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FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證
- 隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善,F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛,其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì),其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過(guò)實(shí)際的讀寫操作驗(yàn)證
- 關(guān)鍵字: Flash 驅(qū)動(dòng) FPGA
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用
- 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM),簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性,SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào),即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
基于SPI FLASH的FPGA多重配置
- 通過(guò)FPGA的多重配置可以有效地精簡(jiǎn)控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲(chǔ)器SPI FLASH為基礎(chǔ),從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)多重配置進(jìn)行分析,給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟,對(duì)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
- 關(guān)鍵字: FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器
AVR的主要特性
- AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡(jiǎn)指令集高 ...
- 關(guān)鍵字: AVR單片機(jī) ATMEL Flash
缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開發(fā)方法
- 對(duì)FLASH存貯器單片機(jī),不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手: 一、盡量使用高級(jí)語(yǔ)言開 ...
- 關(guān)鍵字: 仿真器時(shí) avr單片機(jī) FLASH
ARM編程中Flash ROM驅(qū)動(dòng)示例
- Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
- 關(guān)鍵字: ARM編程 Flash ROM驅(qū)動(dòng)
2014年Flash LED市場(chǎng)走勢(shì)將呈現(xiàn)M型化
- FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%,看準(zhǔn)Flash商機(jī),LED業(yè)者積極投入Flash市場(chǎng)。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA、500mA與350mA為主流,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,2014年FlashLED市場(chǎng)將呈現(xiàn)M型化發(fā)展,高階規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA所主導(dǎo),而低階則會(huì)以驅(qū)動(dòng)電流350mA為主。 LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動(dòng)、不需要充電與壽命較長(zhǎng)等特性,F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配,以2013年FlashLED市況來(lái)看,主流規(guī)
- 關(guān)鍵字: Flash LED
flash介紹
閃存(Flash ROM):
是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器,由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成,寫入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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