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飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
- 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo)體 英飛凌科技 MOSFET
飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。 飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分,為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。 這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展,旨在為客戶保證供
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Diodes:MOSFET控制器提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗,有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評級要求。 這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣,介于5V至25V之間,可由適配器的19V供電軌直接供電,并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下,保證器件正常
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MOSFET控制器有助提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其額定電壓為25V,適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管,并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗,有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此,該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評級要求。
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET ZXGD3104N8
Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作
- Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。 這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案
- 英飛凌汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案主要由5個(gè)MOSFET、2個(gè)高電壓驅(qū)動(dòng)器、1個(gè)PFC控制器和1個(gè)HID燈鎮(zhèn)流...
- 關(guān)鍵字: HID燈鎮(zhèn)流器 MOSFET 高電壓驅(qū)動(dòng)器
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