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美光新加坡廠年底導入40納米　為明年大戰(zhàn)暖身

  • 　　三星電子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導入40納米制程，將成為美光旗下第1個導入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出，雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開始復工生產(chǎn)，但多是采用落后制程生產(chǎn)，也很難募得新資金升級機器設備，因此不認為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會因此惡化。 　　美光表示，2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前
  • 關鍵字： Samsung  40納米  DRAM  

美光：TMC模式不會成功

  • 　　隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠產(chǎn)能相當吸引人，不會像奇夢達倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。 　　現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
  • 關鍵字： 美光  DRAM  NAND  

三星計劃升級美國內(nèi)存芯片工廠 裁員500人

  • 　　三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進行升級改造，這一過程中將裁員500人。 　　三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。 　　今年早些時候，三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當?shù)負碛袃杉夜S，分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
  • 關鍵字： 三星  內(nèi)存芯片  DRAM  NAND  

飛索半導體瘦身 專攻嵌入式和IP授權兩大業(yè)務

  • 　　“2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護而進行的戰(zhàn)略調(diào)整。 　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。 　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
  • 關鍵字： Spansion  DRAM  閃存  

矽品將投資臺灣新成立DRAM公司TMC

  • 　　臺灣新成立DRAM公司——臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)擬于第四季投入市場的計劃正進入沖刺階段，臺灣半導體封測廠矽品周四表示，董事會通過將投資TMC普通股，金額10-20億臺幣，為首家表態(tài)將投資TMC的企業(yè)。 　　矽品發(fā)言人江百宏表示，“決定投資主要是看好TMC與日本爾必達的合作模式，而且這是政府支持的產(chǎn)業(yè)再造計劃。” 　　TMC公司人士則是不予置評。 　　為了整合臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，“經(jīng)濟部”在今年3月便宣布主導成立TMC，由
  • 關鍵字： TMC  DRAM  

耶魯大學和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器

  • 　　耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。 　　耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。 　　“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  閃存  FeDRAM  

爾必達問題出在推遲代工業(yè)務

  • 　　爾必達和Numonyx已經(jīng)推遲它們的代工計劃達6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產(chǎn)，如今要推遲到2010年的上半年。 　　盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達注資，可是對于存儲器制造商爾必達最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達還不可能如奇夢達同樣的命運，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經(jīng)濟剌激，因為從長遠看能生存下來可能是個奇跡。 　　前些時候爾必達CEO己經(jīng)把爾必達的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質(zhì)疑為什么要支持
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  50nm  40nm  

各界看DRAM業(yè)市場及因應之道

  • 　　DDR3需求暢旺，市場缺口本季仍無法滿足，南科、華亞科、力晶等本土DRAM廠陸續(xù)放大DDR3投片量，搶食商機。 　　在英特爾CULV平臺帶動需求下，DDR3價格走勢凌厲。根據(jù)集邦科技(DRAMe change)報價，1Gb DDR3現(xiàn)貨價格已從第二季末的1.5美元附近，近期已站穩(wěn)2.15美元以上，本季以來漲幅逾43%。 　　盡管DDR2最近也開始展開漲價行情，但現(xiàn)貨價仍在1.45美元附近，DDR3與DDR2仍有近五成的價差，價格優(yōu)勢帶動下，將有助推升業(yè)者營運。 　　在DDR3效應推升下，市調(diào)機構
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  DDR3  CULV  

臺灣媒體：奇夢達資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜

  • 　　曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢達進入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。 　　德國內(nèi)存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰，并已正式進入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢達的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
  • 關鍵字： 奇夢達  晶圓  服務器  DRAM  NAND  

分析師擔心:臺灣存儲業(yè)能否籌足資金實現(xiàn)復蘇

  • 　　據(jù)金融時報報道，盡管有跡象表明，臺灣的DRAM存儲芯片產(chǎn)業(yè)可能擺脫為期三年的低迷，但分析師和高管仍然認為，臺灣可能無法充分利用改善中的市場前景。分析師普遍擔心臺灣DRAM存儲芯片公司是否能籌足現(xiàn)金，為工廠引進50納米技術。 　　DRAM芯片是每臺計算機不可缺少的部分，但該產(chǎn)業(yè)的過度擴張導致產(chǎn)品價格大幅下跌，過去三年累計虧損150億美元。 　　而經(jīng)濟危機更加深了該行業(yè)的困境，唯一的歐洲領先DRAM存儲芯片廠商德國奇夢達今年破產(chǎn)。 　　臺灣南亞科技，——世界排名第五，上周稱公
  • 關鍵字： TMC  DRAM  50納米  存儲芯片  DDR3  

爾必達：計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術

  • 　　8月7日消息 據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發(fā)出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。 　　目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。 　　美國鎂光公司則已經(jīng)
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  40nm  50nm  60nm  

DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

  • 　　臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代，差點出現(xiàn)世代交替斷層危機，公司內(nèi)部已研擬2010年將略過50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來真正決戰(zhàn)點會是40納米制程技術。 　　三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉(zhuǎn)進50納米制程，且
  • 關鍵字： DRAM  40納米  60納米  50納米  

南亞科預計第三季晶片產(chǎn)出將增加 將現(xiàn)增100億臺幣資金

  • 　　臺灣動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)制造大廠——南亞科周四表示，個人電腦需求量的日漸升溫將助推高其第三季晶片產(chǎn)出;其稍早公布的第二季虧損已有所縮減。 　　南亞科正押注未來數(shù)月的個人筆記本電腦需求，因這類產(chǎn)品需要新一代效能更高的記憶體晶片;但多數(shù)分析師仍表示，南亞科今年料難由虧轉(zhuǎn)盈。 　　南亞科副總白培霖向記者表示，“DRAM整體市場正逐步復蘇，我們在接下來的幾個月情況應該比較好。” 　　白培霖并稱，公司第三季的位元產(chǎn)出將成長最多20%，而第二季成長率
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  DDR3  

韓國半導體市占率超60% LCD市占率達55%

  • 　　據(jù)報道，三星電子和海力士等企業(yè)在世界半導體市場的占有率超過60%，而且LCD和手機市場占有率分別達到55%和30%，國際IT市場正以韓國企業(yè)為中心重新整編。韓國汽車也在美國、歐洲、中國以驚人地速度擴大市場。 　　據(jù)三星證券分析主要半導體企業(yè)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場份額的結果顯示，韓國企業(yè)第二季度占有率(以出廠量為準)為61.0%，比第一季度的58.1%增加2.9%，比去年同期的47.9%則劇增13.1%。 　　三星電子的占有率從去年第二季度的28.8%增加到今年第一季度的35.0%，第二
  • 關鍵字： 三星  LCD  DRAM  

內(nèi)存廠商奇夢達開始進行破產(chǎn)清算

  • 　　據(jù)國外媒體周三報道，拍賣商GoIndustry DoveBid集團已開始在網(wǎng)站上對奇夢達最后一家工廠的設備進行拍賣。 　　今年1月，奇夢達成為全球經(jīng)濟衰退中第一家申請破產(chǎn)保護的大型芯片廠商。從兩年前開始，DRAM廠商遭遇了全球性的芯片供應過剩問題，導致芯片價格遠低于生產(chǎn)成本。而經(jīng)濟衰退對DRAM廠商的業(yè)務造成進一步影響，同時也使這些公司更難獲得貸款。 　　根據(jù)GoIndustry DoveBid集團網(wǎng)站的信息，對奇夢達兩部分主要設備的在線拍賣將持續(xù)到9月21日。這一拍賣是應奇夢達德累斯頓股份有限公
  • 關鍵字： 奇夢達  DRAM  
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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