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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr5 dram

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng)，中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額

  • 　　近日國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告，報(bào)告顯示，中國(guó)前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長(zhǎng)至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國(guó)公司和國(guó)內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng)，中國(guó)將在2020年的晶圓廠投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！　?014年中國(guó)成立大基金以來(lái)，促進(jìn)了中國(guó)集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長(zhǎng)，目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國(guó)家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國(guó)正在進(jìn)行或計(jì)劃開展25個(gè)新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，代工廠、DRAM和3D
  • 關(guān)鍵字： 晶圓  DRAM  3D NAND  

今年全球半導(dǎo)體支出將首次突破1000億美元，內(nèi)存投資繼續(xù)瘋狂

  • 　　IC Insights預(yù)測(cè)，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額首次超過(guò)1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長(zhǎng)了9%，比2016年增長(zhǎng)了38%。預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器IC占2018年半導(dǎo)體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長(zhǎng)?！　∪鐖D所示，超過(guò)一半的行業(yè)資本支出預(yù)計(jì)用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn)，包括對(duì)現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制作設(shè)施的升級(jí)。總的來(lái)說(shuō)，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%，達(dá)到
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  

全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國(guó)大陸無(wú)一上榜

  • 　　8月20日，研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過(guò)遺憾的是，中國(guó)大陸暫時(shí)沒(méi)有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺(tái)積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長(zhǎng)，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

集邦咨詢：DRAM價(jià)格已近高點(diǎn)

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng)，DRAM總營(yíng)收較上季成長(zhǎng)11.3%，再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動(dòng)價(jià)格有15%顯著上漲外，其余各應(yīng)用類別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右?！　≌雇谌緝r(jià)格走勢(shì)，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠已陸續(xù)在七月份議定合約價(jià)格。就一線大廠定價(jià)來(lái)看，均價(jià)已來(lái)到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
  • 關(guān)鍵字： DRAM  美光  

新一輪手機(jī)漲價(jià)潮，供應(yīng)鏈和新技術(shù)要“背鍋”

  • 智能手機(jī)的漲價(jià)潮已然是一種普遍現(xiàn)象，Galaxy Note 9的定價(jià)邏輯或許只是新一輪漲價(jià)潮的開始，曾經(jīng)標(biāo)售1999元的旗艦機(jī)早已漸行漸遠(yuǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 手機(jī)  DRAM  

第三季利基型DRAM價(jià)格持平，DDR3具成本優(yōu)勢(shì)短期仍為主流

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價(jià)，價(jià)格大致和6月相同。展望第三季，預(yù)期DDR4利基型內(nèi)存報(bào)價(jià)水平將較接近主流標(biāo)準(zhǔn)型與服務(wù)器內(nèi)存，因原廠可透過(guò)封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu)，報(bào)價(jià)預(yù)期沒(méi)有明顯變動(dòng)。整體而言，第三季利基型內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)預(yù)估將持平?！　DR3具成本優(yōu)勢(shì)，短期仍為利基型記內(nèi)存主流　　就產(chǎn)品應(yīng)用種類觀察，首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺(tái)。不過(guò)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  

閃存降價(jià)利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時(shí)

  • 　　幾年前突然“大火”的存儲(chǔ)行情，給業(yè)界帶來(lái)的極大的沖擊。在 PC 市場(chǎng)衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價(jià)內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機(jī)升級(jí)的計(jì)劃。當(dāng)然，市場(chǎng)也不是沒(méi)有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價(jià)的趨勢(shì)，有望持續(xù)到 2019 上半年?！　RAMeXchange 報(bào)告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價(jià)格，預(yù)計(jì)將下降 10% 。集邦認(rèn)為，市場(chǎng)需求較低的情況下所增長(zhǎng)的產(chǎn)能，是推動(dòng)這一趨勢(shì)的主要原因。
  • 關(guān)鍵字： 閃存  DRAM  

IC Insights預(yù)測(cè)：全球IC增長(zhǎng)和全球GDP增長(zhǎng)關(guān)聯(lián)日益密切

  • 　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測(cè)，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測(cè)?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi)，全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字，因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

中國(guó)存儲(chǔ)三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語(yǔ)權(quán)

  • 　　今年下半年，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖，但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)造成影響。　　而隨著中美貿(mào)易局勢(shì)的緊張，以及中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對(duì)三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。　　目前，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)。　　近期傳出合肥長(zhǎng)鑫投產(chǎn)8
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

美光科技就中國(guó)福建省專利訴訟案件的聲明

  • 　　美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國(guó)福建省福州市中級(jí)人民法院于今日通知美光科技的兩家中國(guó)子公司，針對(duì)聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺(tái)灣檢察機(jī)關(guān)針對(duì)聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對(duì)聯(lián)電和晉華向美國(guó)加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊?guó)子公司在中國(guó)制造、銷
  • 關(guān)鍵字： 美光科技  DRAM  NAND   

重拳！美芯片巨頭在華遭禁售

  • 此次對(duì)美國(guó)芯片巨頭美光(Micron)發(fā)出“訴中禁令”雖不是最終判決，但似乎暗示美光確實(shí)存在侵權(quán)行為。而這是中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體一路被指稱“竊密”和“侵權(quán)”以來(lái)，首次成功重拳回?fù)簟?/li>
  • 關(guān)鍵字： 芯片，美光，DRAM  

傳三星、SK海力士18nm DRAM出現(xiàn)良率問(wèn)題，市場(chǎng)價(jià)格增添變量

  • 　　受惠于市場(chǎng)需求強(qiáng)力推升，服務(wù)器存儲(chǔ)器供應(yīng)持續(xù)吃緊，近來(lái)市場(chǎng)傳出，存儲(chǔ)器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)良率問(wèn)題，應(yīng)用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨，包括美國(guó)及大陸廠商已要求暫時(shí)停止出貨。盡管三星對(duì)外刻意采取低調(diào)，但多家臺(tái)灣地區(qū)業(yè)者近日仍紛紛接獲消息，業(yè)界預(yù)計(jì)最快1~2個(gè)月左右應(yīng)可改善良率，但由于第3季DRAM價(jià)格預(yù)期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應(yīng)求，將為下半年市場(chǎng)價(jià)格漲幅投下變量。　　根據(jù)市場(chǎng)消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現(xiàn)質(zhì)量疑慮，并遭到數(shù)據(jù)中心客戶退貨，且在改善
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

DRAM漲價(jià)驅(qū)動(dòng)，全球服務(wù)器銷額增33%、高于銷量升幅

  • 　　Gartner 6月11日公布，2018年第1季全球服務(wù)器銷售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%?！　artner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出，服務(wù)器市場(chǎng)是由超大規(guī)模(Hyperscale)數(shù)據(jù)中心以及企業(yè)與中型數(shù)據(jù)中心支出攀高所驅(qū)動(dòng)。他還提到，服務(wù)器第1季銷售均價(jià)上揚(yáng)的原因之一是DRAM價(jià)格因供給吃緊而走高。　　Gartner統(tǒng)計(jì)顯示，2018年第1季北美服務(wù)器銷售額、出貨量分別成長(zhǎng)34%、24.3%，亞太分別成長(zhǎng)47.8%、21.9%，歐洲、中東與非洲(EM
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

中國(guó)存儲(chǔ)芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時(shí)間

  • 　　受中美競(jìng)爭(zhēng)特別是中興事件的影響，國(guó)內(nèi)對(duì)芯片的重視程度被進(jìn)一步拔高，而在存儲(chǔ)芯片方面隨著三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華的快速推進(jìn)讓人看到中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)有機(jī)會(huì)打破當(dāng)前由美日韓企業(yè)壟斷的局面，不過(guò)要打破這一局面還需要時(shí)間。　　美日韓壟斷存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)　　存儲(chǔ)芯片主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們?nèi)粘Ｒ姷降漠a(chǎn)品中分別是PC用的DRAM內(nèi)存條和SSD硬盤，這兩類產(chǎn)品在各個(gè)行業(yè)都有廣泛的應(yīng)用，而且隨著各個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展這兩類產(chǎn)品的重要性正日益凸顯，這也導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格自2016年
  • 關(guān)鍵字： 芯片，DRAM  

無(wú)錫SK海力士工廠突發(fā)火災(zāi)，DRAM又要漲價(jià)了？

  • SK海力士在無(wú)錫可謂多災(zāi)多難。2008年曾經(jīng)停電4個(gè)小時(shí)，2013年又發(fā)生重大火災(zāi)，都有大量晶圓報(bào)廢，對(duì)全球DRAM內(nèi)存、NAND閃存供應(yīng)造成重大影響。
  • 關(guān)鍵字： SK海力士，DRAM  
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ddr5 dram介紹

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