DRAM市場(chǎng)上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?

　　目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存)市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國(guó)市調(diào)公司IHS指，韓國(guó)企業(yè)三星和SK海力士的市占率進(jìn)一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續(xù)6個(gè)季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢?

　　三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先

　　據(jù)DRAMeXchange的報(bào)告，受2015年四季度全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營(yíng)收分別下滑9.7%、9.3%、10.5%，美光的下滑幅度比兩家韓國(guó)企業(yè)的下滑幅度更大，導(dǎo)致其市場(chǎng)份額下滑，而三星和SK海力士的市場(chǎng)份額反而出現(xiàn)上升。

　　在制造工藝方面，SK海力士和美光去年中才引入20nm工藝，預(yù)計(jì)今年轉(zhuǎn)進(jìn)18/16nm工藝，而三星本月初宣布已量產(chǎn)10nm的DRAM，可以看到三星在制造工藝方面已遙遙領(lǐng)先于另外兩家企業(yè)。據(jù)了解，采用10nm工藝的DRAM傳輸率可以達(dá)到3200Mbps，較20nm工藝提升了30%的性能，這幫助三星將進(jìn)一步鞏固其作為DRAM市場(chǎng)老大的地位。

　　三星積極推進(jìn)10nm工藝除了要與DRAM同行競(jìng)爭(zhēng)外，更重要的原因是要與半導(dǎo)體代工老大臺(tái)積電進(jìn)行工藝競(jìng)爭(zhēng)。臺(tái)積電和三星目前都在積極推進(jìn)10nm邏輯制程，希望在今年底前量產(chǎn)，領(lǐng)先Intel，雙方俱是以SRAM和DRAM產(chǎn)品錘煉自家的10nm工藝，在良率提升到一定程度后再導(dǎo)入手機(jī)芯片等邏輯產(chǎn)品。

　　臺(tái)媒報(bào)道指臺(tái)積電正加速推進(jìn)其10nm工藝，去年10月即以7nm工藝生產(chǎn)出SRAM產(chǎn)品，其希望今年三季度將10nm工藝導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品。三星和臺(tái)積電積極推進(jìn)10nm工藝是希望以更先進(jìn)的工藝爭(zhēng)奪蘋果、高通和華為都手機(jī)芯片企業(yè)的訂單。

　　2015年全球PC市場(chǎng)萎縮和手機(jī)市場(chǎng)發(fā)展速度下滑，導(dǎo)致DRAM和NAND Flash價(jià)格出現(xiàn)下滑，加上技術(shù)方面落后，2015年這三大DRAM企業(yè)的營(yíng)收只有美光的出現(xiàn)了15.1%的下滑，三星在DRAM方面的營(yíng)收反而獲得了9%的增長(zhǎng)，SK海力士獲得2.4%的微幅增長(zhǎng)。

　　美光意圖與Intel合作尋找出路

　　Intel是全球半導(dǎo)體老大，不過(guò)這幾年其在移動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展受到挫折，除了通過(guò)大幅度補(bǔ)貼在平板電腦市場(chǎng)獲得進(jìn)展外，在手機(jī)芯片市場(chǎng)并沒(méi)有獲得突破，而PC市場(chǎng)去年出現(xiàn)的萎縮也同樣影響了它的業(yè)績(jī)，導(dǎo)致它的營(yíng)收出現(xiàn)了1.2%的下滑，相比之下第二位的三星半導(dǎo)體收入獲得了9%的上升，雙方的差距進(jìn)一步拉近，甚至業(yè)界熱議三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入方面何時(shí)超越Intel。

　　于是Intel又開(kāi)始對(duì)DRAM等存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)發(fā)生了濃厚的興趣。Intel早期其實(shí)是DRAM的老大不過(guò)后來(lái)被日本企業(yè)擊敗于是退出了這一市場(chǎng)轉(zhuǎn)型為處理器企業(yè)并獲得成功，如今面對(duì)著三星的競(jìng)爭(zhēng)希望再度回歸這一市場(chǎng)選擇與美光合作，去年7月雙方發(fā)布了3D XPoint技術(shù)，被譽(yù)為全新的存儲(chǔ)芯片技術(shù)，比現(xiàn)有的SSD速度快千倍。

　　如果Intel能與美光全心合作，雙方自然是共贏的事情。Intel如今的14nmFinFET工藝依然是全球一流的制造工藝，量產(chǎn)時(shí)間比三星的14nm工藝早幾個(gè)月，目前其預(yù)計(jì)到明年量產(chǎn)10nm工藝，在初期同樣可以如三星和臺(tái)積電一樣先用10nm生產(chǎn)美光的DRAM芯片幫助其加速10nm工藝的改進(jìn)。另外由于PC市場(chǎng)的萎縮Intel的半導(dǎo)體工藝產(chǎn)能出現(xiàn)過(guò)剩也正希望開(kāi)拓代工業(yè)務(wù)，采用現(xiàn)有的14nm工藝生產(chǎn)美光DRAM芯片可以立即獲得趕超SK海力士的工藝技術(shù)。

　　Intel對(duì)存儲(chǔ)芯片的野心并不僅止于此，去年中Intel巨資收購(gòu)了Altera，可以預(yù)見(jiàn)的是Intel會(huì)把 Altera的FPGA架構(gòu)應(yīng)用在其NAND芯片中。到了去年10月Intel宣布將在3-5年內(nèi)投資55億美元擴(kuò)建其位于大連的半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)固態(tài)硬盤，這意味著其對(duì)美光的依賴會(huì)大幅度降低。

　　Intel目前壟斷著服務(wù)器市場(chǎng)，擁有該市場(chǎng)超過(guò)九成的市場(chǎng)份額，服務(wù)器芯片也是Intel的主要利潤(rùn)來(lái)源。將固態(tài)硬盤用作服務(wù)器加速器，能將緩存、內(nèi)存和NAND芯片緊密捆綁在服務(wù)器的內(nèi)存-CPU通道上，可以大幅度提升服務(wù)器芯片的性能，增強(qiáng)Intel的服務(wù)器芯片競(jìng)爭(zhēng)力，借此可以挑戰(zhàn)三星、SanDisk等存儲(chǔ)芯片企業(yè)，Intel也將因此額外增加很大一筆收入，此舉可謂一舉多得!

　　近日美光發(fā)布的2016財(cái)度第2財(cái)季(截止2016年3月)營(yíng)收僅為29.3億美元，環(huán)比下滑12.4%，同比更大跌29.6%，是自2015財(cái)年第1財(cái)季以來(lái)連續(xù)5季衰退，凈虧損9700萬(wàn)美元而去年同期盈利9.4億美元，本來(lái)寄望與Intel合作走出困境的又面對(duì)著Intel的野心，其未來(lái)出路在何方?或許又要再次尋找中國(guó)買家了，去年中國(guó)的紫光就曾提出收購(gòu)美光。