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EMI 輻射信號(hào)強(qiáng)度解析

　　需要距離輻射源多遠(yuǎn)才能使輻射信號(hào)不干擾系統(tǒng)呢?要想知道這個(gè)問(wèn)題的答案，需要思考下面兩個(gè)問(wèn)題：1)輻射源的輻射能量大小;2)系統(tǒng)的 EMI 保護(hù)電路性能如何。本文中，我們將首先討論第一個(gè)問(wèn)題。　　呈輻射狀的電磁干擾 (EMI) 信號(hào)會(huì)從輻射源傳播至某個(gè)接收單元。根本而言，這些信號(hào)的功率或者電壓強(qiáng)度在“觸及”敏感的電路時(shí)，取決于發(fā)送器的功率/天線增益以及輻射源和接收器之間的距離(請(qǐng)參見(jiàn)圖 1)。　　　　圖 1 輻射源和接收器之間的 EMI 電場(chǎng)和功率
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淺談集成電路對(duì)EMI設(shè)計(jì)的影響

　　電磁兼容設(shè)計(jì)通常要運(yùn)用各項(xiàng)控制技術(shù)，一般來(lái)說(shuō)，越接近EMI源，實(shí)現(xiàn)EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來(lái)源，因此，如果能夠深入了解集成電路芯片的內(nèi)部特征，可以簡(jiǎn)化PCB和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中的EMI控制。　　在考慮EMI控制時(shí)，設(shè)計(jì)工程師及PCB板級(jí)設(shè)計(jì)工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對(duì)電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對(duì)EMI控制的影響。　　集成電路EMl來(lái)源　　PC
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EMI/EMC設(shè)計(jì)PCB被動(dòng)組件的隱藏行為和特性解析

傳統(tǒng)上，EMC一直被視為“黑色魔術(shù)(black magic)”。其實(shí)，EMC是可以藉由數(shù)學(xué)公式來(lái)理解的。不過(guò)，縱使有數(shù)學(xué)分析方法可以利用，但那些數(shù)學(xué)方程式對(duì)實(shí)際的EMC電路設(shè)計(jì)而言，仍然太過(guò)復(fù) 雜了。幸運(yùn)的是，在大多數(shù)的實(shí)務(wù)工作中，工程師并不需要完全理解那些復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式和存在于EMC規(guī)范中的學(xué)理依據(jù)，只要藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)模型，就能夠明白要如何達(dá)到EMC的要求。　　本文藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式和電磁理
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有效解決手機(jī)EMI及ESD干擾的新型濾波器設(shè)計(jì)

　　目前對(duì)于許多流行的手機(jī)(尤其是翻蓋型手機(jī))而言，手機(jī)的彩色LCD、OLED顯示屏或相機(jī)模塊CMOS傳感器等部件，都是通過(guò)柔性電路或長(zhǎng)走線PCB與基帶控制器相連的，這些連接線會(huì)受到由天線輻射出的寄生GSM/CDMA頻率的干擾。同時(shí)，由于高分辨率CMOS傳感器和TFT模塊的引入，數(shù)字信號(hào)要在更高的頻率上工作，這些連接線會(huì)像天線一樣產(chǎn)生EMI干擾或可能造成ESD危險(xiǎn)事件。　　上述這種EMI及ESD干擾均會(huì)破壞視頻信號(hào)的完整性，甚至損壞基帶控制器電路。受緊湊設(shè)計(jì)趨勢(shì)的推動(dòng)，考慮到電路板空間、手機(jī)工作頻率上
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利用雙絞線與低通濾波器抑制RFI和EMI有效方案

　　引言　　“The Twist”指雙絞線，Alexander Graham Bell于1881年申請(qǐng)?jiān)擁?xiàng)專利。而該項(xiàng)技術(shù)一直沿用到今天，原因是它提供了諸多便利。此外，隨著現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)器件處理能力的逐漸強(qiáng)大，結(jié)合電路仿真及濾波器設(shè)計(jì)軟件，使得雙絞線在數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越普遍。　　FPGA為設(shè)計(jì)工程師提供了強(qiáng)大、靈活的控制能力，特別是那些無(wú)法獲取專用集成電路(ASIC)的小批量設(shè)計(jì)項(xiàng)目，可以利用FPGA實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì);許多大批量生產(chǎn)的產(chǎn)品，在項(xiàng)目設(shè)計(jì)初期也利用
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基于示波器的EMI調(diào)試

　　過(guò)去，示波器很難用于EMI調(diào)試，因?yàn)樗鼪](méi)有捕獲EMI輻射信號(hào)所需要的靈敏度，F(xiàn)FT頻譜分析功能也不夠強(qiáng)大，而且使用起來(lái)很復(fù)雜。　　　　圖1：R RTO數(shù)字示波器——低噪聲前端和高級(jí)FFT分析能力使它成為強(qiáng)大的EMI調(diào)試工具　　R&S公司的RTO數(shù)字示波器的出現(xiàn)，使情況完全改觀。它在4GHz范圍內(nèi)都具有1mV/div靈敏度，有非常低的固有噪聲，這使它成為使用近場(chǎng)探頭捕獲和分析EMI輻射的理想工具?；贓MC一致性測(cè)試結(jié)果，該示波器成為極為理
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一種新型應(yīng)對(duì)汽車EMI問(wèn)題解決方案

　　印刷電路板布局決定著所有電源的成敗，決定著功能、電磁干擾(EMI)和受熱時(shí)的表現(xiàn)。開(kāi)關(guān)電源布局不是魔術(shù)，并不難，只不過(guò)在最初設(shè)計(jì)階段，可能常常被忽視。然而，因?yàn)楣δ芎虴MI要求都要必須滿足，所以對(duì)電源功能穩(wěn)定性有益的安排也常常有利于降低EMI輻射，那么晚做不如早做。還應(yīng)該提到的是，從一開(kāi)始就設(shè)計(jì)一個(gè)良好的布局不會(huì)增加任何費(fèi)用，實(shí)際上還可以節(jié)省費(fèi)用，因?yàn)闊o(wú)需EMI濾波器、機(jī)械屏蔽、花時(shí)間進(jìn)行EMI測(cè)試和修改PC板。　　此外，當(dāng)為了實(shí)現(xiàn)均流和更大的輸出功率而并聯(lián)多個(gè)DC/DC開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器時(shí)，潛在的
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IC芯片對(duì)EMI設(shè)計(jì)的影響

　　電磁兼容設(shè)計(jì)通常要運(yùn)用各項(xiàng)控制技術(shù)，一般來(lái)說(shuō)，越接近EMI源，實(shí)現(xiàn)EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來(lái)源，因此，如果能夠深入了解集成電路芯片的內(nèi)部特征，可以簡(jiǎn)化PCB和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中的EMI控制。　　在考慮EMI控制時(shí)，設(shè)計(jì)工程師及PCB板級(jí)設(shè)計(jì)工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI)等都對(duì)電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對(duì)EMI控制的影響。　　集成電路EMI來(lái)源　　PCB中集
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如何解決多層PCB設(shè)計(jì)時(shí)的EMI

　　解決EMI問(wèn)題的辦法很多，現(xiàn)代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設(shè)計(jì)等。本文從最基本的PCB布板出發(fā)，討論P(yáng)CB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計(jì)技巧。　　電源匯流排　　在 IC的電源引腳附近合理地安置適當(dāng)容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來(lái)得更快。然而，問(wèn)題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應(yīng)的特性，這使得電容無(wú)法在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動(dòng)IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會(huì)形成電壓降，這些瞬態(tài)
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如何管理高速數(shù)字接口的EMI

　　當(dāng)今高速數(shù)字接口使用的數(shù)據(jù)傳輸速率超過(guò)許多移動(dòng)通信設(shè)備(如智能手機(jī)和平板電腦)的工作頻率。需要對(duì)接口進(jìn)行精心設(shè)計(jì)，以管理接口產(chǎn)生的本地電磁輻射，避免接口信號(hào)受其他本地射頻的干擾。本文探討了管控高速數(shù)字接口EMI的若干最重要技術(shù)，說(shuō)明了它們是如何有助于解決EMI問(wèn)題的。　　小尺寸且低成本的高速串行(HSS)接口對(duì)那些必須要體積小、功耗低、重量輕的移動(dòng)設(shè)備尤為可貴。當(dāng)移動(dòng)設(shè)備必須與遠(yuǎn)程網(wǎng)絡(luò)通信時(shí)，會(huì)發(fā)生電磁干擾(EMI)，因?yàn)楝F(xiàn)代HSS接口使用的數(shù)據(jù)速率往往高于移動(dòng)設(shè)備所使用的無(wú)線通信頻率。　　
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電源技巧：一個(gè)小小的疏忽就會(huì)毀掉EMI性能

　　在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。　　從開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100 毫微微法拉)會(huì)讓您無(wú)法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會(huì)因寄生問(wèn)題而提供寬泛的容差。　　不過(guò)，在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。　　圖1是這些非計(jì)劃中電容的一個(gè)實(shí)例。圖中的右側(cè)是一個(gè)垂直安裝
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EMI和EMC電路中磁珠和電感起到的不同作用

　　磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來(lái)看看磁珠和電感的區(qū)別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多用于信號(hào)回路，用于EMC對(duì)策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導(dǎo)性干擾。磁珠是用來(lái)吸收超高頻信號(hào)，象一些RF電路，PLL,振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠，兩者都可用于處理EMC、EMI問(wèn)題。　　磁珠和電感在EMI和EMC電路中關(guān)鍵是是對(duì)高頻傳導(dǎo)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，也有抑制
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通信開(kāi)關(guān)電源的EMC分析

　　0 引言　　現(xiàn)代通信，電子、電氣設(shè)備的正常工作都離不開(kāi)電源。通信電源在通信設(shè)備中具有不可比擬的重要地位。隨著通信事業(yè)的飛速發(fā)展，手機(jī)、電話、電腦等通信工具走人人們的生活，已經(jīng)變得越來(lái)越普遍。通信設(shè)備的不斷更新，對(duì)于通信開(kāi)關(guān)電源的要求也越來(lái)越高。通信開(kāi)關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于光數(shù)據(jù)傳輸、程控交換、無(wú)線基站、有線電視系統(tǒng)及IP網(wǎng)絡(luò)中，是電子電氣設(shè)備正常工作的“心臟”。　　1 通信開(kāi)關(guān)電源的干擾　　通信開(kāi)關(guān)電源要穩(wěn)定工作就要有很強(qiáng)的抗電
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EMC中的隔離技術(shù)

　　1 引言　　電力電子設(shè)備包括兩部分，即變換部分與控制部分。前者屬于功率流強(qiáng)電范疇，后者屬于信息流弱電范疇。一般情況下前者是主電磁干擾源，后者是被干擾對(duì)象。為了使電力電子設(shè)備可靠地運(yùn)行，除了解決變換部分與控制部分之間的電氣隔離外，還要解決控制部分的抗電磁干擾的問(wèn)題，特別是當(dāng)變換部分處于高電壓、強(qiáng)電流、高頻變換情況下尤其重要?？垢蓴_問(wèn)題實(shí)質(zhì)上是解決電力電子設(shè)備的電磁兼容問(wèn)題。　　隔離技術(shù)是電磁兼容性中的重要技術(shù)之一。下面將電磁兼容中的隔離技術(shù)分為磁電、光電、機(jī)電、聲電和浮地等幾種隔離方式加以敘述。
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電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期的EMC設(shè)計(jì)考慮

　　隨著產(chǎn)品復(fù)雜性和密集度的提高以及設(shè)計(jì)周期的不斷縮短，在設(shè)計(jì)周期的后期解決電磁兼容性(EMC)問(wèn)題變得越來(lái)越不切合實(shí)際。在較高的頻率下，你通常用來(lái)計(jì)算EMC的經(jīng)驗(yàn)法則不再適用，而且你還可能容易誤用這些經(jīng)驗(yàn)法則。結(jié)果，70% ~ 90%的新設(shè)計(jì)都沒(méi)有通過(guò)第一次EMC測(cè)試，從而使后期重設(shè)計(jì)成本很高，如果制造商延誤產(chǎn)品發(fā)貨日期，損失的銷售費(fèi)用就更大。為了以低得多的成本確定并解決問(wèn)題，設(shè)計(jì)師應(yīng)該考慮在設(shè)計(jì)過(guò)程中及早采用協(xié)作式的、基于概念分析的EMC仿真。　　較高的時(shí)鐘速率會(huì)加大滿足電磁兼容性需求的難度。在千
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