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X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進(jìn)一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán)，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢帶給大批量市場的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創(chuàng)建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨特的解決方案，達(dá)到滿足下一代通信要求所需的更高
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是誰在拉動嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場擴張？

  • 近年來，受到全球半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現(xiàn)出較大的波動態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機構(gòu)的分析師都預(yù)測了半導(dǎo)體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個2022年，甚至更長。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析，2022年全球存儲器件市場的規(guī)模將達(dá)到1716.82億美元，較之前預(yù)估的2022年增加135.21億美元，同比增長將會達(dá)到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預(yù)測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標(biāo)和投資，進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導(dǎo)體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位，引領(lǐng)新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠找買家

  • GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來，大刀闊斧進(jìn)行改革，宣布退出全球高端技術(shù)的開發(fā)，又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣給臺積電旗下的世界先進(jìn)后，業(yè)界再度點名“下一刀”，是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠尋找買家。據(jù)傳美系 IDM 大廠有興趣，看來新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底，GlobalFoundries 經(jīng)歷大改革后可否涅槃重生值得關(guān)注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha，出任 GlobalFoundries 的新 CEO
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SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

  • 　　隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規(guī)模經(jīng)濟的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟上也越來越具有吸引力?！　」β拾雽?dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時間，從而實現(xiàn)更快的開關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
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不了解半導(dǎo)體FAB廠？看完這篇就懂了

  • 半導(dǎo)體FAB廠 FAQ100問影響工廠成本的主要因素有哪些?答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體hellip; Labor
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Skorpios收購了一座位于美國德州的Fab

  • 　　據(jù)麥姆斯咨詢報道，美國系統(tǒng)級芯片廠商Skorpios Technologies近日宣布收購了半導(dǎo)體集成廠商Novati Technologies及其位于美國德州奧斯汀的Fab，本次交易的具體金額暫未披露。 　　   　　Novati聞名于其在2.5D/3D集成、光子學(xué)、MEMS傳感器以及醫(yī)療應(yīng)用微流控領(lǐng)域的創(chuàng)新研究。Skorpios則擁有一套獨有的晶圓級工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)硅和III-V族材料的單片集成，并作為工作介質(zhì)(active medium)制造硅光子IC。 　　在此次并購交易之
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【E課堂】不了解半導(dǎo)體FAB廠？看完這篇就懂了

  • 　　影響工廠成本的主要因素有哪些?　　答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體… Labor人力 Fixed Manufacturing機器折舊，維修，研究費用……等 Production Support其它相關(guān)單位所花費的費用　　在FAB內(nèi)，間接物料指哪些?　　答：Gas 氣體 Chemical 酸，堿化學(xué)液&nbs
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力爭Fab主動權(quán) 中國瘋狂建廠的背后

  • 　　當(dāng)下的華夏大地，正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導(dǎo)體集成電路正成為僅次于互聯(lián)網(wǎng)機器人的熱詞。沒有幾個人能說得清，有多少條8吋、12吋生產(chǎn)線在運籌帷幄之中，又有多少大佬背著錢袋在這個“金礦”邊上徘徊。中國歷來的傳統(tǒng)是，黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國家確定的目標(biāo)，就是今后我們?yōu)橹畩^斗的戰(zhàn)場。最近我們的行業(yè)領(lǐng)軍人士已經(jīng)開始注意到潛在的風(fēng)險，我們在去“傳統(tǒng)產(chǎn)能”的同時，會不會帶來新的“高科技產(chǎn)能過剩”風(fēng)險?這是我們每個行業(yè)從業(yè)者要認(rèn)
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X-Fab將收購已進(jìn)入破產(chǎn)程序法國專業(yè)晶圓代工廠Altis

  • 　　模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布，將收購日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進(jìn)一步對外透露。 　　根據(jù)外媒報導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semiconductor將有助增
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X-Fab將收購法國Altis資產(chǎn)

  • 　　模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布，將收購日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進(jìn)一步對外透露。 　　根據(jù)EETimes等外媒報導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semicondu
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全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會有24%的增長

  • 　　全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報》。該預(yù)報還指出，2013年全球fab廠設(shè)備支出增長點在于技術(shù)節(jié)點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預(yù)報參考了2013年超過180家機構(gòu)的設(shè)備支出。
  • 關(guān)鍵字： Fab  電子制造  

全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會有24%的增長

  • 　　全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報》。該預(yù)報還指出，2013年全球fab廠設(shè)備支出增長點在于技術(shù)節(jié)點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預(yù)報參考了2013年超過180家機構(gòu)的設(shè)備支出。
  • 關(guān)鍵字： Fab  設(shè)備  

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  XT018  MOS  

X-FAB持續(xù)擴張MEMS晶圓代工業(yè)務(wù)

  • 　　X-FAB Silicon Foundries 宣布，已經(jīng)增加在總部位于德國的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，從25.5%提高到51%，成為后者的最大股東，并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機電系統(tǒng)晶圓廠(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。 　　上述動向反映了X-FAB對MEMS制造服務(wù)與技術(shù)的重視。伊策霍(Itzehoe)廠補強了X-FAB 微機電系統(tǒng)晶圓廠最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源，增添微感測器、致動器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與
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