DRAM價(jià)格跌　上季全球產(chǎn)值掉9%

　　DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計(jì)報(bào)告，受到DRAM平均銷售單價(jià)持續(xù)下降及市況持續(xù)供過于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預(yù)期更佳，但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當(dāng)季DRAM價(jià)格持續(xù)下修。

　　三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營(yíng)收下跌9.7%至47.6億美元，但市占率仍達(dá)46.4%。

　　SK海力士營(yíng)收下滑9.3%到28.7億美元，市占率27.9%，位居全球第2。

　　美光則是3大廠衰退幅度最大者，季衰退達(dá)10.5%，市占率18.9%。美光受到技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)落后沖擊，與SK海力士已產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)差距。

　　此外，兩大韓系廠的營(yíng)業(yè)獲利率與上季相比呈現(xiàn)小幅衰退，三星與SK海力士分別為43%與32%;美光下滑則較為明顯，由去年第3季的14.8%，下滑至第4季約8.5%。吳雅婷表示，如果DRAM價(jià)格持續(xù)下滑，美光將在今年第2季面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn)。

　　三星20奈米比重持續(xù)攀升，且良率表現(xiàn)高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，為3大廠商中成本最低，預(yù)定于今年中導(dǎo)入18奈米制程，成本降低有望更進(jìn)一步。

　　SK海力士去年第4季正式導(dǎo)入21奈米制程，整體投片量將于今年第1季逐步放大，加上新廠M14啟用，讓SK海力士成為新增產(chǎn)能最多的DRAM廠。

　　美光在去年第4季大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，唯良率仍有待提升，今年上半年預(yù)定導(dǎo)入16奈米制程，但于同樣制程下產(chǎn)出仍與韓系廠商有一定程度差距，成本降低并未如外界想像優(yōu)異。

　　臺(tái)系廠中，南亞科(2408)30奈米微縮制程產(chǎn)出持續(xù)增加，加上投片小幅提升，即使受利基型記憶體價(jià)格下跌沖擊，南亞科營(yíng)收僅小幅下滑1.8%。

　　華邦電受惠于車用電子開花結(jié)果及工規(guī)記憶體的需求不錯(cuò)，去年第4季營(yíng)收小幅成長(zhǎng)2.4%，明2017年預(yù)計(jì)進(jìn)入30奈米世代，正式擺脫近年來無新制程可用的窘境。

　　力晶科技受到LCD驅(qū)動(dòng)IC訂單滑落，為維持產(chǎn)能利用率，空閑皆轉(zhuǎn)而生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型記憶體，讓營(yíng)收大幅成長(zhǎng)10.6%。力晶目前正小量轉(zhuǎn)入25奈米制程，有助成本降低。