EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
elitesic mosfet
elitesic mosfet 文章 進(jìn)入elitesic mosfet技術(shù)社區(qū)
Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC
- 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞,2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC,新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動(dòng)器以及兩個(gè)MOSFET同時(shí)集成到了一個(gè)低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設(shè)計(jì)靈活性,既可提升效率(最高效率可超過97%),又可縮小尺寸,即利用高頻工作(最高達(dá)750 kHz)來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
- 關(guān)鍵字: Power Integrations MOSFET HiperLCS器件
電動(dòng)自行車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
- 電動(dòng)自行車具有環(huán)保節(jié)能,價(jià)格合適,無噪聲,便利等特點(diǎn),因此,電動(dòng)自行車成為當(dāng)今社會(huì)人們主要的代步工具。與此同時(shí),消費(fèi)者和商家對(duì)整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
- 關(guān)鍵字: 電路 設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) MOSFET 自行車 控制器 電動(dòng)
高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧
- 隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn),為了滿足那些需求,并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法,半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去,MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場(chǎng)的
- 關(guān)鍵字: MOSFET 高精度 設(shè)計(jì)技巧
IR推出新系列40V至200V車用MOSFET
- 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝,電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)?;鶞?zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐,60V 下最大為2.1 毫歐,75V 下為 2.6 毫歐,100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET
新日本無線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅(qū)動(dòng)器
- 為了減輕對(duì)環(huán)境的影響,最新的電子設(shè)備急需高效率化,并且對(duì)其中配備的電機(jī)、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢(shì)(軟件控制)。因此,電子設(shè)計(jì)工程師除了需要微處理器/DSP的知識(shí)之外,關(guān)于功率器件的驅(qū)動(dòng)知識(shí)也是必不可少。
- 關(guān)鍵字: 新日本無線 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器NJW4800
英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新推出的器件系列采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝,電流范圍為50A至180A,囊括30多個(gè)器件型號(hào),其中包括通態(tài)電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準(zhǔn)。
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 汽車電源 MOSFET
英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片
- 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
elitesic mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條elitesic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)elitesic mosfet的理解,并與今后在此搜索elitesic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)elitesic mosfet的理解,并與今后在此搜索elitesic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473