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茂德與海力士拆伙 擬與TMC合作
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)灣DRAM廠茂德科技董事會(huì)日前決議,與合作伙伴韓國(guó)海力士半導(dǎo)體 (Hynix)簽訂停止合作協(xié)議書。茂德表示,未來(lái)將轉(zhuǎn)與臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)等合作。 茂德甫于去年5月與海力士簽署策略聯(lián)盟合約,不僅延續(xù)雙方既有的技術(shù)合作伙伴關(guān)系,海力士將技轉(zhuǎn)50納米世代堆疊式DRAM制程技術(shù)給茂德;海力士還斥資新臺(tái)幣34.56億元,取得5.76億股茂德私募增資股。 此外,海力士資深副總裁Min Goo Choi也于今年茂德股東常會(huì)董監(jiān)事改選中,順利當(dāng)選董事。 只是在茂德制程技術(shù)尚未推
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM 50納米
臺(tái)塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺(tái)塑集團(tuán)布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極,除集團(tuán)挹注資金、爭(zhēng)取國(guó)發(fā)基金投資,近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股,打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行,目前整起投資案正由外資機(jī)構(gòu)評(píng)估中。存儲(chǔ)器業(yè)者透露,華亞科擬引進(jìn)英特爾投資,主要關(guān)鍵系說(shuō)服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作,阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)坐大,甚至威脅英特爾在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲(chǔ)器業(yè)者透露,華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金,除爭(zhēng)取資金挹注,另一個(gè)重要原因,就是希望藉
- 關(guān)鍵字: TMC DRAM NAND
PC市場(chǎng)回暖 7月DRAM內(nèi)存價(jià)格上漲10%
- 隨著全球PC廠商準(zhǔn)備應(yīng)對(duì)返校季節(jié)和圣誕節(jié)的銷售,DRAM計(jì)算機(jī)內(nèi)存價(jià)格正在上漲。由于微軟Windows 7操作系統(tǒng)即將推出,內(nèi)存價(jià)格上漲將超過(guò)人們的預(yù)期。 Windows 7將在10月22日推出的消息令人們興奮不已。主要原因是Windows 7到目前為止的測(cè)試結(jié)果贏得了好評(píng),引起了Windows 7最終將把Windows XP用戶吸引過(guò)來(lái)的希望。Windows XP在市場(chǎng)上占統(tǒng)治地位已經(jīng)有8年時(shí)間了。Windows 7還為PC應(yīng)用一些新功能鋪平了道路。這種情況也會(huì)推動(dòng)銷售。 據(jù)DRAMeX
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 內(nèi)存芯片
三星電子率先量產(chǎn)40納米DDR3 DRAM
- 7月21日三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級(jí)別產(chǎn)品全世界首次進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。 據(jù)悉,繼2008年9月三星電子在業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后,該公司又于2009年1月首次開(kāi)發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產(chǎn)。三星電子通過(guò)不斷簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝縮短生產(chǎn)時(shí)間,極大地提高了生產(chǎn)效率和成本競(jìng)爭(zhēng)力。 三星電子表示,新一代量產(chǎn)的40納米產(chǎn)品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50
- 關(guān)鍵字: 三星 40納米 Dram
三星電子增加下半年在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資
- 電子行業(yè)報(bào)紙ETnews周五報(bào)導(dǎo)稱,預(yù)計(jì)韓國(guó)三星電子下半年在一個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施上投資至少1萬(wàn)億韓元(合7.9億美元)。 該報(bào)未指明消息來(lái)源稱,三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動(dòng)上稱,三星預(yù)計(jì)下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計(jì)劃規(guī)模,或是迄今的已投資額。 ETnews報(bào)稱,芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側(cè)重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù),比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 30納米 NAND
三星增資 臺(tái)灣DRAM廠面臨嚴(yán)峻考驗(yàn)
- 三星傳出下半年將投入大筆資金發(fā)展存儲(chǔ)器先進(jìn)制程,對(duì)于臺(tái)灣DRAM廠來(lái)說(shuō),又將面臨一次嚴(yán)峻的考驗(yàn)。 DRAM廠目前最欠缺的就是金援,以現(xiàn)在全球DRAM業(yè)者來(lái)看,很難靠一己之力對(duì)外籌資。也因此,包括韓國(guó)、日本等國(guó)政府都已出手金援,相形之下,臺(tái)灣DRAM廠迄無(wú)政府資金奧援,儼然落居劣勢(shì)。 由于資金壓力緊迫,加上政府產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃仍沒(méi)有進(jìn)一步具體動(dòng)作,甚至連政府挹注TMC資金都還沒(méi)到位,近期臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科、華亞科已搶先發(fā)動(dòng)募資計(jì)畫,將有助提升臺(tái)灣DRAM 產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力與韓系業(yè)者勢(shì)力抗衡。 伴隨
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 存儲(chǔ)器
DRAM廠縮衣節(jié)食 資本支出大幅縮減
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣從谷底爬出,各家DRAM廠盛行縮衣節(jié)食,日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半,全年支出僅約16億美元,但分析師預(yù)估,將海力士的自有廠房與意法半導(dǎo)體在大陸合資的無(wú)錫廠一并計(jì)算,2009年的總資本支出也頂多10億美元,較目前規(guī)劃的金額減少6億美元,充分反應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)看法的保守;此外,臺(tái)系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉(zhuǎn)進(jìn)50納米,2009年資本支出規(guī)劃超過(guò)新臺(tái)幣100億元,力晶資本支出不到50億美元,茂德更無(wú)資本支出可言。 DRAM業(yè)者表示,以
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM 存儲(chǔ)器
臺(tái)灣DRAM廠面臨內(nèi)憂外患
- 三星破天荒公布第二季獲利預(yù)估,優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,業(yè)界認(rèn)為作多意味濃厚,三星主要業(yè)務(wù)涵蓋面板、手機(jī)、半導(dǎo)體晶片等三大領(lǐng)域,以現(xiàn)況來(lái)看,面板需求暢旺無(wú)虞,但半導(dǎo)體芯片,尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲(chǔ)領(lǐng)域,則仍有觀察空間。 近來(lái)包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內(nèi)外大廠,紛紛看好下半年DRAM價(jià)格走勢(shì),為市場(chǎng)信心吞下一顆定心丸。 但業(yè)界憂心,三星第二季整體獲利超乎市場(chǎng)預(yù)期,在記憶體價(jià)格仍未見(jiàn)明顯起色下,是否會(huì)以其他部門的獲利,來(lái)彌補(bǔ)存儲(chǔ)事業(yè)虧損,進(jìn)而持續(xù)以&
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 半導(dǎo)體芯片
臺(tái)塑集團(tuán)和TMC戰(zhàn)火激烈 臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線再起爭(zhēng)論
- 華亞科總經(jīng)理于9日發(fā)表對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合的建言,9日更傳出臺(tái)塑集團(tuán)搶在TMC前面,向“經(jīng)濟(jì)部”和國(guó)發(fā)基金送出DRAM整合企畫書;惟對(duì)此南亞科和華亞科表示,在幾天前的確以南亞科的名義,向工業(yè)局送出研發(fā)補(bǔ)助草案,非正式送件,也與DRAM整合無(wú)關(guān),正式的整合計(jì)畫書將于近期送出;惟臺(tái)塑集團(tuán)和TMC之間的戰(zhàn)火,各方互不相讓。 “經(jīng)濟(jì)部”針對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合成立TMC,選定爾必達(dá)作為臺(tái)灣技術(shù)主軸,引發(fā)不少DRAM業(yè)者的抗議聲浪,臺(tái)塑集團(tuán)首先出面拒絕加入
- 關(guān)鍵字: TMC DRAM
臺(tái)塑將申請(qǐng)政府注資 投入DRAM技術(shù)開(kāi)發(fā)
- 臺(tái)塑集團(tuán)的DRAM晶片廠南科、華亞科近日向臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”提出資金援助申請(qǐng),希望政府支持臺(tái)塑集團(tuán)投入技術(shù)開(kāi)發(fā)計(jì)劃。預(yù)計(jì)將向政府爭(zhēng)取國(guó)發(fā)基金的資金挹注,額度約在200億至300億臺(tái)幣。 在臺(tái)灣當(dāng)局今年年初出面主導(dǎo)成立臺(tái)灣記憶體公司(TMC),希望藉此進(jìn)行動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)產(chǎn)業(yè)整合再造後,臺(tái)塑集團(tuán)在4月初時(shí)曾表示,與海外技術(shù)夥伴美光不會(huì)加入TMC陣營(yíng),反之希望政府比照TMC,予以資金等支持。 報(bào)導(dǎo)引述華亞科總經(jīng)理高啟全稱,有鑒政府將挹注資金給新的TMC公司,現(xiàn)也
- 關(guān)鍵字: TMC DRAM
臺(tái)灣DRAM廠 面臨內(nèi)憂外患
- 三星破天荒公布第二季獲利預(yù)估,優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期,業(yè)界認(rèn)為作多意味濃厚,三星主要業(yè)務(wù)涵蓋面板、手機(jī)、半導(dǎo)體晶片等三大領(lǐng)域,以現(xiàn)況來(lái)看,面板需求暢旺無(wú)虞,但半導(dǎo)體芯片,尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲(chǔ)領(lǐng)域,則仍有觀察空間。 近來(lái)包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等島內(nèi)外大廠,紛紛看好下半年DRAM價(jià)格走勢(shì),為市場(chǎng)信心吞下一顆定心丸。 但業(yè)界憂心,三星第二季整體獲利超乎市場(chǎng)預(yù)期,在記憶體價(jià)格仍未見(jiàn)明顯起色下,是否會(huì)以其他部門的獲利,來(lái)彌補(bǔ)存儲(chǔ)事業(yè)虧損,進(jìn)而持續(xù)以&
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 存儲(chǔ)器
集成電路發(fā)展哲理
- 半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩,身陷其景,會(huì)有“不識(shí)廬山真面目,只緣身在此山中”的感觸。為此,既要“近賞細(xì)微”,又要“臨空瀏覽”,以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。 本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的螺旋式發(fā)展史事,探討主流半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展哲理,供大家參考討論。 發(fā)展歷程 根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1],可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個(gè)階段:
- 關(guān)鍵字: 集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907
英特爾美光及三星開(kāi)始NAND縮微大賽
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無(wú)論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無(wú)實(shí)際的意義。 按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開(kāi)始量產(chǎn)。 在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。 究竟誰(shuí)是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM NAND 存儲(chǔ)器
臺(tái)灣媒體社論:政府救DRAM產(chǎn)業(yè)救到那里去了?
- 日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省日前依據(jù)“產(chǎn)業(yè)再生法”,決定透過(guò)該國(guó)政策投資銀行(DBJ),對(duì)DRAM大廠爾必達(dá)投資300億日?qǐng)A,DBJ并將與日本民間四大銀行連手提供超過(guò)1,000億日?qǐng)A融資,協(xié)助爾必達(dá)度過(guò)難關(guān)。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣二階俊博在記者會(huì)上表示,“爾必達(dá)的經(jīng)營(yíng)若出狀況,將對(duì)日本電子產(chǎn)業(yè)造成極大影響,因此政府決定提供金援”。 看到這則新聞,讓人不無(wú)感慨。馬英九去年12月4日曾告訴外籍記者:“臺(tái)灣DRAM廠倒了,我們的IT產(chǎn)業(yè)就糟糕了。”他
- 關(guān)鍵字: TMC DRAM 手機(jī)
全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷售,本周6月22-26日期間,無(wú)論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。 原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開(kāi)始利潤(rùn)有所好轉(zhuǎn)。 由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問(wèn)題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況,近期DRAM合同價(jià)格趨勢(shì)在零售價(jià)基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無(wú)論DDR2及DDR3的價(jià)
- 關(guān)鍵字: 英特爾 DRAM NAND 34納米
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快,在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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