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SEMI:3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動(dòng)能

  •   SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)”(SEMIWorldFabForecast)報(bào)告,2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%,達(dá)372億美元,而2017年則將再成長(zhǎng)13%,達(dá)421億美元。另方面,2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%。   SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)”報(bào)告,2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)
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大陸臺(tái)灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國(guó)最大DRAM廠

  •   還記得「爾必達(dá)」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食,爾必達(dá)于2012年申請(qǐng)破產(chǎn)、之后被美國(guó)美光(Micron)收購(gòu),而坂本幸雄也成為爾必達(dá)的末代社長(zhǎng)、在爾必達(dá)被美光收購(gòu)后就辭去社長(zhǎng)一職以示負(fù)責(zé)。不過(guò)坂本幸雄要開(kāi)始踏上復(fù)仇之路了,此次將攜手臺(tái)灣、中國(guó)大陸之力,在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠,力抗三星等廠商。   日經(jīng)新聞11日?qǐng)?bào)導(dǎo),由坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司「SinoKingTechnology(以下簡(jiǎn)稱(chēng)SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約,Sino將主導(dǎo)合肥市政府總
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

  •   大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán),投資人民幣600億元興建DRAM工廠,將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。   由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后,不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng),也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。   大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng),進(jìn)入市場(chǎng)只
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紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場(chǎng)

  •   中國(guó)紫光欲與美韓合作DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)碰壁后,日本DRAM大廠爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄所主導(dǎo)成立的兆基科技(Sino King),近日確定與中國(guó)合肥市政府合作,將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國(guó)的資金力量,兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解,相關(guān)合作細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)本周于日本舉行記者會(huì)說(shuō)明。   臺(tái)灣DRAM業(yè)界指出,爾必達(dá)于2012年倒閉并由美光并購(gòu)后,坂本幸雄與爾必達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一些成員,另起爐灶新成立兆基科技,除了網(wǎng)羅臺(tái)灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入,也傳出看好中國(guó)內(nèi)存市場(chǎng),加上中國(guó)企圖建立自主技術(shù),地方政
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

  •   大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán),投資人民幣600億元興建DRAM工廠,將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。   由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后,不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng),也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。   大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng),進(jìn)入市場(chǎng)只
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傳三星半導(dǎo)體西安廠第二階段增設(shè)恐延期

  •   三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠進(jìn)行第二階段的投資,日前傳出這項(xiàng)計(jì)劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估,2016年將會(huì)進(jìn)入記憶體7年來(lái)最糟的供需不平衡情況,加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠,也使三星開(kāi)始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競(jìng)爭(zhēng)情況。   目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬(wàn)坪)的5分之1,而且以目前的設(shè)備來(lái)說(shuō),已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能,所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為,三星將在2016年內(nèi)
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DRAM價(jià)格跌 上季全球產(chǎn)值掉9%

  •   DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計(jì)報(bào)告,受到DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下降及市況持續(xù)供過(guò)于求影響,第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元,季減9.1%。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,去年第4季雖有蘋(píng)果iPhone 6s出貨加持,筆電出貨亦比預(yù)期更佳,但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進(jìn),如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程,都讓產(chǎn)出持續(xù)增加,使得當(dāng)季DRAM價(jià)格持續(xù)下修。   三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭,雖然DRAM營(yíng)收下跌9.7%至47.6億美元,
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中國(guó)如何撕開(kāi)存儲(chǔ)芯片壟斷圍欄?

  • 存儲(chǔ)芯片在新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色,但前5家公司高度壟斷全球市場(chǎng),我國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)關(guān)乎國(guó)家安全,意義重大。
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紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠,循華亞科模式

  •   大陸紫光集團(tuán)已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠,并循當(dāng)年臺(tái)塑集團(tuán)與美光合資華亞科的商業(yè)模式,由紫光出資建廠,再邀請(qǐng)美光等國(guó)際大廠入股,解決技術(shù)授權(quán)問(wèn)題。   據(jù)了解,此計(jì)畫(huà)由前華亞科董事長(zhǎng)、現(xiàn)為紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀,業(yè)界盛傳,日本前爾必達(dá)總裁坂本幸雄亦有意加入。   大陸官方自前年成立國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱(chēng)大基金)后,就有意投入自建記憶體供應(yīng)鏈,但不論是DRAM或NAND Flash,主要制程專(zhuān)利及矽智財(cái)都掌握前國(guó)際大廠手中,因此,率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團(tuán),由
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2015臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值增長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù) 晶圓代工增長(zhǎng)下滑

  •   經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處資料顯示,臺(tái)灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長(zhǎng),但去年增率卻是近三年來(lái)首見(jiàn)個(gè)位數(shù)成長(zhǎng),也結(jié)束自2011年以來(lái)的上升走勢(shì),臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部指出,去年臺(tái)灣DRAM產(chǎn)值成長(zhǎng)由正轉(zhuǎn)負(fù),加上晶圓代工成長(zhǎng)下滑,整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。   臺(tái)灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān),去年上半年延續(xù)榮景,較前年同期成長(zhǎng)23.9%,但下半年因全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道疲弱,尤其新興市場(chǎng)需求明顯下降,抑制終端消費(fèi)性電子產(chǎn)品銷(xiāo)售成長(zhǎng)動(dòng)能,下半年衰退7.9%。   去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%,是自2011年低點(diǎn)反
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紫光計(jì)劃今年再收購(gòu)2家IC公司 重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面

  •   清華紫光集團(tuán)所屬的清華控股董事長(zhǎng)徐井宏,昨天在瑞士達(dá)沃斯的世界經(jīng)濟(jì)論壇現(xiàn)場(chǎng),接受彭博訪問(wèn)時(shí)坦承,由于美國(guó)主管機(jī)關(guān)豎立的障礙,美光投資案過(guò)關(guān)的機(jī)會(huì)渺茫,但紫光集團(tuán)仍持續(xù)推動(dòng)與美光或其他公司的合作,希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。   他表示,紫光集團(tuán)可能尋求其他與美光的合作方式,例如成立中美合資企業(yè)。   徐井宏也透露,清華紫光集團(tuán)旗下的3大平臺(tái)之中,主攻DRAM的同方國(guó)芯,今年將投下約2000億人民幣,再買(mǎi)下兩家海外IC業(yè)者,但沒(méi)有透露可能購(gòu)并對(duì)象。   徐井宏也提到,2016紫光集團(tuán)的海
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三星開(kāi)始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片

  •   三星電子2016年1月19日宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM:High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。        HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。   按照HBM2標(biāo)準(zhǔn),DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲(chǔ)器裸片,裸片之間通過(guò)TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用
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美光DRAM表現(xiàn)看弱 市場(chǎng)供需變化使然

  •   日前美光(Micron)公布最新1季結(jié)果表現(xiàn)不佳,截至2016年2月止第2季展望也不佳,消息傳出后造成股價(jià)下跌5%,也讓眾多分析師跌破眼鏡。   評(píng)論認(rèn)為,由于傳統(tǒng)第1季是DRAM價(jià)格淡季,而且PC與移動(dòng)裝置帶動(dòng)DRAM成長(zhǎng)有限,因此DRAM廠商表現(xiàn)黯淡早已可期,但也凸顯美光必須考慮加強(qiáng)布局3D XPoint技術(shù)必要性。   據(jù)SemiWiki網(wǎng)站報(bào)導(dǎo),DRAM已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最終普遍性產(chǎn)品,因此,相當(dāng)容易受到供需平衡變化而導(dǎo)致價(jià)格改變。加上目前正處于需求弱但供應(yīng)強(qiáng)階段,因此,DRAM廠商欲求好表
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盤(pán)點(diǎn)2015:中國(guó)海外收購(gòu)起摩擦

  • 迅速邁向“大國(guó)”的中國(guó)也在世界上引發(fā)摩擦,自主的行為原則與現(xiàn)有的國(guó)際秩序不兼容,在經(jīng)濟(jì)減速局面下的經(jīng)濟(jì)改革時(shí)而動(dòng)搖市場(chǎng),中國(guó)的真實(shí)情況到底是什么呢。
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2016年整體DRAM需求預(yù)估成長(zhǎng)23%

  • 2016年中國(guó)持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變,仍將有許多并購(gòu)發(fā)生,記憶體方面更是中國(guó)發(fā)展的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。
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ddr5 dram介紹

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