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Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動(dòng)DRAM

  • 　　韓聯(lián)社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導(dǎo)體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動(dòng)低電雙倍速率(LPDDR2)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實(shí)現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動(dòng)DRAM，在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。 　　據(jù)介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動(dòng)DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著，1秒內(nèi)下載5、6部普通長(zhǎng)度的
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DDR2時(shí)代終結(jié)？三星啟動(dòng)DDR3交替計(jì)劃

  • 　　三星近日宣布，將全力推動(dòng)DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價(jià)模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線大客戶，利用DDR3與DDR2的差價(jià)策略，鼓勵(lì)PC用戶積極采購(gòu)DDR3平臺(tái)。 　　三星力推DDR3與DDR2無價(jià)差策略 　　DRAM廠表示，三星規(guī)劃DDR3交替腳步相當(dāng)積極，多次出面力挺DDR3時(shí)代將來臨，使得其他DRAM廠包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)等，對(duì)于加快腳步導(dǎo)入DDR3，亦顯得興致高昂。不過，近期三星對(duì)于DDR3價(jià)格殺傷力極大，恐
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傳TMC研發(fā)中心花落聯(lián)電 可望擴(kuò)大聯(lián)電營(yíng)運(yùn)版圖

  • 　　臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)投資計(jì)劃書已正式送交臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局”!根據(jù)業(yè)者由日本爾必達(dá)及通產(chǎn)省所獲知的消息指稱，TMC的制造中心將鎖定瑞晶，研發(fā)中心將結(jié)合聯(lián)電研發(fā)資源。 　　對(duì)此，聯(lián)電高階主管表示毫不知情;“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局對(duì)此說法予以否認(rèn)。 　　業(yè)界盛傳，TMC研發(fā)中心若能進(jìn)一步與聯(lián)電結(jié)果，搭配放寬晶圓廠赴大陸投資規(guī)定，讓聯(lián)電與大陸和艦合并案成形，聯(lián)電集團(tuán)營(yíng)運(yùn)版圖將大幅擴(kuò)大。而瑞晶將成為TMC最大生產(chǎn)基地。 　　對(duì)此傳言，力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示，力晶持
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減產(chǎn)帶動(dòng)市況好轉(zhuǎn) DRAM供過于求隱憂未除

  • 　　制造廠大規(guī)模減產(chǎn)，帶動(dòng)DRAM市況逐步好轉(zhuǎn)，再加上日、韓政府有意紓困DRAM產(chǎn)業(yè)，這使臺(tái)灣TMC推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根計(jì)劃增加難度。不過，全球DRAM產(chǎn)業(yè)仍無法擺脫供過于求隱憂。 　　DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展與TMC未來走向再度受到外界注目。 　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)廠近來紛紛減產(chǎn)自救，并已略具成效。另外，日本及韓國(guó)政府也有意對(duì)DRAM廠紓困，讓臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根難度大增，政府聯(lián)美、日抗韓的夢(mèng)想是否因而幻滅也備受關(guān)注。 　　全球DRAM廠于2006年大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，造成市場(chǎng)嚴(yán)重供過于求，讓DRAM產(chǎn)
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坂本幸雄：DRAM市場(chǎng)將成臺(tái)日抗韓局勢(shì)

  • 　　全球第三的日本DRAM大廠爾必達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)坂本幸雄表示，DRAM市場(chǎng)將成臺(tái)日聯(lián)手抗韓的局勢(shì)，爾必達(dá)將申請(qǐng)約新臺(tái)幣173億元的日本政府紓困金。 　　坂本幸雄接受日本“讀賣新聞”專訪時(shí)表示，DRAM對(duì)產(chǎn)業(yè)的影響極大，希望盡早申請(qǐng)政府紓困金以增強(qiáng)資本。他透露，下個(gè)月7日將申請(qǐng)規(guī)模約500億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣173億)的政府紓困金。 　　日本國(guó)會(huì)22日已通過產(chǎn)業(yè)再生法修正案，基于這項(xiàng)修法，接受政府紓困金的企業(yè)必須接受在3年內(nèi)改善業(yè)績(jī)等的條件。 　　坂本幸雄受訪時(shí)說：“綜觀全球
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俄羅斯政府可能向奇夢(mèng)達(dá)注資

  • 　　徘徊于倒閉邊緣的DRAM制造商奇夢(mèng)達(dá)可能已經(jīng)找到了潛在投資者。德國(guó)薩克森州州長(zhǎng)本周發(fā)表聲明稱俄羅斯聯(lián)邦政府正在考慮向奇夢(mèng)達(dá)注資。薩克森州州長(zhǎng)Stanislaw Tillich的一位發(fā)言人稱，俄羅斯總理普京在本周早些時(shí)候與Tillich會(huì)晤后，指示俄羅斯工業(yè)與貿(mào)易部部長(zhǎng) Viktor Khristenko考慮向奇夢(mèng)達(dá)投資的有關(guān)事宜。   　　而在四月初，此前媒體報(bào)道的三家有意投資奇夢(mèng)達(dá)的俄羅斯公司：Angstrem, Sitronics以及AFK-Sistema都否認(rèn)了他們的投資計(jì)劃。它們
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現(xiàn)貨市場(chǎng)供給吃緊 有助于DDR2 1Gb顆粒價(jià)格上漲

  • 　　現(xiàn)貨市場(chǎng)供給吃緊，將有助于DDR2 1Gb顆粒價(jià)格未來上漲趨勢(shì) 　　DRAM顆?，F(xiàn)貨價(jià)格自4月13日的0.95美元上漲至4月16日的1.13美元，漲幅達(dá)19%，據(jù)市場(chǎng)人士表示由于eTT的主要供應(yīng)者如力晶和爾必達(dá)在短期間將停止顆粒出貨至現(xiàn)貨市場(chǎng)中，現(xiàn)貨市場(chǎng)買家進(jìn)場(chǎng)補(bǔ)貨,拉高庫(kù)存，帶動(dòng)DDR2 1Gb eTT價(jià)格一度上漲至1.20美元。 　　上周現(xiàn)貨市場(chǎng)傳出爾必達(dá)將停止出貨給臺(tái)灣模塊廠客戶，力晶也決定到六月底前將出貨的數(shù)量控制在最低水位，影響所及，也讓投機(jī)性買盤在現(xiàn)貨市場(chǎng)中發(fā)酵并讓DDR2 1Gb e
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瑞晶65納米制程將獲利　DRAM廠不靠政府仍可存活

  • 　　臺(tái)、日合資的瑞晶將旗下7.5萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)65納米製程后，由于極具成本競(jìng)爭(zhēng)力，1Gb DDR2價(jià)格只要跨過1.5美元門檻，瑞晶營(yíng)運(yùn)就會(huì)開始有現(xiàn)金流入，對(duì)照22日現(xiàn)貨價(jià)已漲至1.2美元，瑞晶極可能在5月成為臺(tái)灣第1家開始獲利的DRAM廠。臺(tái)DRAM廠認(rèn)為，這證明不用靠政府，還是可以活過來! 　　爾必達(dá)(Elpida)與力晶合資DRAM廠瑞晶，旗下中科12吋晶圓廠單月滿載產(chǎn)能8萬片，日前已將原本70納米製程全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)65納米製程，由于轉(zhuǎn)換過程部分機(jī)器設(shè)備有瓶頸，產(chǎn)出微幅減少5,000片，單月實(shí)際產(chǎn)能7.
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇的報(bào)告過于夸張

  • 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。 　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內(nèi)增長(zhǎng)。第二季度DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入合計(jì)將增長(zhǎng)3.6%，第三和第四季度分別增長(zhǎng)21.9%和17.5%。 　　圖4所示為iSuppli公
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爾必達(dá)DRAM擬漲價(jià)并尋求注資 股價(jià)勁升15%

  • 　　北京時(shí)間4月22日晚間消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本爾必達(dá)記憶體股價(jià)周三大漲近15%，因其計(jì)劃大幅上調(diào)芯片價(jià)格，同時(shí)有報(bào)導(dǎo)指該公司可能尋求5億美元公共注資以充實(shí)資本。 　　該公司下月起將上調(diào)晶片價(jià)格約50%，因?yàn)橄惹暗臏p產(chǎn)已經(jīng)緩解芯片產(chǎn)業(yè)供應(yīng)過剩的局面。爾必達(dá)是全球第三大動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)廠商。 　　芯片廠商在過去繁榮時(shí)期的過度投資，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)步入長(zhǎng)達(dá)兩年的下滑，奇夢(mèng)達(dá)被迫申請(qǐng)破產(chǎn)，而累累虧損的爾必達(dá)亦被迫與臺(tái)灣記憶體公司結(jié)盟，后者是臺(tái)灣政府設(shè)立的企業(yè)，旨在救援本地芯片廠商。 　　全球經(jīng)濟(jì)
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ASML的上半年訂單落空 預(yù)期下半年有望回復(fù)

  • 　　按全球第一大光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML公司的預(yù)估，其Q1的銷售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元，而去年同期為9.19億歐元，下降達(dá)80%。 　　ASML預(yù)計(jì)Q2的銷售額在2.1-2.3億歐元間，因?yàn)槭芄に囍瞥痰倪M(jìn)一步縮小推動(dòng)，產(chǎn)業(yè)可能會(huì)在今年下半年開始復(fù)蘇，訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會(huì)要求購(gòu)買新的或者升級(jí)現(xiàn)有的設(shè)備。 　　如08年僅只有各領(lǐng)域的領(lǐng)先者在購(gòu)買設(shè)備，主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶。預(yù)計(jì)2009年會(huì)加速工藝制
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DRAM廠50nm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)與資本投資

  • 　　DRAM價(jià)格持續(xù)低于現(xiàn)金成本;2009年資本支出大減56% 　　隨著全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨了超過二年的不景氣，加上去年下半年金融風(fēng)暴襲卷造成消費(fèi)需求急凍之下，2008年DRAM顆粒價(jià)格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb價(jià)格回到了0.88美元均價(jià)，但仍在材料成本與現(xiàn)金成本之間，在DRAM廠本身面臨到極大的現(xiàn)金流出壓力下，不僅要大幅減產(chǎn)因應(yīng)，對(duì)新制程轉(zhuǎn)進(jìn)，也在大減資本支出下延后時(shí)程。根據(jù)集邦科技調(diào)查統(tǒng)計(jì)，全球2009年的DRAM資本支出已經(jīng)下修至54億美元，比起2008年時(shí)122億
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日本臺(tái)灣內(nèi)存廠家聯(lián)手向韓國(guó)宣戰(zhàn)

  • 　　繼三星電子和海力士之后列世界第三位的存儲(chǔ)芯片企業(yè)——日本爾必達(dá)公司總經(jīng)理坂本幸雄作為日本半導(dǎo)體業(yè)界的先鋒隊(duì)隊(duì)長(zhǎng)站了出來。本月初他與臺(tái)灣政府結(jié)成“反韓國(guó)半導(dǎo)體同盟”，主導(dǎo)“打倒韓國(guó)”的計(jì)劃。 　　坂本幸雄在接受日本媒體采訪時(shí)表示：“我們要改變世界存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的格局，形成日本和臺(tái)灣同盟占有40%市場(chǎng)，三星電子30%、其余企業(yè)30%的市場(chǎng)格局。”也就是說，他根本沒把世界排名第二的海力士放在眼里。 　　坂本幸雄
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臺(tái)灣記憶體公司面臨更嚴(yán)格審查

  • 臺(tái)灣政府面臨對(duì)臺(tái)灣記憶體公司(Taiwan Memory)越來越嚴(yán)格的審查。為了改革臺(tái)灣陷入困境的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(D-Ram)芯片業(yè)，臺(tái)灣政府成立了臺(tái)灣記憶體公司。 臺(tái)灣立法院經(jīng)濟(jì)委員會(huì)昨天通過了一項(xiàng)提案，要求政府定期提供有關(guān)臺(tái)灣記憶體公司的報(bào)告。 提出提案的反對(duì)黨立委潘孟安表示，臺(tái)灣記憶體公司的結(jié)構(gòu)已經(jīng)與立法者和行業(yè)的預(yù)期大不相同。“臺(tái)灣記憶體成立時(shí)，我們以為它能加快產(chǎn)業(yè)整合，幫助臺(tái)灣與韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)，但希望的火花變成了曇花一現(xiàn)。” 臺(tái)灣記憶體公司是為了應(yīng)對(duì)D-Ram產(chǎn)業(yè)迄今
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日本政府和臺(tái)灣當(dāng)局支持爾必達(dá)與TMC合作

  • 　　日前日本政府與臺(tái)灣當(dāng)局達(dá)成共識(shí)，將針對(duì)日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá)公司及臺(tái)灣當(dāng)局出資設(shè)立的臺(tái)灣內(nèi)存(TMC)公司的合作提供支持。 　　報(bào)導(dǎo)指出，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的審議官木村雅昭近日造訪臺(tái)灣當(dāng)局，一致同意期待爾必達(dá)與TMC的合作。 　　日本本期國(guó)會(huì)將審議有關(guān)產(chǎn)業(yè)活力再生特別措施法(簡(jiǎn)稱「產(chǎn)業(yè)再生法」)的修正案，爾必達(dá)正考慮在修法之后，運(yùn)用官方的紓困金以增強(qiáng)資本。 　　日本政府也在檢討該修正案通過后，如何提供具體的支持。 　　報(bào)導(dǎo)指出，TMC是臺(tái)灣官民合資所成立的新公司。爾必達(dá)于4月1日決定將與TMC合作。
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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