首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車延長5%里程的秘訣

  • 不斷增長的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動(dòng)著人們選用電動(dòng)汽車 (EV)，令電動(dòng)汽車日益普及。高盛近期的一項(xiàng)研究顯示，到 2023 年，電動(dòng)汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預(yù)計(jì)將增長至 30%；到 2035 年，電動(dòng)汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動(dòng)汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
  • 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車  逆變器  SiC  MOSFET  

SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
  • 關(guān)鍵字： SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

為敏感電路提供過壓及電源反接保護(hù)！

  • 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴(yán)酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負(fù)電源電壓，設(shè)計(jì)人員慣常的做法是布設(shè)一個(gè)與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負(fù)載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  二極管  LTC4365  

了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

  • Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
  • 關(guān)鍵字： Littelfuse  MOSFET  

適用于熱插拔應(yīng)用的具有導(dǎo)通電阻的高效 MOSFET

  • 熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的負(fù)載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進(jìn)一步損壞電子設(shè)備。簡介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源；這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負(fù)載可能會產(chǎn)生較大的
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  導(dǎo)通電阻  

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

  • 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開發(fā)。       NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
  • 關(guān)鍵字： NCD57000  驅(qū)動(dòng)器  IGBT  MOSFET  onsemi  馬達(dá)控制  

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

  • 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。EiceDRIVER?增強(qiáng)型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達(dá)2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護(hù)、
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  EiceDRIVER  MOSFET  

100W MOSFET功率放大器電路

  • 我們設(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。 所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅(qū)動(dòng)級是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無噪聲放大信號
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  MOSFET  

高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計(jì)理念

  • 合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSF
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

全球SiC爭霸賽，誰在豪擲千金？

  • “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠(yuǎn)的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個(gè)國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達(dá)到鼓勵(lì)美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長期
  • 關(guān)鍵字： SiC  MOSFET  功率損耗  碳中和  

英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件

  • 【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  高壓超結(jié)  MOSFET  

如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您

  • 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
  • 關(guān)鍵字： ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

  • 功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  MOS  

安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構(gòu)

  • 自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會成為
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  車載充電器  
共1261條 6/85 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

elitesic mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條elitesic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對elitesic mosfet的理解，并與今后在此搜索elitesic mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473