首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用

  • 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
  • 關(guān)鍵字： MHP技術(shù)  鋰電池  電路保護(hù)  MOSFET  

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

  • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  開關(guān)損耗  主導(dǎo)參數(shù)  

羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  MOSFET  DC/DC  

恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  MOSFET  

IR推出車用功率MOSFET

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
  • 關(guān)鍵字： 情況  解析  方案  相關(guān)  MOSFET  電阻  下降  功率  能使導(dǎo)  

開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

  • 開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
  • 關(guān)鍵字： 介紹  分析  電路  驅(qū)動(dòng)  MOSFET  開關(guān)電源  

MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計(jì)

  • 目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
  • 關(guān)鍵字： 電源  設(shè)計(jì)  簡化  封裝  芯片  功率  MOSFET  

中國新一代汽車電子的兩大設(shè)計(jì)趨勢

  • 如今的汽車市場正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊，與此同時(shí)，提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動(dòng)著新一代汽車的發(fā)展，并...
  • 關(guān)鍵字： 智能開關(guān)  MOSFET  DC-DC轉(zhuǎn)換器  

恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件

  • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時(shí)的延長壽命測試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求)，同時(shí)具有極低PPM 水平。
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  MOSFET  

車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  車用  如何提高  能量    

典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案

  • 功率場效應(yīng)晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能好、...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動(dòng)  保護(hù)電路  

MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

  • 摘要：率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  應(yīng)用  電路  保護(hù)  驅(qū)動(dòng)  MOSFET  

精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

  • 電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  精確測量  導(dǎo)通電阻    

IR推出緊湊型PowIRaudio模塊

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個(gè)數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊的解決方案，有助于減少零部件數(shù)量，縮小高達(dá)70% 的電路板尺寸，并能簡化D類放大器設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  PowIRaudio  
共1261條 53/85 |‹ « 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 » ›|

elitesic mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條elitesic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對elitesic mosfet的理解，并與今后在此搜索elitesic mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473