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閃存出錯(cuò):軟件錯(cuò)誤還是電源電壓故障(上)?

  • 答案:兩個(gè)都是!閃存通常用于存儲(chǔ)嵌入式系統(tǒng)的固件。有時(shí)候,在某些系統(tǒng)的閃存中存儲(chǔ)的固件意外出錯(cuò),導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法在上電后正常啟動(dòng)。閃存出錯(cuò)通常與軟件錯(cuò)誤有關(guān)。然而,工程師們也普遍認(rèn)同電源循環(huán)測(cè)試或者裕度測(cè)試增加了閃存出錯(cuò)的可能性。當(dāng)板上使用復(fù)雜的ASIC或SoC越多,閃存出錯(cuò)的問(wèn)題就會(huì)更嚴(yán)重。
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將芯片互連方式從導(dǎo)線連接改為倒裝連接,可擴(kuò)大DDR應(yīng)用的帶寬

  • 雙數(shù)據(jù)速率(DDR)接口在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿傳送數(shù)據(jù),這種方法已經(jīng)用來(lái)實(shí)現(xiàn)DDR、SDRAM、微處理器前端總線、Ultra-3 SCSI、AGP總線等的通信鏈路。在每個(gè)周期中,數(shù)據(jù)在時(shí)鐘的上升沿和下降沿采樣,最高數(shù)據(jù)傳輸速率一般是時(shí)鐘頻率的2倍。
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安捷倫推出業(yè)界最高性能的混合信號(hào)示波器

  • 安捷倫科技公司(NYSE:A)日前宣布為其屢獲殊榮的 Infiniium 90000 X 系列示波器增添業(yè)界最高性能的混合信號(hào)示波器(MSO)功能。安捷倫不但推出了 6 種最新 MSO 型號(hào),同時(shí)發(fā)布了13-GHz 帶寬的DSO 和 DSA 型號(hào),進(jìn)一步擴(kuò)展了 X 系列示波器。
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平板亮點(diǎn)-幀像技術(shù)全接觸

  • “幀像”技術(shù)是康佳平板電視在圖象顯示領(lǐng)域的革命性突破,“幀像”技術(shù)的基本原理是在刷新頻率為120HZ的屏幕...
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針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)

  • 摘要   本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在設(shè)計(jì)印制線路板(PCB)時(shí),考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng),這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù),特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù),其中
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用Xilinx FPGA實(shí)現(xiàn)DDR SDRAM控制器

  • 1 引言在高速信號(hào)處理系統(tǒng)中, 需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù), 存儲(chǔ)器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器, 它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來(lái)完成高速操作。SDR SDRAM一個(gè)時(shí)鐘周
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基于FPGA 的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中

  • 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲(chǔ)是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計(jì)采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了對(duì)DDR SDRAM 的控制,以狀態(tài)機(jī)來(lái)描述對(duì)DDR SDRAM 的各種時(shí)序操作,設(shè)計(jì)了DDR SDRAM 的數(shù)據(jù)與命令接口。用控
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DDR測(cè)試系列之一――力科DDR2測(cè)試解決方案

  • DDR2簡(jiǎn)介從1998年的PC100到今天的DDR3,內(nèi)存技術(shù)同CPU前端總線一道經(jīng)歷著速度的提升及帶寬的擴(kuò)展。雖然DDR3在當(dāng)今已經(jīng)量產(chǎn)與使用,DDR2在實(shí)際上還擔(dān)任著內(nèi)存業(yè)界應(yīng)用最廣泛最成熟的中流砥柱的角色。DDR2在DDR的基礎(chǔ)上
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DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析

  • DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存,如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知,隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納,DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一,例如韓國(guó)
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工程師經(jīng)驗(yàn):78%的硬件失效罪魁禍?zhǔn)住附訂?wèn)題

  • 你是否長(zhǎng)時(shí)間糾纏于線路板的失效分析?你是否花費(fèi)大量精力在樣板調(diào)試過(guò)程中?你是否懷疑過(guò)自己的原本正確的...
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Cyclone II實(shí)現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法

  • Cyclone II實(shí)現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能,改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō),可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的,因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
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DDR-1500/DSC-2200在高性能測(cè)試測(cè)量中的應(yīng)用

  • GE智能平臺(tái)的DDR-1500高性能測(cè)試測(cè)量采集分析系統(tǒng)就是利用高精度的AD及DA卡和功能強(qiáng)大的在線配制、分析、存貯、回放軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能測(cè)試測(cè)量。在測(cè)試測(cè)量過(guò)程中及時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集或波形輸出。在持續(xù)在線動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)情況
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Enpirion最新轉(zhuǎn)換器突破傳統(tǒng)DDR電源解決方案

  •   業(yè)界最小負(fù)載點(diǎn)直流—直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)先創(chuàng)新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲(chǔ)器終端電源的電源集成電路 (IC) 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 終端轉(zhuǎn)換器,最高效率達(dá)到 96%——比傳統(tǒng) LDO(低壓差)穩(wěn)壓器解決方案省電 1.4 瓦,同時(shí)擁有低成本、小尺寸的優(yōu)點(diǎn)。早在產(chǎn)品的官方版本發(fā)布之前,客戶就開(kāi)始享受 EV1320 帶來(lái)的好處了——許多應(yīng)用都配置了該裝置,包括 ul
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汽車音響導(dǎo)航系統(tǒng)中DDR高速信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)

  • 在以往汽車音響的系統(tǒng)設(shè)計(jì)當(dāng)中, 一塊PCB上的最高時(shí)鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了,而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時(shí)鐘頻率超過(guò)100MHz,有的甚至達(dá)到了GHz數(shù)量級(jí)。為此,傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)動(dòng)的串行式設(shè)計(jì)方法已經(jīng)不能滿足今天的設(shè)計(jì)要
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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 在高速信號(hào)處理系統(tǒng)中,需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù),存儲(chǔ)器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器,它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來(lái)完成高速操作。DDR SDRAM一個(gè)時(shí)鐘周期只能傳輸一個(gè)數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù),因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下,DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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ddr介紹

 DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存   嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,部分初學(xué)者也??吹紻DR SDRAM,就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]

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