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Gartner:蓬勃的DRAM市場為內(nèi)存制造商帶來增長
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結(jié)果,2014年全球半導體總營收為3398億美元,與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導體廠商合并營收增長率為11.7%,優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%,比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示:“就群體來看,DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今,2014年營收也因而增長31.
- 關鍵字: Gartner DRAM 英特爾
Gartner:全球半導體產(chǎn)值 去年估增7.9%
- 研調(diào)機構(gòu)顧能(Gartner)初估,2014年全球半導體產(chǎn)值達3398億美元,年增7.9%。 顧能表示,動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)供應商去年營運表現(xiàn)超過整體半導體產(chǎn)業(yè)水準。 顧能指出,受惠市場供不應求及價格持續(xù)穩(wěn)定,去年DRAM市場產(chǎn)值大增31.7%;記憶體市場去年產(chǎn)值成長16.9%,是帶動去年半導體產(chǎn)業(yè)成長的最大動力。 去年不計記憶體的半導體產(chǎn)值年增5.4%,遠比2013年成長0.8%佳。 據(jù)顧能統(tǒng)計,英特爾(Intel)去年營收達508.4億美元,蟬聯(lián)全球半導體龍頭地位
- 關鍵字: DRAM 英特爾 高通
韓半導體投資擴大 設備廠新年度期待滿滿
- 韓系半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)持續(xù)擴大尖端DRAM和NAND Flash產(chǎn)線,2014年受到半導體市場榮景帶動對產(chǎn)線投資而荷包滿滿的設備業(yè)者,預期2015年也將迎來亮眼的業(yè)績。 據(jù)ET News報導,三星和SK海力士2015年可望為擴充DRAM、NAND Flash、系統(tǒng)芯片產(chǎn)線而執(zhí)行投資。因轉(zhuǎn)換微細制程,導致生產(chǎn)量減少,且伺服器DRAM、PC DRAM、PC DRAM和NAND Flash需求增加。 三星17產(chǎn)線將于201
- 關鍵字: 三星 SK海力士 DRAM
三星及SK海力士將投資19萬億韓元研發(fā)芯片
- 三星電子和世界頂級的內(nèi)存芯片制造商SK海力士計劃在2015年投資19萬億韓元用于研發(fā)芯片,此次投資計劃高于去年17.7萬億韓元的芯片投資資金。據(jù)美國一位對沖基金負責人表示,三星電子和SK海力士希望通過此次19萬億韓元的投資,改善產(chǎn)品結(jié)構(gòu),適應市場狀況,調(diào)整市場的供求平衡。 據(jù)悉,一些對沖基金和市場投資機構(gòu)都紛紛看好三星電子和SK海力士的未來發(fā)展。按照投資計劃,三星電子計劃投資3.5萬億韓元,SK海力士計劃投資5.5萬億韓元。三星一位官員表示,三星的銷量增長將在2015年降至最低。三星不希望在其芯
- 關鍵字: 三星 SK海力士 DRAM
三星鎖定存儲器市場7成獲利 SK海力士、東芝緊張
- 三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲器市場70%以上獲利,加速研發(fā)新技術與擴大產(chǎn)量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨霸而聯(lián)手,但技術力差距牽制不易。同時,因智能型手機事業(yè)陷低潮的三星,能否借存儲器事業(yè)翻身成為焦點。 據(jù)韓媒E-Daily報導,三星為搶占2015年存儲器半導體市場營業(yè)利益的70%正研擬策略。2015年合計DRAM與NAND Flash的整體存儲器半導體營收規(guī)模預估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。 更多
- 關鍵字: 三星電子 存儲器 DRAM
DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元,將創(chuàng)歷史新高紀錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對激烈,且難以預料;去年下半
- 關鍵字: DRAM 三星 海力士 NAND Flash
20納米制程 躍今年DRAM主秀
- 隨三星宣布20奈米制程正式產(chǎn)出LPDDR 4 DRAM,SK海力士及華亞科(3474)也預定第2季導入20奈米量產(chǎn),讓今年DRAM產(chǎn)業(yè)主流技術,將正式推進至20奈米世代。 不過,20奈米需要投入龐大的資本支出,各DRAM考量必須在獲利的基礎上進行擴充,也讓今年各家20奈米制程推進趨于緩慢。集邦科技出具今年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢報告,預告今年DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)維持寡占格局,支持DRAM持穩(wěn)不墜,今年各家DRAM廠仍處于全面獲利的一年。 集邦預估,今年DARM產(chǎn)值達541億元,年增16%。
- 關鍵字: 三星 DRAM SK海力士
三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉(zhuǎn)換制程,2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中,將有5成以上采20納米技術生產(chǎn)。三星預計以差別化制程技術,在伺服器和高階移動裝置用次世代DRAM市場上拉開與其他競爭對手的差距,維持市場獨大地位。 據(jù)韓國首爾經(jīng)濟報導,三星計劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange近期資料指出,三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示,目前20納米
- 關鍵字: 三星 DRAM
三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉(zhuǎn)換制程,2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中,將有5成以上采20納米技術生產(chǎn)。三星預計以差別化制程技術,在伺服器和高階移動裝置用次世代DRAM市場上拉開與其他競爭對手的差距,維持市場獨大地位。 據(jù)韓國首爾經(jīng)濟報導,三星計劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange近期資料指出,三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示,目前20納米
- 關鍵字: 三星 DRAM 20納米
美光讓利不變 華亞科明年大賺
- DRAM廠華亞科與兩大股東臺塑集團、美國美光(Micron)等三方之間,已經(jīng)對明年合約內(nèi)容達成共識,明年華亞科出貨給美光的DRAM計價公式,與今年相同維持不變。 ? 美光DRAM產(chǎn)能配置 華亞科明年將投資逾500億元加速轉(zhuǎn)進20奈米,隨著20奈米產(chǎn)出比重逐月持續(xù)拉升,單位制造成本將持續(xù)下降,只要DRAM價格維持高檔,獲利可望大躍進,全年每股凈利挑戰(zhàn)8元以上。 華亞科去年與美光重新簽訂6年期合約,華亞科產(chǎn)出全數(shù)交給美光,今年初合約內(nèi)容進行部分調(diào)整,給予美光的折扣
- 關鍵字: 美光 DRAM
DRAM將大缺貨?iPhone 7 DRAM容量傳倍增
- 記憶體品牌威剛科技將于2015年1月6日至9日參與全球消費性電子產(chǎn)品盛事─“國際消費性電子展”(CES)?,F(xiàn)場將展示全產(chǎn)品存儲解決方案,包含高效能DDR4記憶體模組、全系列固態(tài)硬碟(SSD)、USB 3.1外接式存儲裝置、Type C OTG隨身碟、與全方位行動周邊產(chǎn)品。展現(xiàn)最先進的存儲科技。 威剛將實機展示世界最快、時脈達3465 MHz玩家級16GB (4GBx4)XPG Z1 DDR4記憶體模組,搭配全新閃耀金光散熱片,展現(xiàn)極速效能。此外,領先展出時脈3200 MH
- 關鍵字: 威剛 DRAM iPhone 7
dram介紹
DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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