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ddr5 dram
ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑
- 據(jù)iSuppli公司,12月DRAM價(jià)格繼續(xù)下降,跌勢(shì)不止,經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的大幅下滑,價(jià)格已降到年內(nèi)最低水平。 12月10日,2GB DDR3 DRAM模組合同價(jià)格為21.00美元,比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價(jià)格下跌,DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價(jià)格為21.50美元,遠(yuǎn)低于6月時(shí)的38.80美元。 圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷(xiāo)售價(jià)格,包括1GB和2GB兩種密度。 與上一代的DDR2相比,DDR3傳輸速度更快,而且功耗更低。但
- 關(guān)鍵字: DRAM 30納
DRAM合約價(jià)再跌10%
- 2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫,其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%,平均售價(jià)跌破20美元,低價(jià)來(lái)到17美元價(jià)格,相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期,2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過(guò)50%,市場(chǎng)預(yù)期供過(guò)于求的情況至少還會(huì)再持續(xù)1季,因?yàn)?011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大,預(yù)計(jì)要到2011年4月之后,等個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料,DRAM價(jià)格才有機(jī)會(huì)落底止跌。
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) DRAM
2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率,仍都是來(lái)自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過(guò)50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM
2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%
- 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率,仍都是來(lái)自于制程微縮為主,包括三星35納米制程將在2011年下半超過(guò)50%,以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)將增加50%。 三星電子201
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM
金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
- 據(jù)iSuppli公司,2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位,在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購(gòu)買(mǎi)力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。 2010年上半年金士頓的DRAM模組銷(xiāo)售額為26億美元,比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場(chǎng)中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場(chǎng),后者同期增長(zhǎng)26%。
- 關(guān)鍵字: 金士頓 DRAM
三星TSV應(yīng)用DRAM模塊首次實(shí)現(xiàn)商用化
- 據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開(kāi)發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片,制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品,10月時(shí)已裝設(shè)在客戶(hù)商服務(wù)器上,完成產(chǎn)品測(cè)試。
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
爾必達(dá)與Rambus簽署新一期專(zhuān)利授權(quán)協(xié)議
- Rambus雖說(shuō)是專(zhuān)利官司大戶(hù),但他們也不是每次都靠這種方式掙錢(qián)。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)簽署了新一期的專(zhuān)利授權(quán)協(xié)議。 此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛,從久遠(yuǎn)的SDR內(nèi)存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協(xié)議為期五年,爾必達(dá)將向Rambus總共支付1.8億美元的授權(quán)費(fèi),首次付賬4700萬(wàn)美元。
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) DRAM
VLSI下調(diào)半導(dǎo)體及設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)
- 按VLSI市場(chǎng)調(diào)研公司的最新報(bào)告,今年無(wú)論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達(dá)到歷史上輝煌的年份之一,由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過(guò)剩及芯片價(jià)格下降。 同時(shí),該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測(cè),為2011年半導(dǎo)體增長(zhǎng)4.4%為2486億美元,以及2012年再增長(zhǎng)7.9%。VLSI之前曾預(yù)測(cè)2011年半導(dǎo)體增長(zhǎng)8%。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大
- 11月下旬DRAM合約價(jià)跌幅超過(guò)10%,讓市場(chǎng)籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報(bào)價(jià)單日再跌7%,1Gb DDR3報(bào)價(jià)摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示,1Gb DDR3 eTT價(jià)格單日大跌超過(guò)7%,其實(shí)只是以補(bǔ)跌來(lái)反應(yīng)品牌顆粒的價(jià)格;然此跌價(jià)情況若再延續(xù),不排除各家DRAM廠會(huì)有擴(kuò)大減產(chǎn)的情況出現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM
ddr5 dram介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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