fram 文章 進(jìn)入fram技術(shù)社區(qū)
20張圖文告訴您什么是智能水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案
- 20張圖文告訴您什么是智能水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案-在今天的舉辦的2015智能水/氣計(jì)量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇上,富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理蔡振宇作了“智能水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案”的主題分享。水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)最佳解決方案是什么?與傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢(shì)是啥?有哪些應(yīng)用案例?……帶著這些問題,今天我們將通過20張圖文與大家深度分享。
- 關(guān)鍵字: 富士通 fram
次世代記憶體換當(dāng)家?關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事
- 次世代記憶體換當(dāng)家?關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事-據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo),IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱,兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)10 奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu),理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導(dǎo)體業(yè)者指出,16納米將是DRAM微縮制程的最后極限,包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲(chǔ)(其它包括MRAM)備受期待。
- 關(guān)鍵字: dram fram
成功可以復(fù)制,富士通攜新一代FRAM進(jìn)軍高端車載應(yīng)用市場(chǎng)!
- 在前不久巴塞羅那舉行的奧迪首屆全球品牌峰會(huì)上,奧迪新一代A8旗艦級(jí)轎車正式首發(fā),成為世界上第一款L3級(jí)自動(dòng)駕駛量產(chǎn)車。至此,自動(dòng)駕駛技術(shù)第一次真真切切地接管了人類手中的方向盤!盡管奧迪表示新A8僅在60km/h以下的低速條件實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)駕駛,但仍然賺足了全球車友的“眼球”。在消費(fèi)者為之狂歡的同時(shí),新A8也進(jìn)一步引發(fā)了消費(fèi)者與業(yè)界對(duì)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)“可靠性”的思考——你真的敢坐自動(dòng)駕駛開的車么? 圖1:奧迪A8自動(dòng)駕駛技術(shù)采用多
- 關(guān)鍵字: 富士通 FRAM
FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)串起關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一攬子解決方案
- 《華爾街日?qǐng)?bào)》前不久的一篇文章指出,近年來智能手機(jī)、PC、平板電腦等設(shè)備的進(jìn)化并沒有以往那么快速,不過它們正以新的方式推進(jìn)創(chuàng)新,硬件廠商更多針對(duì)特定任務(wù)采用定制芯片。沒錯(cuò),技術(shù)的多樣性正在為各種應(yīng)用帶來類似 “定制化”的更優(yōu)化設(shè)計(jì)選項(xiàng)。而嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域也是如此,以不同獨(dú)特性能的各種存儲(chǔ)技術(shù)正在為許多應(yīng)用需求提供“定制化”的方案,其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上正在這樣做?! 白鳛橄到y(tǒng)關(guān)鍵組成部分,存儲(chǔ)性能至關(guān)重要?!?nbsp;富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: FRAM NRAM
FRAM在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用現(xiàn)狀
- 在最近熱映的影片《環(huán)太平洋》中,面對(duì)怪獸的沖擊波,采用數(shù)字電路控制的機(jī)甲戰(zhàn)士瞬間就癱瘓了,而只有模擬電路扛了下來。這可以形象地用來說明,電子元器件能否抗輻射有時(shí)候是人命關(guān)天的事兒!回到現(xiàn)實(shí),在醫(yī)療電子應(yīng)用領(lǐng)域,將能夠抵抗高達(dá)50kGy伽瑪射線消毒的非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器FRAM用于一些與生命息息的關(guān)鍵醫(yī)療設(shè)備就再合適不過
- 關(guān)鍵字: FRAM 醫(yī)療設(shè)備 非易失性存儲(chǔ) E2PROM 呼吸機(jī)
鐵電存貯器FRAM技術(shù)原理
- 鐵電存貯器是一種全新的存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。鐵電存貯器的最大特點(diǎn)是可以跟隨總線速度無限次的寫入,而且寫入功耗極低。文中給出了 FRAM鐵電存貯器與普通存貯器的性能比較。指出了FRAM的主要應(yīng)用領(lǐng)域。最后列出了RAMTRON串行和并行鐵電存貯器的主要型號(hào)和參數(shù)。
- 關(guān)鍵字: 鐵電存儲(chǔ)器 FRAM 無限次寫入
FRAM:智能電表應(yīng)用中的低功耗非易失性存儲(chǔ)器
- 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間應(yīng)用、高可靠性軍事和各種汽車應(yīng)用。FRAM的特性不僅使其適用于上述應(yīng)用,而且它還以其低功耗和高耐用性(圖1)的固有特性成為了智能電表應(yīng)用的可靠選擇?! ?圖1):高端非易失性存儲(chǔ)器對(duì)比 電子設(shè)計(jì)的一個(gè)主要考慮因素是降低總功耗的同時(shí)提高可靠性。設(shè)計(jì)人員必須考慮增加功能,同時(shí)減少系統(tǒng)的功率預(yù)算,以實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)久的電池壽命。但是與此同時(shí),嵌入式軟件正變得日益復(fù)雜,需要配備更多的存儲(chǔ)器,但這一點(diǎn)對(duì)功耗也有了進(jìn)一步要求?! ∫话銇碇v,智能電表將
- 關(guān)鍵字: FRAM 智能電表
富士通FRAM“上天入地”,拓展更多低功耗、高可靠性應(yīng)用空間
- 在前不久落下帷幕的深圳國際電子展現(xiàn)場(chǎng),聚集了大量專業(yè)觀眾的富士通展臺(tái)格外亮眼,而引發(fā)這場(chǎng)圍觀的“黑科技”之一就是已“上天入地”的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM)。據(jù)富士通展臺(tái)工程師介紹,從要抗宇宙輻射的衛(wèi)星裝置,到頗接地氣的無電池舒適智能家居設(shè)備,已處處可見這種先進(jìn)非易失性嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)的身影。除FRAM外,在本次展會(huì)上富士通還展示了繼電器Relay、設(shè)計(jì)可追溯管理工具SQTRACER等領(lǐng)先技術(shù)。 圖1:深圳電子展富士通展臺(tái)。
- 關(guān)鍵字: 富士通 FRAM
利用MSP430 FRAM微控制器實(shí)現(xiàn)能量采集
- 對(duì)于很多人來說,第一次接觸能量采集可能是在早期使用太陽能便攜式計(jì)算器的時(shí)候,雖然如今這種類型的計(jì)算器已不再是主流,但是它所使用的技術(shù)和理念仍然應(yīng)用于我們的日常生活中。目前,我們?cè)谠S多的應(yīng)用中都能看到能量采集的身影,例如傳感器節(jié)點(diǎn)、風(fēng)力渦輪機(jī)和室內(nèi)供能應(yīng)用等。不過,即使對(duì)于這項(xiàng)技術(shù)的討論較之前已經(jīng)有了很大的發(fā)展,當(dāng)涉及到能量采集時(shí),開發(fā)人員仍然面臨著與數(shù)十年前一樣的挑戰(zhàn)。 為了在不帶來負(fù)面影響的情況下產(chǎn)生出所需的能量,通常需要一塊物理尺寸很大的太陽能板和一套巨大的熱能采集裝置,或者是通過設(shè)備發(fā)出不
- 關(guān)鍵字: MSP430 FRAM
智能化與物聯(lián)網(wǎng)的大潮中,F(xiàn)RAM助力三表設(shè)計(jì)新突破
- 前些年隨著一部輕喜劇的播出,“查水表”一詞已被引申為調(diào)侃之語了。而伴隨著智能化大潮的到來,這個(gè)曾與我們老百姓生活息息相關(guān)的詞在日常生活中也正與我們漸行漸遠(yuǎn),因?yàn)閭鹘y(tǒng)三表已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了智能計(jì)量和無線數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)和無線采集。作為其中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的低功耗和可靠性越來越受到關(guān)注。在不久前閉幕的智能水/氣計(jì)量產(chǎn)業(yè)鏈高峰論壇(WATER & GAS METERING China2016)上,富士通電子元器件(上海)有限公司亞太區(qū)市場(chǎng)部總經(jīng)理王鈺針對(duì)三表數(shù)據(jù)存儲(chǔ)發(fā)表了專
- 關(guān)鍵字: 富士通 FRAM
fram介紹
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度,像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失??墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術(shù)。你能想象到,只讀記憶體的數(shù)據(jù)是不可能修改的 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473