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江波龍車規(guī)級/工業(yè)寬溫級/工規(guī)級 eMMC

  • 受原廠減產(chǎn),以及需求逐步復(fù)蘇的影響拉動,目前半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)入上行周期,存儲晶圓以及存儲器的價格均較年初有明顯上升,半導(dǎo)體存儲行業(yè)目前處于上行復(fù)蘇周期。江波龍作為存儲行業(yè)的領(lǐng)先廠商,公司在eMMC向UFS過渡關(guān)鍵時點仍然擁有領(lǐng)先的市場地位及技術(shù)優(yōu)勢,公司持續(xù)對UFS標(biāo)準(zhǔn)的新一代嵌入式存儲器投入研發(fā),公司已經(jīng)量產(chǎn)出貨UFS系列產(chǎn)品。隨著工業(yè)經(jīng)濟建設(shè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)品在工業(yè)控制領(lǐng)域的重要性逐漸突顯,形成如今相對專業(yè)和獨立的地位。與浮動較多的消費級市場相比,更為穩(wěn)定的工控市場已經(jīng)成為了存儲企業(yè)的必爭之地。&nbs
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綠芯將在2024嵌入式展會展示其新推出的eMMC和NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤

  • 綠芯將于4月9日至11日在德國紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會 ((embedded world 2024),4A號館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性價比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive?球柵陣列(BGA)固態(tài)硬盤,該產(chǎn)品用于工業(yè)控制和智能交通等高可靠應(yīng)用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列專門為價格敏感但是要求高可靠的應(yīng)用而準(zhǔn)備,工作在寬溫(-25oC至+85oC)環(huán)境下,支持3千擦寫次數(shù)。NVMe NANDrive PX系列工
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綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價比VX系列固態(tài)硬盤,以擴展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合

  • EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達(dá)40萬擦寫次數(shù); 高性價比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國,北京和美國,硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 綠芯半導(dǎo)體新推出的高性價比VX系列為其客戶提供更廣泛的、高可靠的eMMC固態(tài)硬盤。eMMC NANDrive? VX系列采用153球封裝,搭配高可靠的3D TLC NAND (每單元3bit),可在寬溫 (-25oC - +85oC)
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

  • 簡單解釋ROMROM:只讀存儲器,內(nèi)容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios,在系統(tǒng)裝好的電腦上時,計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存,然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲器,可重復(fù)使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM:隨機存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
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Arasan宣布其臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案

  • 領(lǐng)先的移動和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布,用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺積公司(TSMC)行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴展其IP產(chǎn)品,用于臺積公司22nm工藝SoC設(shè)計的eMMC PHY IP立即可用。臺積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機控制器IP和軟件無縫集成,從
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西數(shù)推出iNAND IX EM132嵌入式工業(yè)級eMMC SSD

  • 2019年,西部數(shù)據(jù)(WD)推出了首款面向工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的嵌入式 eMMC 存儲設(shè)備,它就是 iNAND IX EM132 驅(qū)動器。?其基于該公司的 64 層 BiCS3 3D TLC NAND 閃存打造,讀速高達(dá) 310 MB/s,輔以專為嵌入式、商業(yè)、工業(yè)等用途而設(shè)計的各項功能,提升了整體的可靠性和耐用性。
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關(guān)于NAND閃存大科普

  •   在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。  在使用期的性能恒定?! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
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如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS?

  • 在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸,抖動、串?dāng)_、信號偏移、傳輸路徑不
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買個32G內(nèi)存的手機為啥只有20幾個G?看完你就懂了

  •   現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?  我們總是在說手機內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下:        我們接觸到的16G、32G等手機,為何實際
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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

  •   Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器,為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域。       圖1 Nand-Flash與eMMC芯片  1.1存儲器件使用壽命  使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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eMMC使命完成,UFS時代來臨,如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS

  • eMMC使命完成,UFS時代來臨,如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS-在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸,抖動、串?dāng)_、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素,都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口,從而限制系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提升。
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吹牛必備常識之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

  • 華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機后,經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn),華為P10系列手機閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測試結(jié)果顯示,有部分手機的閃存速度約為200MB/秒,而根據(jù)網(wǎng)上公布的評測參數(shù)來看,以華為官方配置的P10實際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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手機儲存的未來:eMMC快速轉(zhuǎn)向UFS

  • 隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動裝置上的普及,以及手機處理器性能的提升,eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求,新一代的通用閃存儲存(UFS)規(guī)格應(yīng)運而生。
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UFS可望5年內(nèi)取代eMMC 成為移動存儲器儲存新主流

  •   通用快閃存儲器標(biāo)準(zhǔn)(UFS)可望取代eMMC,成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流,將成為未來旗艦手機標(biāo)準(zhǔn)配備,吸引存儲器控制芯片廠群聯(lián)與慧榮爭相推出產(chǎn)品卡位。   隨著4K影音與虛擬實境等技術(shù)日漸成熟,引爆旗艦智能手機對更高速、超高畫質(zhì)影音的儲存需求,研調(diào)機構(gòu)IHS預(yù)期,UFS可望在5年內(nèi)取代eMMC,成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流。   瞄準(zhǔn)UFS未來發(fā)展?jié)摿?,群?lián)搶在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃存儲器控制芯片PS8311,預(yù)計今年第1季量產(chǎn)出貨;群聯(lián)并計劃今年再推出一系列UFS芯片
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eMMC燒錄時需注意的寄存器配置

  •   eMMC芯片由NandFlash、控制器和標(biāo)準(zhǔn)接口組成,在應(yīng)用上,和NandFlash比較,由于控制器的存在,不必考慮ECC和壞塊管理策略,所以eMMC的應(yīng)用比較簡單。但是,eMMC燒寫只需要把數(shù)據(jù)燒進(jìn)去就可以了嗎?為什么數(shù)據(jù)寫進(jìn)去了,系統(tǒng)還是跑不起來?        eMMC自誕生以來,就受到各行各業(yè)的追棒,如今,已成為存儲行業(yè)的主流,特別是手機和平板。美國的IHS iSuppli預(yù)測到2018年全球的eMMC出貨量達(dá)到2200Milion。        圖
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emmc介紹

eMMC為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,主要是針對手機產(chǎn)品為主,而手機的內(nèi)嵌式標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格除了eMMC之外,還包括SD協(xié)會設(shè)立的eSD規(guī)格,但目前看來仍是eMMC的使用客戶群較普及,目前是eMMC4.3世代,下一代是eMMC4.4規(guī)格。 過去NAND Flash技術(shù)只要從50奈米轉(zhuǎn)換至30奈米制程,或是SLC轉(zhuǎn)換成MLC芯片,手機大廠都相當(dāng)頭痛,必須重新設(shè)計以及處里兼容性問題,然NAND [ 查看詳細(xì) ]

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