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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

DDR的前世與今生（一）

  • 　　DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎上改進而來，嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR。 　　說到這里，很多人可能會問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來簡單普及下關(guān)于存儲的基礎知識吧。 　　ROM 和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡稱，是一種只能讀出事先
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存儲器需求動能強勁，第四季DRAM合約價有望再漲逾一成

  • 　　受到第三季進入旺季需求帶動，存儲器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續(xù)強勁成長態(tài)勢與服務器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。 　　供應持續(xù)吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài) 　　由于今年中國品牌智能手機表現(xiàn)超乎預期，服務器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫，下半年臺系服務器代工廠
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

  • 　　存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 　　當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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2016 DRAM市場回溫優(yōu)于預期 美光贏得外資青睞

  • 　　繼上周日系外資提高存儲器廠美光(Micron)自每股16元的目標價到每股20元之后，30日另一家美系外資的最新研究報告也指出，在當前DRAM市場價格逐步回穩(wěn)的情況下，加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉(zhuǎn)變，也將美光的目標價由原本的每股18美元，提高至每股20美元的價位。 　　該外資報告一開始便提及，看好2016年以來DRAM市場的回溫與產(chǎn)品價格的回穩(wěn)，而且實際上的表現(xiàn)還比當時預估的要好一些。不過，在當前許多供應商的產(chǎn)能不足的情況下，2017年DRAM的供應依舊是吃緊的。尤其，是在3D NAND閃存
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美大學突破相變化存儲器技術(shù)　速度較DRAM快逾千倍

  • 　　在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。 　　據(jù)Techspot網(wǎng)站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進行移動，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
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中國投千億美元發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè) 這不是花錢就能解決的問題

  • 　　8月27日消息，中國目前大力推動國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，目標是在將來成為全球電腦芯片制造業(yè)的領(lǐng)軍者。這一宏偉計劃似乎遇到了難以逾越的障礙。 　　在2014年，中國就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設計和制造產(chǎn)業(yè)，以期在未來占據(jù)行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經(jīng)投入了新制造工廠的修建之中。但貝恩管理咨詢公司(Bain & Company )的最新分析顯示，中國僅僅依靠這1000億美元的投資是無法保證自己在芯片行業(yè)取得領(lǐng)先的。 　　中國國有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
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DDR5/GDDR6/LPDDR5/HBM3都來了

  • 　　Hot Chip 2016大會上，內(nèi)存技術(shù)突然成了一大熱點，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標準相繼浮出水面，明后兩年陸續(xù)就能見到。 　　這份發(fā)展規(guī)劃主要來自存儲大廠三星，美光也提出了一些想法，而新規(guī)范自然主要以提高速度、擴大容量、降低功耗為主。 　　   　　DDR5內(nèi)存的設想是單條容量最小8GB、最大32GB，帶寬最高6.4Gbps，兩倍于DDR4，而電壓和當前的DDR4一樣維持在1.1V，這在歷史上倒是第一次。 　　美光計劃2019年量產(chǎn)DDR5，三星
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DDR5內(nèi)存詳細規(guī)格公布：2020年普及

  • 　　今天，鎂光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細規(guī)格。作為DDR4內(nèi)存的繼任者，DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達單條32GB，I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。 　　此外，鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將從3200Mhz起步，主流內(nèi)存頻率可達6400Mhz。 　　同時，鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內(nèi)存樣品，并將在2019年實現(xiàn)正式量產(chǎn)。 　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計
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三星承包Q2全球61.5%移動DRAM市場

  • 　　韓聯(lián)社首爾8月17日電 據(jù)半導體市場調(diào)研機構(gòu)DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元，全球市場占有率升至61.5%，創(chuàng)下移動DRAM市場份額單獨統(tǒng)計以來的歷史最高紀錄。 　　三星2015年后三季度的移動DRAM市場份額均未突破60%關(guān)口，分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1個百分點。三星移動DRAM的市場份額更是比DRAM市場份額(47.4%)高出14.1個百分點
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全球DRAM總營收 研調(diào)機構(gòu)估第3季將較顯著成長

  • 　　DRAMeXchange最新報告指出，中國地區(qū)的智慧型手機出貨依然強勁，DRAM三大廠同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動式記憶體轉(zhuǎn)進，伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來，預估第3季全球DRAM總營收將出現(xiàn)較顯著的成長。 　　DRAMeXchange表示，因市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產(chǎn)出順利，帶動位元供給成長，使得第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。 　　三星在第2季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收仍排行第一，營收季
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Q2全球DRAM總營收91億美元臺廠華邦電表現(xiàn)最佳

  • 　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動位元供給成長，第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營收都成長，臺廠部分，以華邦電( 2344-TW )營收季增3.3%表現(xiàn)最佳。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第2季筆記型電腦及伺服器相關(guān)產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智慧型手
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DRAM拖累全球IC銷售額下降2%

  • 　　按IC Insight的最新IC市場觀察報告，2016年因供過于求，導致全球DRAM的平均售價(ASP)下降16%，導致全球IC銷售額下降2%。 　　由于PC，筆記本，及平板電腦，包括智能手機等的出貨量減少，今年全球DRAM銷售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高點，到2012年時的1.69美元。 　　   　　IC Insight認為，一組DRAM的ASP曲線，從2007年開始象飛機飛過山谷時一樣的起伏。預計在服務器及新智能手機等市場需求推動
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第二季全球DRAM總營收成長6.3%

  • 　　受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動位元供給成長，使得第二季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產(chǎn)出順利，帶動位元供給成長，使得第二季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。 　　DRAMe
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第二季DRAM總營收小幅增長6.3%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單 價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動位元供給增長，使得第二季全球DRAM總營收約91億 美元，季增長6.3%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智能手機出貨依然強勁，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動式內(nèi)存
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Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進光掩模生產(chǎn)線項目

  • 　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。 　　
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ddr5 dram介紹

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