ddr 文章進(jìn)入ddr技術(shù)社區(qū)

DRAM價(jià)格跌至新低分析師稱還可能進(jìn)一步下滑

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來(lái)自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競(jìng)爭(zhēng)使得內(nèi)存價(jià)格猛跌，行業(yè)分析師預(yù)測(cè)，DRAM價(jià)格還將進(jìn)一步下降。使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價(jià)格已比兩周前下跌了12.5%，周二時(shí)跌至1.75美元，創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運(yùn)營(yíng)一家對(duì)內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。這條重大新聞將對(duì)用戶產(chǎn)生三個(gè)重大影響：第一，DRAM價(jià)格下跌將增加惠普和戴爾這類(lèi)電腦制
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DDR內(nèi)存接口的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

針對(duì)當(dāng)今電子系統(tǒng)對(duì)高速大容量?jī)?nèi)存的需要，本文闡述了使用DDR控制器IP核來(lái)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存接口的方法。
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丹納赫傳動(dòng)宣布專利Cartridge DDR現(xiàn)有五種不同框架尺寸供應(yīng)

2007年6月8日，全球領(lǐng)先的運(yùn)動(dòng)控制解決方案提供商——丹納赫傳動(dòng)（Danaher Motion）公司宣布，其創(chuàng)新的Cartridge DDR™系列直接驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)伺服電機(jī)（CDDR）新添三種小框架的新產(chǎn)品，因此，現(xiàn)共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機(jī)供應(yīng)，每種尺寸各有四個(gè)鐵心長(zhǎng)度。CDDR是直接驅(qū)動(dòng)技術(shù)中非常特別的一種，其特點(diǎn)在于采用預(yù)制零部件、完整的工廠對(duì)準(zhǔn)型高分辨率反饋裝置和獨(dú)特的無(wú)軸承設(shè)計(jì)，確?？梢栽?0分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)即裝即用，且沒(méi)有維護(hù)成本。
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低成本DDR內(nèi)存電源設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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采用FPGA IP實(shí)現(xiàn)DDR的讀寫(xiě)控制的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

摘要：本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫(xiě)控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實(shí)際測(cè)試。關(guān)鍵詞：嵌入式系統(tǒng)；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，數(shù)字信號(hào)處理的規(guī)模也越來(lái)越大，系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加，比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域，圖像處理的實(shí)時(shí)性對(duì)RAM帶寬的要求不斷增加，傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無(wú)法滿足應(yīng)用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時(shí)鐘CL
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減少DDR記憶體驗(yàn)負(fù)載的探測(cè)技術(shù)

　　DDR內(nèi)存已成為系統(tǒng)DRAM的主要技術(shù)，而DDR系統(tǒng)的驗(yàn)證則是新的數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)最具挑戰(zhàn)性且費(fèi)時(shí)的工作之一。邏輯分析儀是協(xié)助工程師驗(yàn)證這些系統(tǒng)的重要工具，但在成本與空間的限制下，邏輯分析儀探測(cè)技術(shù)變成了一個(gè)值得深思的問(wèn)題。　　理想上，DDR的可測(cè)試性應(yīng)成為最終設(shè)計(jì)的一部份，以利于在測(cè)試臺(tái)進(jìn)行系統(tǒng)的驗(yàn)證，因?yàn)樵谡麄€(gè)產(chǎn)品生命周期中的工程設(shè)計(jì)與委外代工都會(huì)增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測(cè)點(diǎn)的電氣負(fù)載與空間需求，這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測(cè)技術(shù)使DDR可測(cè)試性得以結(jié)合到產(chǎn)品的最初與最終
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端接DDR DRAM的電源電路

DDR（雙數(shù)據(jù)速率）DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)中。存儲(chǔ)器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時(shí)，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲(chǔ)器系統(tǒng)提供終端電壓，并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個(gè)降壓控制器和2個(gè)線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
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存儲(chǔ)器類(lèi)型綜述及DDR接口設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)

電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師很少考慮他們下一個(gè)設(shè)計(jì)中元器件的成本，而更關(guān)注它們能夠達(dá)到的最高性能。
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可以消除開(kāi)關(guān)噪聲的DDR內(nèi)存系統(tǒng)電源

本設(shè)計(jì)介紹了一種應(yīng)用于DDR內(nèi)存系統(tǒng)的獨(dú)特、低成本的電源電路。常規(guī)DDR內(nèi)存系統(tǒng)包括一個(gè)雙反向轉(zhuǎn)換器和一個(gè)輸出參考電壓。與常規(guī)設(shè)計(jì)不同，本文用線性調(diào)節(jié)器代替反向轉(zhuǎn)換器，見(jiàn)圖1，具有消除PWM轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)噪聲的優(yōu)點(diǎn)。DDR內(nèi)存系統(tǒng)要求穩(wěn)定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收電流，，這些要求給電源設(shè)計(jì)者帶來(lái)新挑戰(zhàn)。本電路中，低壓同步反向器產(chǎn)生8A，2.5V的主電源VDD輸出，VTT和VREF通過(guò)運(yùn)放的線性調(diào)節(jié)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。電路專門(mén)為低功耗DDR系統(tǒng)(如p
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ddr介紹

　DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存　　嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也常看到DDR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě)，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]