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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

  • b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解,人們將其用于信息通信...
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實(shí)現(xiàn)汽車器件0ppm目標(biāo)的舉措

  • 汽車可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車可能是我們每個(gè)人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽起來有失偏頗,并且如果您的...
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雙柵極SET與MOSFET的混合特性

  • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性  由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
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MOSFET柵漏電流噪聲分析

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢,導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
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瑞薩電子推出工業(yè)用首個(gè)微控制器

  • 高級半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET,用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。
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Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?~600m?,將最高電流等級擴(kuò)展至7A~73A。
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Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動器產(chǎn)品系列

  • 全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時(shí)間,可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間控制和靈活的控制輸出。
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功率MOSFET管驅(qū)動變壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要: 對具有驅(qū)動變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動電路的動態(tài)過程進(jìn)行了分析,推導(dǎo)了驅(qū)動變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)(繞組電流有效值,變壓器功率)的計(jì)算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響,并通過仿真和試
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Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU,擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
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Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅(jiān)固ORing控制器

  • 全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護(hù)的堅(jiān)固、緊湊型ORing FET控制器。
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同步降壓MOSFET電阻比的選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常,作為設(shè)計(jì)過程的一個(gè)組
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恩智浦提供汽車認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET,專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),具有一流的性能和可靠性;同時(shí),與通常需要使用兩個(gè)器件的DPAK解決方案相比,節(jié)省了77%的占位面積。
  • 關(guān)鍵字: 恩智浦  LFPAK56D  MOSFET  

意法半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

  • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對功率和能效的要求,瞄準(zhǔn)太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應(yīng)用。
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如何為具體應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)腗OSFET

  • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù),但為了選擇出合適的MOSFET,工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如,對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用,由于MOSFET基本上
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