- 受原廠減產，以及需求逐步復蘇的影響拉動，目前半導體存儲產業(yè)進入上行周期，存儲晶圓以及存儲器的價格均較年初有明顯上升，半導體存儲行業(yè)目前處于上行復蘇周期。江波龍作為存儲行業(yè)的領先廠商，公司在eMMC向UFS過渡關鍵時點仍然擁有領先的市場地位及技術優(yōu)勢，公司持續(xù)對UFS標準的新一代嵌入式存儲器投入研發(fā)，公司已經量產出貨UFS系列產品。隨著工業(yè)經濟建設的發(fā)展，存儲產品在工業(yè)控制領域的重要性逐漸突顯，形成如今相對專業(yè)和獨立的地位。與浮動較多的消費級市場相比，更為穩(wěn)定的工控市場已經成為了存儲企業(yè)的必爭之地。&nbs
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江波龍 eMMC 工業(yè)
- 綠芯將于4月9日至11日在德國紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會 ((embedded world 2024)，4A號館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性價比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive?球柵陣列（BGA）固態(tài)硬盤，該產品用于工業(yè)控制和智能交通等高可靠應用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列專門為價格敏感但是要求高可靠的應用而準備，工作在寬溫（-25oC至+85oC）環(huán)境下，支持3千擦寫次數。NVMe NANDrive PX系列工
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綠芯 嵌入式展會 eMMC NVMe NANDrive 固態(tài)硬盤
- EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達40萬擦寫次數； 高性價比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國，北京和美國，硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 綠芯半導體新推出的高性價比VX系列為其客戶提供更廣泛的、高可靠的eMMC固態(tài)硬盤。eMMC NANDrive? VX系列采用153球封裝，搭配高可靠的3D TLC NAND (每單元3bit)，可在寬溫 (-25oC - +85oC)
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綠芯 固態(tài)硬盤 eMMC NANDrive
- 簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內存，然后通過cpu調用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器
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ROM RAM FLASH DDR EMMC
- 領先的移動和汽車SoC半導體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺積公司22nm工藝技術的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip
Systems為臺積公司（TSMC）行業(yè)領先的22nm工藝技術擴展其IP產品，用于臺積公司22nm工藝SoC設計的eMMC PHY
IP立即可用。臺積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC
5.1主機控制器IP和軟件無縫集成，從
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Arasan 臺積 22nm eMMC
- 2019年，西部數據（WD）推出了首款面向工業(yè)和物聯網應用的嵌入式 eMMC 存儲設備，它就是 iNAND IX EM132 驅動器。?其基于該公司的 64 層 BiCS3 3D TLC NAND 閃存打造，讀速高達 310 MB/s，輔以專為嵌入式、商業(yè)、工業(yè)等用途而設計的各項功能，提升了整體的可靠性和耐用性。
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西數 嵌入式 eMMC SSD
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定?！ 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND eMMC UFS
- 在高速數字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不
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UFS emmc 數字接口
- 現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢? 我們總是在說手機內存，那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下：
我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際
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eMMC NAND
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數據的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領域?！ ?nbsp;
圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現丟數據掉程序現象，是一個讓無數工程師毛骨悚然的
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Nand-Flash eMMC
- eMMC使命完成，UFS時代來臨，如何快速從eMMC轉移到UFS-在高速數字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口，從而限制系統(tǒng)帶寬的進一步提升。
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- 華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機后，經過測試發(fā)現，華為P10系列手機閃存速度出現了明顯差異的情況。用戶測試結果顯示，有部分手機的閃存速度約為200MB/秒，而根據網上公布的評測參數來看，以華為官方配置的P10實際速度應該可以達到800MB/秒左右。而最終測試的結論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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閃存 UFS eMMC
- 隨著游戲與視訊應用在行動裝置上的普及，以及手機處理器性能的提升，eMMC的性能已經不能滿足行動裝置對于內存讀寫性能的要求，新一代的通用閃存儲存(UFS)規(guī)格應運而生。
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- 通用快閃存儲器標準(UFS)可望取代eMMC，成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流，將成為未來旗艦手機標準配備，吸引存儲器控制芯片廠群聯與慧榮爭相推出產品卡位。
隨著4K影音與虛擬實境等技術日漸成熟，引爆旗艦智能手機對更高速、超高畫質影音的儲存需求，研調機構IHS預期，UFS可望在5年內取代eMMC，成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流。
瞄準UFS未來發(fā)展?jié)摿?，群聯搶在去年底即推出支?D TLC的UFS 2.1快閃存儲器控制芯片PS8311，預計今年第1季量產出貨;群聯并計劃今年再推出一系列UFS芯片
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- eMMC芯片由NandFlash、控制器和標準接口組成，在應用上，和NandFlash比較，由于控制器的存在，不必考慮ECC和壞塊管理策略，所以eMMC的應用比較簡單。但是，eMMC燒寫只需要把數據燒進去就可以了嗎?為什么數據寫進去了，系統(tǒng)還是跑不起來?
eMMC自誕生以來，就受到各行各業(yè)的追棒，如今，已成為存儲行業(yè)的主流，特別是手機和平板。美國的IHS iSuppli預測到2018年全球的eMMC出貨量達到2200Milion。
圖
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eMMC 寄存器
emmc介紹
eMMC為MMC協會所訂立的內嵌式存儲器標準規(guī)格，主要是針對手機產品為主，而手機的內嵌式標準規(guī)格除了eMMC之外，還包括SD協會設立的eSD規(guī)格，但目前看來仍是eMMC的使用客戶群較普及，目前是eMMC4.3世代，下一代是eMMC4.4規(guī)格。
過去NAND Flash技術只要從50奈米轉換至30奈米制程，或是SLC轉換成MLC芯片，手機大廠都相當頭痛，必須重新設計以及處里兼容性問題，然NAND [
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