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SK海力士:10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導,SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品,2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash,持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示,IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4,公司
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SK海力士:10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導,SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品,2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash,持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示,IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4,公司
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三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始,將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品,意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動DRAM芯片,由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進。 韓聯(lián)社等外媒報導,根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出,據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中,約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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TrendForce:十月DRAM價格月漲逾20%,4GB模組均價來到17.5美元
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示,DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格,4GB模組均價來到17.5美元,較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強勁的上升格局,DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元,較上月同期比較已上漲17%與24%,顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,觀察市場面,由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存后,
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韓國成立半導體希望基金鎖定存儲器研發(fā)
- 南韓沖刺半導體業(yè)組成國家隊,由當?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍,籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導體希望基金”,投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w相關(guān)企業(yè)。 三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商,單是DRAM領(lǐng)域,兩大廠市占率總和超過七成,具有絕對制價與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢,兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導體希望基金”,預料以存儲器相關(guān)業(yè)務為優(yōu)先,臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠,以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè),短線將面臨更大壓力。 業(yè)界人士分析,此次南韓的&ld
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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
- 三星電子智能手機吃悶棍,力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位,將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM,對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后,技術(shù)差距約為一年半。 BusinessKorea 31 日報導,半導體產(chǎn)業(yè)透露,三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM,準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時,該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重,目標明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說,明年三星 10 納
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存儲器價格回溫 2016年IC市場可望成長1%
- 市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測,由原先的-2%提升為1%;此外該機構(gòu)預測,2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導體市場成長率的很大一部分原因,來自于DRAM市場的強勁表現(xiàn)。 IC Insights指出,自2002年以來,全球IC市場在第三季平均季成長率為8%,但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構(gòu)預期,2016年第四
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù),進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證,目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術(shù),并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導者而聞名,我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
- 10月11日,Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù),簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱,該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身,有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術(shù) Charlie Cheng指出,DRAM整體市場較為穩(wěn)定,未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮,新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領(lǐng)域。然而當前
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TrendForce:九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示,隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重,標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下,九月合約價維持強勁上漲走勢,均價已來到14.5美元,月漲幅達7.4%,在全球筆電需求出乎意料大增的情況下,預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成,創(chuàng)下兩年來的新高點。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈,如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元,較上月同期已各上漲19%與15%,顯見市場供不應求
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ddr5 dram介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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