ]

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