1 引言
FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數字系統當中通常用作數據緩存。在高速數據采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數據進行快速存儲和讀取,而這種先進先出的結構特點很好地適應了這些要求,是傳統RAM無法達到的。
許多系統都需要大容量FIFO作為緩存,但是由于成本和容量限制,常采用多個FIFO芯片級聯擴展,這往往導致系統結構復雜,成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件,介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制,來
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FIFO SRAM DRAM CPLD
根據拓墣產業(yè)研究所(TRI)觀察,2014上半年臺灣IC設計產業(yè)受惠于中國大陸與新興市場智慧手機需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素,拉動了智慧手機晶片、驅動IC及電視SoC晶片之營收持續(xù)高漲,形成半導體產業(yè)少見的淡季不淡現象。
展望2014下半年,雖為傳統旺季,但中國大陸6月份縮減了3G智慧型手機補助,為市場投下變數,中國4G/LTE手機的銷售情形,將成為左右臺廠營收的重要關鍵。拓墣產業(yè)研究所預估,2014下半年臺灣IC設計營收預估達80.7億美元,較去年同
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半導體 DRAM
持續(xù)高高在上排名在前的三星利潤長期以來是孤芳自賞的。只是,第二季度的業(yè)績下來,它也開始持謹慎態(tài)度。
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三星 DRAM
南韓第二大記憶體廠SK海力士(SKHynix)首季超越勁敵美光,成為全球PC用動態(tài)隨機記憶體(DRAM)第一大廠。
市調機構iSuppli數據顯示,SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%,重新奪回全球排名首位,而原居領先位置的美光則自前季的36.4%下滑至32.1%。另外,三星電子拿下26.3%的市占率,位居第三。
在伺服器用DRAM的市占率排名上,遙遙領先的三星拿下43.5%、SK海力士34.1%居次、美光則為21%。
美光在行動裝置市場以29.8%的市占率上板回
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海力士 DRAM
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產品之一,已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領域。在該嵌入式微處理器片內,集成有DRAM RCU單元,即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動產生DRAM刷新總線周期,它工作于微處理器的增益模式下。經適當編程后,RCU將向將處理器的 BIU(總線接口)單元產生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后,BIU單元執(zhí)行刷新周期時,被編程的存儲器范圍片選有效。
存儲器是嵌入式計算機系統的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)
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CPLD DRAM VHDL
美光半導體技術有限公司移動 DRAM 架構總監(jiān) Daniel Skinner榮獲JEDEC(即“固態(tài)技術協會”)最高榮譽“卓越獎”。 該殊榮是對其擔任LPDDR3 和 LPDDR4 任務組主席期間所展現出的杰出領導力的高度認可。
“卓越獎”是由JEDEC頒發(fā)最具聲望的獎項,該獎項旨在對長期服務于 JEDEC 和標準委員會的個人予以表彰。Daniel Skinner 先生是第十位獲此殊榮的人士。
JEDEC 總裁John
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美光 DRAM LPDDR3
全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,由于DRAM大廠持續(xù)將產能從標準型記憶體轉移至行動式記憶體,加上部份DRAM廠轉進25nm制程良率偏低及20nm制程轉進有延宕的情形下,2014下半年已有供貨吃緊的跡象。
以需求端來觀察,由于PCOEM庫存水位普遍不高,采購策略上除了希望原廠提供的顆粒外,亦向記憶體模組廠尋求更多的支援,DRAM市場已經醞釀第三季合約價格上漲的氛圍;從現貨價格來觀察,目前4GB報價約在36美元間,5月合約均價在30.5美元,
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存儲器 DRAM
Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統芯片 (SoC)?! iptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquis
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EVG DRAM 3D
2013年全球半導體市場統計結果出爐,與我們先前預估吻合,2013年全球半導體市場較2012年成長4.9%,扭轉2012年衰退2.4%頹勢。半導體市場成長,是由DRAM及NANDFlash帶動,DRAM及NAND年成長率分別高達32.5%及24.2%。
統計2013年全球半導體市場營業(yè)額達3181億美元,較2012年的3031億美元成長4.9%。
2013年全球前25大半導體公司合計營業(yè)額2253億美元,占整體半導體營業(yè)額71%,較2012年的69%上升2個百分點。2013年全球最
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DRAM 半導體
DRAM最大的增長動力應該是來自云計算的硬件需求,其次是移動設備向64位的前進。
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PC DRAM
DRAM供給吃緊,有廠家已準備上調價格,而手機存儲器MobileRAM供給則更為吃緊,主要是智能手機大廠均已開始進入新品備貨旺季。
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存儲器 DRAM
去年海力士和鎂光科技因為存儲芯片的價格上漲而在半導體top10排名中表現不俗,據傳,鎂光要在5月份再次上調DRAM的價格,看來存儲設備廠商也要一改前幾年白菜價的發(fā)展趨勢,畢竟供求關系的變化,還是給了存儲器廠商一些市場機會。
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美光科技 DRAM
經濟部統計處表示,電子產品因手持行動裝置需求續(xù)增及規(guī)格之提升,帶動晶圓高階制程、晶片、DRAM等半導體業(yè)訂單強勁增加,3月年增率10.1%,增幅居各主要貨品別之首;資訊及通信產品亦因手持行動裝置組裝代工持穩(wěn)、電腦代工廠調整產品結構及電腦需求回溫,致年增8.6%,為支撐訂單持續(xù)成長之前二大貨品。精密儀器因電視及電腦面板需求漸增,致減幅已顯縮小。而傳統接單貨品因全球景氣逐漸回升及業(yè)者積極拓銷,年增率均呈正成長。
展望未來,受惠于手持行動裝置需求持續(xù)增加,及規(guī)格不斷升級,可望帶動電子產品接單持續(xù)成
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半導體 DRAM
市場是非理性的,任何突發(fā)事件都有可能引起市場信心的波動,造成價格的波動。
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海力士 DRAM
國際研究暨顧問機構顧能(Gartner)今日發(fā)布統計報告,去年全球半導體營收總計3,150億美元,年增5%;英特爾雖連二年營收下滑,仍連續(xù)22年居半導體龍頭寶座。
根據顧能調查,全球前25大半導體廠商合計營收增幅達6.9%,遠優(yōu)于市場其余廠商的績效,其余廠商營收成長率僅0.9%。部分原因可歸于領先廠商中,有許多記憶體廠,這些記憶體廠營收年增幅高達23.5%,表現出色。
顧能研究副總裁諾伍德(AndrewNorwood)表示,去年在歷經年初半導體庫存過剩而不振后,第2及第3季營收持續(xù)
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半導體 DRAM
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