fram 文章進入fram技術(shù)社區(qū)

富士通推出具業(yè)界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM

　　4月15日消息，富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具業(yè)界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品?！　〈薋RAM產(chǎn)品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運行。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運行時為170 μA;以1 MHz運行時則為80 μA?！　〕司邩I(yè)界標準8引腳SOP(small outline package)之外，富士通還提
關(guān)鍵字：富士通 FRAM

進軍智能水/氣表市場，富士通FRAM再下一城

　　在計量儀表行業(yè)，水表/氣表目前仍是不同于電表的一個“藍?！笔袌?，對成本的敏感度遠低于對功耗的敏感度，正是因為這一特點，使得FRAM這一無電池存儲技術(shù)在無論是通信單元(中繼)還是計量單元都得到越來越多的應(yīng)用?！　《谏钲谧罱e辦的2015智能水/氣計量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇(WATER&GAS METERING China2015)上，富士通半導(dǎo)體的展臺人頭攢動，業(yè)界對這一新型存儲技術(shù)的關(guān)注可見一斑，F(xiàn)RAM在電表領(lǐng)域的成功很快將延伸到一顆電池要用10-15年的水/氣表中，甚至有過
關(guān)鍵字：富士通 FRAM

在RFID中嵌入FRAM，打破傳統(tǒng)RFID標簽的一系列限制

　　開車的朋友可能會有這樣的經(jīng)歷，當您經(jīng)過高速公里收費站時，您的交通收費卡在進站和出站時偶爾會無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了它的讀寫次數(shù)。目前，這些交通卡大部分是采用內(nèi)嵌EEPROM的RFID制作的，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問題就迎刃而解了。　　“采用FRAM 的RFID的讀寫次數(shù)可以達到1012，而采用EEPROM 的RFID的讀寫次數(shù)最多只有一百萬次，這就是為何高速收費處偶爾會出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀不出的問題。”富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市
關(guān)鍵字： FRAM RFID

富士通為1Mb序列FRAM開發(fā)超小型封裝

　　富士通半導(dǎo)體臺灣分公司宣布成功開發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現(xiàn)將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。　　WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應(yīng)用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續(xù)航力。　　穿戴式市場是目
關(guān)鍵字：富士通 FRAM

富士通為1Mb序列FRAM開發(fā)超小型封裝

　　富士通半導(dǎo)體臺灣分公司宣布成功開發(fā)及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現(xiàn)將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。　　WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應(yīng)用產(chǎn)品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續(xù)航力。　　穿戴式市場是目
關(guān)鍵字：富士通 FRAM

FRAM在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用的優(yōu)勢

FRAM在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用的優(yōu)勢
關(guān)鍵字： FRAM 行駛記錄儀

可穿戴電子應(yīng)用的FRAM

　　引言：　　FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。　　正文：　　鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、關(guān)鍵任務(wù)空間應(yīng)用、高可靠軍事以及各種汽車應(yīng)用。使FRAM適用于這些應(yīng)用的特征也使之成了可穿戴應(yīng)用的可行技術(shù)，因為FRAM技術(shù)與生俱來的附加屬性包括低功耗與高耐用性。　　電子可穿戴設(shè)計的一個主要注意事項是在提升可靠性的同時降低總體功耗。設(shè)計人員必須在增加功能的同時降低系統(tǒng)功耗，以便延長電池使用壽命。與此同時，嵌入式軟件的大小和復(fù)雜性
關(guān)鍵字： FRAM 存儲器

德州儀器 (TI) 全新超低功耗FRAM微控制器為數(shù)據(jù)存儲與恢復(fù)帶來變革，在電源意外中斷時確保數(shù)據(jù)安全

　　為了解決困擾工程師們數(shù)十年的設(shè)計難題，德州儀器 (TI) (NASDAQ: TXN) 日前宣布推出具有革命性的Compute Through Power Loss (CTPL)技術(shù)，以在包括全新MSP430FR6972 MCU的整個MSP430TM FRAM微控制器 (MCU) 產(chǎn)品系列中實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲與恢復(fù)。這項正在申請專利的技術(shù)能夠在應(yīng)用程序意外斷電后通過智能系統(tǒng)狀態(tài)恢復(fù)實現(xiàn)瞬時喚醒。此外，具有TI CTPL技術(shù)的全新MSP430FR6972 MCU包含了集成的智能模擬和數(shù)字外設(shè)，用于減少系統(tǒng)成本、
關(guān)鍵字：德州儀器 FRAM

FRAM邁向主流存儲器之漫漫長路…

　　鐵電記憶體(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被認為將成為主流技術(shù)，但至今仍與其他眾多新記憶體技術(shù)一樣，并沒有如預(yù)期般迅速崛起。FRAM的內(nèi)部運作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃記憶體的非揮發(fā)性;在1980年代首個成功的FRAM電路問世，其通用功能就被認為可以在許多應(yīng)用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。　　“那樣的情況就是沒有發(fā)生，”半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師Jim Handy (來自O(shè)bjective Analysis)在Cypress收購FRAM
關(guān)鍵字： FRAM

物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高清視頻應(yīng)用需要怎樣的金剛鉆？

　　“有了金剛鉆，敢攬瓷器活”，當物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能汽車、高清視頻等熱門應(yīng)用載著滿滿的財富襲來之時，半導(dǎo)體廠商是否有足夠先進的技術(shù)以應(yīng)對呢?尤其是在需要高性能的細分市場，對于半導(dǎo)體廠商的要求更高。例如，物聯(lián)網(wǎng)需要小型、低功耗、高可靠的存儲器解決方案，智能汽車需要先進的圖形顯示控制器以實現(xiàn)ADAS功能，而實時4K則需要H.265編碼能力。　　在本屆慕尼黑上海電子展上，相關(guān)廠商展示的幾項“低調(diào)奢華有內(nèi)涵”的相關(guān)技術(shù)方案引起了筆者的關(guān)注：高可靠FRA
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) 智能汽車 FRAM 高清視頻

控制自身功耗預(yù)算并優(yōu)化軟件的MCU？說說MSP430 FRAM

　　MSP430FR59x/69x FRAM MCU產(chǎn)品系列集成了涵蓋32KB至128KB嵌入式FRAM的EnergyTrace++?實時功耗分析器和調(diào)試器。這些MSP430? MCU非常適用于智能計量儀表、可佩戴式電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠程傳感器、能量收集裝置、家庭自動化設(shè)備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應(yīng)用。　　EnergyTrace++技術(shù)是全球第一個能使開發(fā)人員為每個外設(shè)實時分析功耗(電流分辨率低至5nA)的調(diào)試系統(tǒng)。這
關(guān)鍵字： FRAM 物聯(lián)網(wǎng)

FRAM存儲“多、快、省”

　　近日，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇介紹了FRAM(鐵電存儲器)產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨特優(yōu)勢。擁有15年FRAM量產(chǎn)經(jīng)驗的富士通半導(dǎo)體，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特點?！岸唷敝傅氖荈RAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點，可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性，這可以幫助系統(tǒng)設(shè)計者解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;“省”是FRAM超低
關(guān)鍵字：富士通 FRAM EEPROM 201503

FRAM以領(lǐng)先特性解決應(yīng)用瓶頸、促進產(chǎn)品創(chuàng)新

　　在海量的固態(tài)存儲技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應(yīng)用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術(shù)大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在。這種存儲技術(shù)就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨特技術(shù)特性優(yōu)勢，特別是FRAM RFID和認證FRAM方面眾多的創(chuàng)新應(yīng)用案例對電子產(chǎn)品的設(shè)計具有很好的創(chuàng)新啟發(fā)，受到與會嘉賓的關(guān)注。　　
關(guān)鍵字： FRAM EEPROM

FRAM以領(lǐng)先特性解決應(yīng)用瓶頸、促進產(chǎn)品創(chuàng)新

　　在海量的固態(tài)存儲技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應(yīng)用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術(shù)大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費電子、工業(yè)電子……幾乎所有的行業(yè)中無處不在。這種存儲技術(shù)就是鐵電存儲器(FRAM)。在近日于深圳舉辦的易維訊年度中國ICT媒體論壇上，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場部經(jīng)理蔡振宇分享了FRAM產(chǎn)品在應(yīng)用中的獨特技術(shù)特性優(yōu)勢，特別是FRAM RFID和認證FRAM方面眾多的創(chuàng)新應(yīng)用案例對電子產(chǎn)品的設(shè)計具有很好的創(chuàng)新啟發(fā)，受到與會嘉賓的關(guān)注。　　
關(guān)鍵字： FRAM 物聯(lián)網(wǎng)

富士通：鐵電存儲器我也很牛的！

　　鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM，F(xiàn)RAM;或稱FeRAM)由于結(jié)合了ROM與RAM的優(yōu)勢，具備非揮發(fā)性、高速寫入、高耐受度、低功耗等方面的條件，在這幾年來不斷擴大市場版圖，特別是在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域備受矚目;隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)崛起，F(xiàn)RAM也可望在各類智慧連網(wǎng)裝置上找到更多新應(yīng)用商機。　　在FRAM技術(shù)領(lǐng)域耕耘15年的日商富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor)，自1999年首度量產(chǎn) FRAM 元件以來，全球出貨量累計已超過25億顆，具備多樣化的產(chǎn)品種類選擇;
關(guān)鍵字：富士通鐵電存儲器 FRAM

共103條 3/7 « 1 2 3 4 5 6 7 »

fram介紹

鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標準的串行和并行接口，工業(yè)標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。　　非易失性記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失?？墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術(shù)。你能想象到,只讀記憶體的數(shù)據(jù)是不可能修改的 [ 查看詳細 ]