三星量產18nm DRAM，生產成本的競爭優(yōu)勢拉大，就算DRAM價格繼續(xù) 下滑，其他業(yè)者陷入虧損，三星仍能維持獲利，這招比較狠。
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三星 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導體市占率第一，為半導體產業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達45.3%，營收突破200億美元，不但刷新自身紀錄，也成為存儲器價格持續(xù)下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。
據韓媒Money Today報導，市調機構IHS資料顯示，2015年三星DRAM營收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營收卻
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三星 DRAM
韓國三星電子2016年4月5日宣布，開始量產采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產品為DDR4型8Mbit產品。
此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開發(fā)了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術、采用極薄絕緣膜形成技術制作的厚度均勻的存儲電容等。由此，無需使用EUV裝置，可利用現有的液浸ArF裝置量產。三星還預定將此次的技術用于下一代10nm(1
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三星 DRAM
目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱動態(tài)隨機存取存儲器，是最為常見的系統(tǒng)內存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調公司IHS指，韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進一步沖高至接近75%，這已經是連續(xù)6個季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢?
三星已在技術方面遙遙領先
據DRAMeXchange的報告，受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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DRAM 美光
三星電子周五公布2015業(yè)務成果報告，結果一則以喜，一則以憂，雖然其半導體事業(yè)蒸蒸日上，但另一個營收主力，也就是手機部門表現仍持續(xù)掙扎。其實，三星去年以獲利為最高指導原則，營運的重心主要放在半導體上，有如此結果也不令人意外。
據 三星統(tǒng)計，在全球DRAM市場上，三星所向披靡、強取豪奪45.3%的份額，市占率較一年前的39.6%又進步了5.7個百分點。三星指出盡管手機、平板 等行動產品減緩，但預期服務器與其它高階產品市場將持續(xù)成長。除此之外，三星也相當看好物聯(lián)網與汽車對存儲器的需求展望。
在
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三星 DRAM
受來自PC部門需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會計年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會計年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會計年度第1季營收45.7億美元相對高點以來，單季營收連續(xù)5季衰退。
在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價季衰退幅度超過2位數百分點幅度，加上營業(yè)費用控制成效不佳，營業(yè)
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美光 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)開始量產18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來在DRAM市場上，勢必將更具價格競爭力。
根據韓媒ETnews報導，存儲器半導體的價格越來越低，越快將成本壓到比下滑的市場價格更低的話，才有利潤能剩下，若降低成本的速度太慢，就會產生赤字。以目前看來，2016年美光最需擔憂的就是赤字問題，因為美光沒能成功地轉換微
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三星 DRAM
不論是NAND閃存還是DRAM內存領域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術、產能都落后友商，偏偏現在又遇到了內存、閃存降價，跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%，當季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預測同樣悲觀。
美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。
美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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DRAM NAND
美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財報，每股凈損0.09美元，單季由盈轉虧，并預估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認為，美光連二季虧損，與該公司關系密切的華亞科(3474)短期營運將有壓力。
受到DRAM價格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現，僅19.7%，遠不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬美元，每股凈損0.09美元。
美光預期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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美光 DRAM
全球DRAM內存市場壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊的，不論工藝還是產能、占有率都遙遙領先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產能最次。2014年率先量產20nm工藝的DRAM內存之后，三星如今再一次領跑，現在正式量產了18nm工藝內存芯片。只不過內存市場今年普遍看淡，隨著廠商產能的提高，內存價格降幅甚至高達40%。
跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進，每一代工藝的進步在外人看來感覺是越來越小了，CPU工藝好歹是從22nm進步到14/16nm、NAND也是
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三星 DRAM
28日武漢新芯科技主導的12英寸晶圓廠正式動工，建成后將成為中國最大、最先進的存儲芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領域，起點不低。再之前中國紫光集團宣布斥資300億美元打造全球前三的半導體公司，一時間中國半導體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內不會在大陸建立晶圓廠。
中國在半導體領域的大手筆投資或者收購已經引起了業(yè)界震動，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標轉向
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三星 美光 DRAM
前日本爾必達(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設IC設計公司Sino King Technology，指出目前半導體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強調研發(fā)生產周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進生產技術的如臺積電。
而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司，以研發(fā)高度客制化存儲器為重，不
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爾必達 DRAM
針對中國將進軍DRAM產業(yè)，華亞科(3474)董事長李培瑛表示， 由于中國未能取得技術來源，如要自主發(fā)展DRAM產業(yè)，勢必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專利及高度專業(yè)之技術進入障礙門檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達成，預期5年內將不會造成DRAM市場的影響，短期內難有進展。
李培瑛指出，目前全球DRAM技術掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠手中，為維持自身利益及寡占市場結構，避免中國廠商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國技術授權合作或合資建廠計劃。中國若未能取得技術來源，短 期
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華亞科 DRAM
自2015年第四季以來，全球終端需求始終停滯，智慧型手機品牌商皆計畫調降今年首季的出貨計畫，整體市場開始進行約一個季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場研究機構TrendForce智慧型手機分析師吳雅婷表示，受益于庫存調節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機發(fā)表，2月中起中國手機品牌陸續(xù)出現庫存回補的需求。此外，中國智慧型手機營運商為拉抬4G機種的普及率，針對數款4G高階智慧型手機增加 補貼額度，也推升消費者的購買欲望。
TrendForce預估2016
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華為 DRAM
大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術與制造的決心。
這是繼紫光集團進軍記憶體領域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動全球記憶體板塊移動，業(yè)界高度關注 。
業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進軍LED、面板、觸控等產業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴產，使得這些產業(yè)都陷入殺價
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新芯 DRAM
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