fram 文章進(jìn)入fram技術(shù)社區(qū)

富士通導(dǎo)入0.18微米FRAM生產(chǎn)技術(shù)

　　富士通半導(dǎo)體發(fā)展新一代內(nèi)存技術(shù)鐵電隨機(jī)內(nèi)存(Ferroelectric Random Access Memory;FRAM)技術(shù)已久，日前正式以0.18微米制程生產(chǎn)SPI FRAM產(chǎn)品，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A系列，容量分別為256Kb、128Kb和64Kb等，目前已開始提供客戶樣品。
關(guān)鍵字：富士通 FRAM

富士通半導(dǎo)體推出全新SPI FRAM

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 μm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號，并從即日起開始為客戶提供樣片。
關(guān)鍵字：富士通 SPI FRAM

富士通體推出基于0.18 μm 技術(shù)的全新SPI FRAM

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 μm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號，并從即日起開始為客戶提供樣片。
關(guān)鍵字：富士通 FRAM

Ramtron宣布IBM代工FRAM芯片樣品進(jìn)入送樣/客戶驗(yàn)證階段

　　2009年，Ramtron與IBM公司達(dá)成代工FRAM芯片的協(xié)議，按照雙方原來的計(jì)劃，準(zhǔn)備在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM樣品芯片。然而，IBM公司在后來的研發(fā)制造過程中遇到許多問題，無法成功提升這款產(chǎn)品的產(chǎn)量，導(dǎo)致了這項(xiàng)計(jì)劃的延遲。　　
關(guān)鍵字： IBM FRAM

帶有串行接口的FRAM RFID LSI

　　鐵電隨機(jī)存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。　　概述　　到目前為止，富士通半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出了高頻段(13.6MHz)和超高頻段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI產(chǎn)品。這些產(chǎn)品最重要的特點(diǎn)就是它們內(nèi)嵌FRAM。由于擦寫速度快、耐擦寫次數(shù)高，它們已經(jīng)作為數(shù)據(jù)載體型被動RFID LSI而被全世界廣泛采用。　　大存儲數(shù)據(jù)載體的優(yōu)勢就是RFID可以記錄可追溯數(shù)據(jù)，如制造數(shù)據(jù)
關(guān)鍵字：富士通 FRAM RFID LSI

透過在ICT解決方案中使用FRAM技術(shù)降低整個系統(tǒng)的C

「FRAM」是前景看好且正受到廣泛關(guān)注的集成電路組件，然而，其制造過程中使用的原材料及化學(xué)物質(zhì)頗多，制程也極為復(fù)雜。為了計(jì)算出在生產(chǎn)FRAM時的CO2排放量，富士通針對芯片生產(chǎn)工廠中化學(xué)原料、化學(xué)氣體、晶圓等的用
關(guān)鍵字： FRAM ICT CO2 方案

FRAM助RFID升值

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： FRAM RFID 富士通高頻超高頻

IBM與Ramtron簽署FRAM代工協(xié)議

　　Ramtron公司(RamtronInternationalCorp.)，作為一家非揮發(fā)性鐵電存儲器(FRAM)供應(yīng)商，日前已經(jīng)與IBM公司的微電子集團(tuán)達(dá)成了一項(xiàng)關(guān)于代工服務(wù)的協(xié)議。　　Ramtron正在通過硅谷銀行(SiliconValleyBank)申請1100萬美元的貸款，這筆貸款主要用于和IBM進(jìn)行代工合作所需的資本和開發(fā)費(fèi)用。根據(jù)這項(xiàng)計(jì)劃，兩家公司將會在IBM位于伯靈頓工廠安置Ramtron的FRAM半導(dǎo)體工藝技術(shù)。　　Ramtron預(yù)計(jì)IBM的0.18微米的晶圓制造工藝將會在201
關(guān)鍵字： Ramtron FRAM

一種基于FM20L08存儲器的溫度測試儀設(shè)計(jì)

1引言高溫測試儀主要用于加熱過程中的溫度跟蹤測量和數(shù)據(jù)采集,通過對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行系統(tǒng)分析,研究...
關(guān)鍵字： FM20L08 FRAM 溫度測試儀

VRS51L3074與串行FRAM在LED顯示屏中的應(yīng)用

在研究和分析現(xiàn)有各種LED顯示屏控制電路的基礎(chǔ)上，提出一種基于串行FRAM存儲器的LED顯示屏控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)以51系列運(yùn)行速度為40MIPS的單周期高速VRS51L3074單片機(jī)為控制核心，利用串行FRAM存儲器組成雙端口RAM，實(shí)現(xiàn)對LED顯示屏的控制；并以2 048×192點(diǎn)陣雙色LED顯示屏為實(shí)例，說明其如何在實(shí)際中應(yīng)用。
關(guān)鍵字： L3074 3074 FRAM VRS

IBM與Ramtron簽署FRAM代工協(xié)議

Ramtron公司(Ramtron International Corp.)，作為一家非揮發(fā)性鐵電存儲器(FRAM)供應(yīng)商，日前已經(jīng)與IBM公司的微電子集團(tuán)達(dá)成了一項(xiàng)關(guān)于代工服務(wù)的協(xié)議。 Ramtron正在通過硅谷銀行(Silicon Valley Bank)申請1100萬美元的貸款，這筆貸款主要用于和IBM進(jìn)行代工合作所需的資本
關(guān)鍵字： Ramtron FRAM IBM

串行FRAM FM25H20原理及其應(yīng)用

介紹非易失性鐵電存儲器FM25H20的性能特點(diǎn)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理；給出單片機(jī)與FM25H20的寫操作接口電路圖，以及FM25I-t20的寫操作流程圖。歸納出任何一款8位數(shù)據(jù)總線寬度用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)時使用FM25H20的方法．從而實(shí)現(xiàn)大容量存儲系統(tǒng)的擴(kuò)展。
關(guān)鍵字： FRAM 25H H20 FM

Ramtron推出帶集成FRAM存儲器的事件數(shù)據(jù)記錄儀

　　Ramtron推出半導(dǎo)體業(yè)界首款基于F-RAM的事件數(shù)據(jù)記錄儀(EDR) -- FM6124，這是集成式的事件監(jiān)控解決方案，能夠連續(xù)監(jiān)控狀態(tài)的變化，將數(shù)據(jù)存儲在F-RAM中并向系統(tǒng)提出有關(guān)變化的報(bào)警。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似，具有簡單的器件設(shè)置和資料檢索功能，便于系統(tǒng)集成和縮短設(shè)計(jì)周期。　　Ramtron戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理David Lee稱：“FM6124是我們首個EDR產(chǎn)品，也是陸續(xù)推出專用產(chǎn)品系列的基礎(chǔ)，其獨(dú)特之處在于在單一封裝中提供數(shù)字式事件監(jiān)控。該器件可
關(guān)鍵字： Ramtron FRAM 數(shù)據(jù)記錄儀 FM6124 EDR

FRAM技術(shù)為智能安全氣囊系統(tǒng)提供“智能性”

　　汽車安全系統(tǒng)在未來數(shù)年間將變得越來越趨于精密。這一趨勢會影響到attach rate 以及安全氣囊系統(tǒng)和汽車穩(wěn)定性控制系統(tǒng)的的復(fù)雜程度。隨著這些系統(tǒng)中的電子部分越來越重要，同時對半導(dǎo)體存儲器的容量要求也隨之增長。本文概述了在設(shè)計(jì)新一代安全氣囊系統(tǒng)存儲方案時應(yīng)該考慮的問題。　　目前汽車安全氣囊系統(tǒng)引入了兩項(xiàng)主要的創(chuàng)新技術(shù)。第一，新型的安全氣囊系統(tǒng)增加了“智能性”：不同于以往系統(tǒng)一律采用最大的展開力。仿佛所有的事故和乘客都是一模一樣的，新系統(tǒng)是根據(jù)事故和乘客的具體參數(shù)來決定氣囊
關(guān)鍵字： FRAM 安全氣囊智能性

帶有鐵電隨機(jī)存取存儲器的高精度實(shí)時時鐘所具備的優(yōu)勢

　　1 概述　　隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Dallas Semi-conductor公司提供了無需電池的非易失存儲器。這些器件采用鐵電隨機(jī)存取存儲器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器件能夠可靠地將數(shù)據(jù)保持10年之久，與EEPROM和其他非易失存儲器不同的是：它不需要考慮系統(tǒng)復(fù)雜性、過度開銷以及可靠性等問題。從1992年出現(xiàn)第一塊FRAM至今，鐵電隨機(jī)存取存儲技術(shù)已趨于成熟。　　2 非易失存儲器　　目前，非易失存儲技術(shù)主要有3種：電池備份的SRA
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) DS32X35 隨機(jī)存取存儲器 FRAM 存儲器

共103條 6/7 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 »

fram介紹

鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。　　非易失性記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失?？墒撬械姆且资杂洃涹w均源自ROM技術(shù)。你能想象到,只讀記憶體的數(shù)據(jù)是不可能修改的 [ 查看詳細(xì) ]