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全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
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中國半導體存儲器市場前景

本文介紹了存儲器芯片分類，國際存儲芯片廠商的發(fā)展情況，及我國存儲芯片供需情況。
關(guān)鍵字：存儲器市場 DRAM Flash 201607

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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火災后瘋7供應商三星Flash廠部分復工

三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對供應緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復速度很快，給當?shù)毓╇娋趾腿菓碧幚睃c個贊。
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺

　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。　　慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

　　中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。　　某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　　　預估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。　　拓墣
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認識嗎？

　　Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點，給大家一個全新認識?！　∫?、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

　　資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。　　此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領(lǐng)
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手機標稱16G內(nèi)存，為何實際卻少于16G

　　摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢? 　　我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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中國下個購并標的：NAND Flash控制芯片

　　中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈。現(xiàn)階段，邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。　　資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
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TrendForce：經(jīng)濟前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限

　　全球經(jīng)濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應用效能增

　　NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優(yōu)勢，取代原本使用的NOR型快閃記
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中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關(guān)應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
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中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關(guān)應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]