ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌:凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ?
- 據(jù)IDC預(yù)測,2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲(chǔ)器市場2017年的存儲(chǔ)器市場可以用火熱來形容,三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人,SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營收頭把交椅。整體來說,2017年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比2016年成長22.2%,達(dá)4197.2億美元,存儲(chǔ)器的
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器、NAND、DRAM
全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來大牛市 內(nèi)存將連漲7個(gè)季度
- 最近的疫情危機(jī)給全球大多數(shù)電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影,智能手機(jī)Q1季度會(huì)是暴跌50%。不過內(nèi)存廠商現(xiàn)在可以輕松下了,Q1季度開始就進(jìn)入全球牛市,預(yù)計(jì)會(huì)連漲七個(gè)季度,也就是2020年底才可能穩(wěn)下來。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后,這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒影響,但是全球存儲(chǔ)芯片的市場依然像是打了雞血,內(nèi)存及SSD硬盤的現(xiàn)貨價(jià)應(yīng)聲而起,1月份就漲價(jià)高達(dá)30%。那這一波內(nèi)存漲價(jià)要持續(xù)多久呢?UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報(bào)告評估了內(nèi)存市場的發(fā)展趨勢,他認(rèn)為內(nèi)存漲價(jià)將持續(xù)至少7個(gè)
- 關(guān)鍵字: DRAM、內(nèi)存
美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片
- 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
- 關(guān)鍵字: 美光科技 DDR5 DRAM 芯片
內(nèi)存和存儲(chǔ)的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案
- Raj Talluri? (美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部 高級副總裁兼總經(jīng)理) 1 內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)哪些應(yīng)用或技術(shù)熱點(diǎn) 數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲(chǔ)的需求,而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲(chǔ)的最大需求來源?! ≡谝苿?dòng)領(lǐng)域,基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長,智能手機(jī)比以往需要更大的 DRAM , 以 支持計(jì)算攝影、面部識(shí)別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷,美光認(rèn)為2020年,智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120 GB的NAND?! ∨c此同時(shí),5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對DRAM和N
- 關(guān)鍵字: 202002 內(nèi)存 DRAM AI
2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析
- 張明花(集邦咨詢顧問(深圳)有限公司 編輯,深圳 518000) 摘? 要:預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%,這個(gè)數(shù)字在年成長動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo),資本支出也會(huì)減少?! £P(guān)鍵詞:內(nèi)存;DRAM;三星;SK海力士;美光 觀察全球內(nèi)存(DRAM)市場供需格局以及價(jià)格走勢,在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調(diào)整后,2019年第4季 度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài),即便2020年 第1季度DRAM的
- 關(guān)鍵字: 202002 內(nèi)存 DRAM 三星 SK海力士 美光
美光出樣DDR5內(nèi)存:1Znm工藝、性能提升85%
- 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存,但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前,2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低,起步頻率至少4800MHz,最高6400MHz。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
- 關(guān)鍵字: 美光 內(nèi)存 DDR5
儒卓力與愛普科技簽署全球分銷協(xié)議
- 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國臺(tái)灣證券交易所上市企業(yè),全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商愛普科技簽署全球分銷協(xié)議。這項(xiàng)分銷協(xié)議涵蓋了愛普科技的全部產(chǎn)品,并且已經(jīng)生效。根據(jù)此分銷合作關(guān)系協(xié)議,儒卓力是愛普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場的獨(dú)家分銷商。愛普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲(chǔ)解決方案,重點(diǎn)產(chǎn)品則是具有低引腳數(shù)的超低功耗IoT RAM和具有長壽命支持的標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場,存儲(chǔ)器是系統(tǒng)性
- 關(guān)鍵字: RAM DRAM
日韓決裂,半導(dǎo)體誰最受傷?
- 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時(shí)間,此次出口限制可謂是對韓國企業(yè)的一次“偷襲”!此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
- 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 半導(dǎo)體 光刻 DRAM
美光推出面向移動(dòng)應(yīng)用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存
- 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶,它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量,從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了美光為當(dāng)前和下一代
- 關(guān)鍵字: LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)
日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢,長期須關(guān)注原廠庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長,短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn),集邦咨詢分析指出,因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑,下游
- 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND
ddr5 dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473