隨著來自社交網站、電子商務以及各種行動裝置的數位資訊流暴增，巨量資料(big data)已經為IT基礎建設帶來壓力;而當物聯網(IoT)不斷發(fā)展、可穿戴式裝置開始興盛，對記憶體以及快閃記憶體儲存裝置來的壓力又是什么?
很明顯的是，新一代裝置將對記憶體以及資料儲存元件的功耗、性能以及外形有獨特的需求;在此同時，眾多物聯網設備與可穿戴式裝置的功能，會只是單純的收集與傳送資訊到云端或資料中心，以進行處理。
IHS分析師Cliff Leimbach表示，在物聯網世界，記憶體將會被非常廣泛地使用，出
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物聯網 存儲器 DRAM
市場研究公司IC Insights最近根據第一季度的數據，修正了其對2004年半導體市場的預測。IC Insights的數據顯示，雖然2004年第一季度全球IC出貨量比2000年第一季度增長了30%，但芯片平均銷售價格(ASP)卻下跌了20%。
IC Insights表示，與2003年同期相比，2004年第一季度半導體ASP增長了5%，但第一季度IC市場的增長主要是來自出貨量的提升。2004年第一季度全球IC市場同比增長達32%，其中IC出貨量同比增長了26%。與2003年第四季度相比，第一季度
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DRAM MOS顯示驅動器
國際研究暨顧問機構Gartner表示，今(2014)年全球半導體資本支出總金額預計將達645億美元，較去(2013)年的578億美元增加11.4%;另由于記憶體平均售價上揚，加以消費產品需求增加，全年度資本度設備支出將年成長17.1%。與前一次預測相較，Gartner已微幅上修了2014年半導體設備相關預測。就長期而言，Gartner認為，現行半導體周期結束前都將維持溫和成長，惟設備市場預計將在2016年略顯停滯。
Gartner資深分析師David Christensen表示，去年資本支出的表
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半導體 DRAM
游戲機、數字電視(DTV)和個人電腦等流行的消費類電子產品的功能越來越多，性能也越來越高。這些產品數據處理能力的增強使它們的DRAM存儲器接口功能與產品本身的功能緊密聯系在一起，以支持更多功能和更高性能。數據速率達數Gbps的存儲器接口架構可以幫助這些產品實現所需的功能和性能，但是存儲器接口設計必須克服艱巨的挑戰(zhàn)才能達到想要的產品性能和質量。
更新一代的DDR3DRAM和XDR DRAM物理層接口(PHY)具有一些特殊的性能，完全可以克服數Gbps存儲器接口架構帶來的挑戰(zhàn)。但是，DDR3 SDR
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存儲器 DRAM DDR3
全球存儲器芯片龍頭三星為鞏固存儲器事業(yè)獲利，近期與服務器龍頭惠普(HP)等大廠敲定第4季DRAM合約價上漲3%協議，化解市場擔心三星啟動新一波價格戰(zhàn)的疑慮，華亞科、南亞科等業(yè)者可望松一口氣。
先前市場憂心，三星將砸巨資蓋新廠，恐鎖定DRAM擴產，不利DRAM后市。
三星芯片事業(yè)總裁金奇南(KinamKim)先前便表態(tài)，三星新廠不會導致產業(yè)產能過剩，如今三星以實際漲價行動為DRAM事業(yè)護盤，印證不會讓市場崩盤的決心。
通路商透露，三星此波主要調漲服務器及標準型DRAM價格。
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三星 DRAM
全球存儲器芯片龍頭三星為鞏固存儲器事業(yè)獲利，近期與服務器龍頭惠普(HP)等大廠敲定第4季DRAM合約價上漲3%協議，化解市場擔心三星啟動新一波價格戰(zhàn)的疑慮，華亞科、南亞科等業(yè)者可望松一口氣。
先前市場憂心，三星將砸巨資蓋新廠，恐鎖定DRAM擴產，不利DRAM后市。
三星芯片事業(yè)總裁金奇南(Kinam Kim)先前便表態(tài)，三星新廠不會導致產業(yè)產能過剩，如今三星以實際漲價行動為DRAM事業(yè)護盤，印證不會讓市場崩盤的決心。
通路商透露，三星此波主要調漲服務器及標準型DRAM價格
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三星 DRAM
國際研究暨顧問機構Gartner發(fā)布最新預測指出，2014年全球半導體銷售業(yè)績將達3,380億美元，較2013年增長7.2%，高于上一季所預測的6.7%。
Gartner研究總監(jiān)JonErensen表示：“受益于美國節(jié)慶旺季(holidayseason，10~12月)準備的強勁電子零組件需求，2014年第三季半導體營收來到歷史高點。為大量新產品上市做足準備，涵蓋簡易的低價平板到高階ultramobile裝置和智能手機。iPhone6及iPhone6Plus的需求穩(wěn)健，但其他以節(jié)慶
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半導體 DRAM
根據 TrendForce 的新報告顯示，蘋果 2015 年的移動消費 DRAM(動態(tài)隨機存儲記憶體)量將會從今年占行業(yè)的 16.5%上漲到 25%，因為蘋果正在生產更多的智能手機，平板甚至是配備 DRAM 的筆記本電腦。相信 PC 的 DRAM 生產商也會轉移到移動 DRAM 的生產來迎合這些公司的發(fā)展需求。
在重新加入到蘋果的供應鏈之后，三星就在調整 2015 年的擴充計劃。除了將 DRAM 加快列入 20nm 制程之外，這家韓國的巨頭還計劃加快其移動 DRAM 的產能。同時，DRAM
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DRAM 智能手機
蘋果需求將猛增至25%三大DRAM廠調整產能規(guī)劃
隨著蘋果的iPhone6與iPhone6Plus的上市，全球掀起一股搶購熱潮;第四季預計還有容量將升級至2GB的iPadAir2，及首度搭載LPDDR3的新款MacbookPro，都讓消費者引頸期盼。由于蘋果在手機、平板以及筆電上皆采用移動式內存，TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協理吳雅婷預估，蘋果在移動式內存的消化量已達產業(yè)總產出的16.5%，2015年更上看25%，對價錢及廠商生產計劃的影響力不容小覷。
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蘋果 DRAM
根據 TrendForce 的新報告顯示，蘋果 2015 年的移動消費 DRAM(動態(tài)隨機存儲記憶體)量將會從今年占行業(yè)的 16.5%上漲到 25%，因為蘋果正在生產更多的智能手機，平板甚至是配備 DRAM 的筆記本電腦。相信 PC 的 DRAM 生產商也會轉移到移動 DRAM 的生產來迎合這些公司的發(fā)展需求。
在重新加入到蘋果的供應鏈之后，三星就在調整 2015 年的擴充計劃。除了將 DRAM 加快列入 20nm 制程之外，這家韓國的巨頭還計劃加快其移動 DRAM 的產能。同時，DRAM
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DRAM 智能手機
億光、光寶、東貝、葳天等LED下游封裝、系統廠嗅到春燕，業(yè)者都表示LED產業(yè)明年會很好，億光董事長葉寅夫指出，億光和晶電明年都會比今年好;東貝和葳天更喊出LED產業(yè)至少會好三年。
光寶董事長宋恭源昨(24)日也表示，大陸前幾年大力補助LED產業(yè)，對臺灣LED造成的破壞很厲害，但經過五、六年后，市場逐漸恢復正常，過去大陸有二、三百家業(yè)者，現在較具規(guī)模只有不到五、六家，LED產業(yè)可望回到較合理的狀況，光寶也看好明年LED業(yè)務。
葉寅夫強調，LED產業(yè)明年會比今年更好，主要是LED照明日益普及，
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LED DRAM
三星已將20奈米制程擴大到Mobile DRAM，大幅減少成本之外，業(yè)內更是估計三星將會在2015年研發(fā)出10奈米級產品，并在2016年投產。
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20納米 DRAM
受惠于2014年智慧型手機出貨量年成長率接近30%，加上智慧型手機與品牌平板電腦單機搭載Mobile DRAM位元需求量快速提升推動，DIGITIMES Research預估，2014年下半全球Mobile DRAM位元需求量將較2013年同期成長37.5%，為包括Specialty DRAM與Graphics DRAM等利基型DRAM(Niche DRAM)中成長表現最佳產品。
蘋果(Apple)于2014年9月所推出最近款智慧型手機iPhone 6與iPhone 6 Plus單機搭載Mo
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智慧手機 DRAM
全球市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，雖然三星與SK海力士的新工廠仍將于2015年陸續(xù)完工，但明年度的投片計劃正仍在進行調整，如三星Line17工廠原本預定第二季大量投片的計劃已經遞延，自明年第二季從每月10K開始增加，采隨市場狀況的漸進式增產，此舉不光可以穩(wěn)定獲利結構，亦可隨時調整產品類別與比重，預計明年年末投片暫定為40K。但此同時隨著20nm制程的比重提升，該制程由于復雜度高，舊工廠在空間不足亦無法增添新設備下，投片會有減少的可能性，整體來看，三星即
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DRAM 25nm
美光(MicronTechnology)、SanDiskCorp.2日股價分別下挫3.34%、2.37%，主要是受到DRAM恐怕會在2015年供給過剩的影響。
MarketWatch2日報導，Wedbush分析師BetsyVanHees在接受專訪時表示，這兩檔個股之所以下跌，明顯是受到有報導指出記憶體市況面臨供給過剩隱憂的消息沖擊。EETimes2日發(fā)表文章指出，DRAM業(yè)者預料會在第4季增加產能，可能會讓記憶體芯片大廠面臨相當多的挑戰(zhàn)，這當中包括供給過剩。
美光2日終場下挫3.34%、收
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DRAM 芯片
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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